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SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

外国特許コード	F120006191
整理番号	S2009-0015
掲載日	2012年2月7日
出願国	世界知的所有権機関（ＷＩＰＯ）
国際出願番号	2009JP006406
国際公開番号	WO 2010/061617
国際出願日	平成21年11月26日(2009.11.26)
国際公開日	平成22年6月3日(2010.6.3)
優先権データ	特願2008-303814 (2008.11.28) JP
発明の名称（英語）	SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
発明の概要（英語）	A semiconductor light emitting element (10) includes: a substrate (11) having a surface which enables GaN crystal growth; a mask layer (12) having a surface which is arranged to cover the surface of the substrate (11) but has an opening (12a) where the surface of the substrate (11) is partially exposed and which disables GaN crystal growth; and a GaN layer (13) arranged to cover the mask layer (12) and the surface of the substrate (11) exposed through the opening (12a) of the mask layer (12). The mask layer (12) has a refraction index greater than that of SiO2 and smaller than that of the GaN layer (13).
出願人（英語） ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国	YAMAGUCHI UNIVERSITY CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.
発明者（英語）	TADATOMO, Kazuyuki OKADA, Narihito WATABE, Yoshimi
国際特許分類(IPC)	H01L 33/00 光の放出に特に適用される少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置；それらの装置またはその部品の製造，あるいは処理に特に適用される方法または装置；それらの装置の細部
指定国	AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW(UTILITY MODEL),BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CL(UTILITY MODEL),CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM,DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN,HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PE(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)

日本語項目の表示

発明の名称	半導体発光素子及びその製造方法
発明の概要	半導体発光素子１０は、ＧａＮの結晶成長が可能な表面を有する基板１１と、基板１１の表面を覆うように設けられ基板１１の表面が部分的に露出する開口１２ａが形成されていると共にＧａＮの結晶成長が不能な表面を有するマスク層１２と、マスク層１２及びマスク層１２の開口１２ａから露出した基板１１の表面を覆うように設けられたＧａＮ層１３とを備える。マスク層１２の屈折率がＳｉＯ２の屈折率よりも大きく且つＧａＮ層１３の屈折率よりも小さい。
出願人 ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国	国立大学法人　山口大学

※ 山口ＴＬＯは平成１１年１１月に山口大学の教官５０名の出資により設立された、リエゾン一体型のＴＬＯ活動会社です。山口大学を主とし、山口県内の大学・高専の研究成果をご紹介致します。特許の内容に興味を持たれた方は、下記までご連絡ください。

『 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME 』に関するお問合せ

有限会社　山口ティー・エル・オー
URL: http://www.tlo.sangaku.yamaguchi-u.ac.jp/
E-mail:
Address: 〒755-8611 山口県宇部市常盤台2－16－1　山口大学大学研究推進機構内
TEL: 0836-22-9768
FAX: 0836-22-9771

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TEL: 0836-22-9768
FAX: 0836-22-9771

関連情報

公報	WO 2010/061617(PDF,319KB)