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SIC SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

外国特許コード	F120006351
整理番号	S2010-0044-C0
掲載日	2012年3月26日
出願国	世界知的所有権機関（ＷＩＰＯ）
国際出願番号	2010JP007231
国際公開番号	WO 2011/074237
国際出願日	平成22年12月13日(2010.12.13)
国際公開日	平成23年6月23日(2011.6.23)
優先権データ	特願2009-285561 (2009.12.16) JP
発明の名称（英語）	SIC SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
発明の概要（英語）	Disclosed are an SiC semiconductor element and manufacturing method for an SiC semiconductor element in which the interface state density of the interface of the insulating film and the SiC is reduced, and channel mobility is improved. Phosphorus (30) is added to an insulating film (20) formed on an SiC semiconductor (10) substrate in a semiconductor element. The addition of phosphorous to the insulating film makes it possible to significantly reduce the defects (interface state density) in the interface (21) of the insulating film and the SiC, and to dramatically improve the channel mobility when compared with conventional SiC semiconductor elements. The addition of phosphorus to the insulating film is carried out by heat treatment. The use of heat treatment to add phosphorous to the insulating film makes it possible to maintain the reliability of the insulating film, and to avoid variation in channel mobility and threshold voltage.
出願人（英語） ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国	NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
発明者（英語）	YANO, Hiroshi OKAMOTO, Dai
国際特許分類(IPC)	H01L 29/78 絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの H01L 21/283 電極用の導電または絶縁材料の析出 H01L 21/316 酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの H01L 21/336 絶縁ゲートを有するもの H01L 29/12 構成材料に特徴のあるもの
指定国	AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW,BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CL(UTILITY MODEL),CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM,DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN(UTILITY MODEL),HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PE(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TH(PETTY PATENT),TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LR(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)

日本語項目の表示

発明の名称	ＳｉＣ半導体素子およびその作製方法
発明の概要	ＳｉＣ半導体の絶縁膜とＳｉＣとの界面の界面準位密度を低減させ、チャネル移動度を向上させたＳｉＣ半導体素子およびその作製方法を提供する。ＳｉＣ半導体１０基板上に絶縁膜２０が形成された半導体素子において、絶縁膜２０にリン３０を添加する。絶縁膜にリンが添加されることにより、絶縁膜とＳｉＣの界面２１の欠陥（界面準位密度）が大幅に低減でき、チャネル移動度を従来と比べて飛躍的に向上できる。絶縁膜に対するリンの添加は、熱処理によって行われる。熱処理を用いて、絶縁膜にリンを添加することで、絶縁膜の信頼性を維持でき、チャネル移動度や閾値電圧のばらつきを回避することができる。
出願人 ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国	国立大学法人　奈良先端科学技術大学院大学

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国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学研究協力課研究推進係
URL: http://www.naist.jp/sankan/index.html
E-mail:
Address: 〒630-0192 奈良県生駒市高山町8916番地の5
TEL: 0743-72-5658
FAX: 0743-72-5194

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TEL: 0743-72-5658
FAX: 0743-72-5194

関連情報

	・ SiCパワーデバイスを高性能化するMOS界面欠陥の低減技術(奈良先端科学技術大学院大学新技術説明会)
国内特許	・ＳｉＣ半導体素子およびその作製方法

公報	WO 2011/074237(PDF,513KB)