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DEVICE FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GRAINS, METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GRAINS, AND ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GRAINS

外国特許コード F120006630
整理番号 S2010-0931
掲載日 2012年5月17日
出願国 世界知的所有権機関（ＷＩＰＯ）
国際出願番号 2011JP065221
国際公開番号 WO 2012/002545
国際出願日 平成23年7月1日(2011.7.1)
国際公開日 平成24年1月5日(2012.1.5)
優先権データ
  • 特願2010-152506 (2010.7.2) JP
発明の名称 （英語） DEVICE FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GRAINS, METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GRAINS, AND ALUMINUM NITRIDE CRYSTAL GRAINS
発明の概要（英語） Provided are aluminum nitride crystal grains in which each individual grain has a grain size of 0.05 micron m to 1 micron m and a shape selected from any of a hexagonal prism, a hexagonal drum shape, a hexagonal pyramid, or two hexagonal pyramids where the base surfaces thereof are joined together. A production device (1A) comprises: a first reaction chamber (7a) for generating aluminum chloride gas by reacting hydrogen chloride gas and aluminum heated to a temperature that is the melting point of the aluminum or lower; a second reaction chamber (2a) for growing aluminum nitride crystal grains by reacting ammonia gas and the aluminum chloride gas; a heater (3) for heating the first reaction chamber (7a) and the second reaction chamber (2a); and a shroud (9) for separating the ammonia gas and the aluminum chloride gas up to the second reaction chamber (2a). As a result, a device for producing aluminum nitride crystal grains can be provided with which aluminum nitride crystal grains that are single crystals can be efficiently produced.
  • 出願人（英語）
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SHIZUOKA UNIVERSITY
  • 発明者（英語）
  • HARA Kazuhiko
国際特許分類(IPC)
指定国 AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA(CONSENSUAL PATENT),BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW,BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CL(UTILITY MODEL),CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM,DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN(UTILITY MODEL),HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PE(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TH(PETTY PATENT),TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LR(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)

日本語項目の表示

発明の名称 窒化アルミニウム結晶粒子の製造装置、窒化アルミニウム結晶粒子の製造方法および窒化アルミニウム結晶粒子
発明の概要 粒子の形状が各々独立した六角柱、六角鼓形、六角錐台、及び、２つの六角錐台の底面同士が結合された形状のうち何れかであり、粒径が０．０５μｍ以上１μｍ以下である、窒化アルミニウム結晶粒子が提供される。また、製造装置１Ａは、塩化水素ガスと、融点以下の温度に加熱されたアルミニウムとを反応させて、塩化アルミニウムガスを発生させる第１の反応室７ａと、アンモニアガスと塩化アルミニウムガスとを反応させて、窒化アルミニウム結晶粒子を成長させる第２の反応室２ａと、第１の反応室７ａ及び第２の反応室２ａを加熱する加熱装置３と、アンモニアガスと塩化アルミニウムガスとを第２の反応室２ａまで隔離するシュラウド９とを備える。これにより、単結晶の窒化アルミニウム結晶粒子を効率よく製造することができる窒化アルミニウム結晶粒子の製造装置を提供できる。
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