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PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND CHARACTERISTIC INSPECTION METHOD FOR SAME

外国特許コード	F120006635
整理番号	S2010-0309
掲載日	2012年5月17日
出願国	世界知的所有権機関（ＷＩＰＯ）
国際出願番号	2011JP055882
国際公開番号	WO 2011/111853
国際出願日	平成23年3月14日(2011.3.14)
国際公開日	平成23年9月15日(2011.9.15)
優先権データ	特願2010-055388 (2010.3.12) JP
発明の名称（英語）	PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND CHARACTERISTIC INSPECTION METHOD FOR SAME
発明の概要（英語）	Disclosed is a photoelectric conversion device which inhibits characteristic degradation caused by crystal defects, and an inspection method for crystal defects in photoelectric conversion devices. The photoelectric conversion device is provided with an active layer, and a deactivator contained in the active layer.
出願人（英語） ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国	NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION CHIBA UNIVERSITY
発明者（英語）	YOSHIKAWA Akihiko ISHITANI Yoshihiro KUSAKABE Kazuhide
国際特許分類(IPC)	H01L 33/32 窒素を含むもの H01L 31/04 光起電変換装置として使用されるもの H01S 5/343 Ａ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ族化合物におけるもの，例．ＡｌＧａＡｓレーザ
指定国	AE(UTILITY MODEL),AG,AL(UTILITY MODEL),AM(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),AO(UTILITY MODEL),AT(UTILITY MODEL),AU,AZ(UTILITY MODEL),BA,BB,BG(UTILITY MODEL),BH(UTILITY MODEL),BR(UTILITY MODEL),BW,BY(UTILITY MODEL),BZ(UTILITY MODEL),CA,CH,CL(UTILITY MODEL),CN(UTILITY MODEL),CO(UTILITY MODEL),CR(UTILITY MODEL),CU(INVENTOR'S CERTIFICATE),CZ(UTILITY MODEL),DE(UTILITY MODEL),DK(UTILITY MODEL),DM,DO(UTILITY MODEL),DZ,EC(UTILITY MODEL),EE(UTILITY MODEL),EG(UTILITY MODEL),ES(UTILITY MODEL),FI(UTILITY MODEL),GB,GD,GE(UTILITY MODEL),GH(UTILITY CERTIFICATE),GM,GT(UTILITY MODEL),HN(UTILITY MODEL),HR(CONSENSUAL PATENT),HU(UTILITY MODEL),ID,IL,IN,IS,JP(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),KG(UTILITY MODEL),KM,KN,KP(INVENTOR'S CERTIFICATE)(UTILITY MODEL),KR(UTILITY MODEL),KZ(PROVISIONAL PATENT)(UTILITY MODEL),LA,LC,LK,LR,LS(UTILITY MODEL),LT,LU,LY,MA,MD(UTILITY MODEL),ME,MG,MK,MN,MW,MX(UTILITY MODEL),MY(UTILITY-INNOVATION),MZ(UTILITY MODEL),NA,NG,NI(UTILITY MODEL),NO,NZ,OM(UTILITY MODEL),PE(UTILITY MODEL),PG,PH(UTILITY MODEL),PL(UTILITY MODEL),PT(UTILITY MODEL),RO,RS(PETTY PATENT),RU(UTILITY MODEL),SC,SD,SE,SG,SK(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SM,ST,SV(UTILITY MODEL),SY,TH(PETTY PATENT),TJ(UTILITY MODEL),TM(PROVISIONAL PATENT),TN,TR(UTILITY MODEL),TT(UTILITY CERTIFICATE),TZ,UA(UTILITY MODEL),UG(UTILITY CERTIFICATE),US,UZ(UTILITY MODEL),VC(UTILITY CERTIFICATE),VN(PATENT FOR UTILITY SOLUTION),ZA,ZM,ZW,EP(AL,AT,BE,BG,CH,CY,CZ,DE,DK,EE,ES,FI,FR,GB,GR,HR,HU,IE,IS,IT,LT,LU,LV,MC,MK,MT,NL,NO,PL,PT,RO,RS,SE,SI,SK,SM,TR),OA(BF(UTILITY MODEL),BJ(UTILITY MODEL),CF(UTILITY MODEL),CG(UTILITY MODEL),CI(UTILITY MODEL),CM(UTILITY MODEL),GA(UTILITY MODEL),GN(UTILITY MODEL),GQ(UTILITY MODEL),GW(UTILITY MODEL),ML(UTILITY MODEL),MR(UTILITY MODEL),NE(UTILITY MODEL),SN(UTILITY MODEL),TD(UTILITY MODEL),TG(UTILITY MODEL)),AP(BW(UTILITY MODEL),GH(UTILITY MODEL),GM(UTILITY MODEL),KE(UTILITY MODEL),LR(UTILITY MODEL),LS(UTILITY MODEL),MW(UTILITY MODEL),MZ(UTILITY MODEL),NA(UTILITY MODEL),SD(UTILITY MODEL),SL(UTILITY MODEL),SZ(UTILITY MODEL),TZ(UTILITY MODEL),UG(UTILITY MODEL),ZM(UTILITY MODEL),ZW(UTILITY MODEL)),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM)

日本語項目の表示

発明の名称	光電変換装置及びその特性検査方法
発明の概要	結晶欠陥による特性劣化を抑制する光電変換装置、および光電変換装置に内在する結晶欠陥の検出方法を提供する。そのため、本発明に係る光電変換装置は、光電変換部と、前記光電変換部に含まれる転位不活性部と、を備える。

『 PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND CHARACTERISTIC INSPECTION METHOD FOR SAME 』に関するお問合せ

国立大学法人千葉大学学術研究推進機構産業連携研究推進ステーション知財管理移転室
URL: http://www.chiba-u.ac.jp/
E-mail:
Address: 〒263-8522 千葉県千葉市稲毛区弥生町１－３３
TEL: 043-290-2920
FAX: 043-290-3519

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関連情報

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公報	WO 2011/111853(PDF,350KB)