Growth of planar non-polar (1-100) m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
| 外国特許コード | F120007056 |
|---|---|
| 整理番号 | E06714KR-D1 |
| 掲載日 | 2012年11月22日 |
| 出願国 | 大韓民国 |
| 出願番号 | 20127010536 |
| 公報番号 | 20120064713 |
| 公報番号 | 101499203 |
| 出願日 | 平成18年5月31日(2006.5.31) |
| 公報発行日 | 平成24年6月19日(2012.6.19) |
| 公報発行日 | 平成27年3月18日(2015.3.18) |
| 国際出願番号 | US2006020995 |
| 国際公開番号 | WO2006130622 |
| 国際出願日 | 平成18年5月31日(2006.5.31) |
| 国際公開日 | 平成18年12月7日(2006.12.7) |
| 優先権データ |
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| 発明の名称 （英語） |
Growth of planar non-polar (1-100) m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
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| 発明の概要（英語） |
A method of growing planar non-polar m-plane III-Nitride material, such as an m-plane gallium nitride (GaN) epitaxial layer, wherein the III-Nitride material is grown on a suitable substrate, such as an m-plane silicon carbide (m-SiC) substrate, using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The method includes performing a solvent clean and acid dip of the substrate to remove oxide from the surface, annealing the substrate, growing a nucleation layer such as an aluminum nitride (AlN) on the annealed substrate, and growing the non-polar m-plane III-Nitride epitaxial layer on the nucleation layer using MOCVD. (From US7338828 B2) |
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| 国際特許分類(IPC) |
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| 参考情報 （研究プロジェクト等） | ERATO NAKAMURA Inhomogeneous Crystal AREA |
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