RECTIFYING DEVICE, TRANSISTOR, AND RECTIFYING METHOD
| 外国特許コード | F130007221 |
|---|---|
| 整理番号 | K02819WO |
| 掲載日 | 2013年3月14日 |
| 出願国 | 世界知的所有権機関（ＷＩＰＯ） |
| 国際出願番号 | 2012JP071025 |
| 国際公開番号 | WO 2013/027712 |
| 国際出願日 | 平成24年8月21日(2012.8.21) |
| 国際公開日 | 平成25年2月28日(2013.2.28) |
| 優先権データ |
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| 発明の名称 （英語） | RECTIFYING DEVICE, TRANSISTOR, AND RECTIFYING METHOD |
| 発明の概要（英語） |
A rectifying device comprises: a one-dimensional channel (18) formed of a semiconductor, through which electrons travel an electrode (26) for generating, by applying an electric field to the one-dimensional channel, an effective magnetic field in a direction intersecting with a direction in which the electrons travels, the effective magnetic field being attributable to spin-orbit coupling and acting on the electrons traveling in the one-dimensional channel and an external magnetic field generating unit (38) for generating an external magnetic field in the one-dimensional channel. |
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| 国際特許分類(IPC) |
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| 参考情報 （研究プロジェクト等） | PRESTO Structures and control of interfaces AREA |
日本語項目の表示
| 発明の名称 | 整流装置、トランジスタおよび整流方法 |
|---|---|
| 発明の概要 | 半導体からなり電子が走行する一次元チャネル１８と、前記一次元チャネルに電界を印加することにより、前記一次元チャネルを走行する電子にスピン軌道相互作用に起因する有効磁場を前記電子が走行する方向と交差する方向に生成させる電極２６と、前記一次元チャネルに外部磁場を生成する外部磁場生成部３８と、を具備する整流装置。 |
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