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RECTIFYING DEVICE, TRANSISTOR, AND RECTIFYING METHOD

外国特許コード	F130007221
整理番号	K02819WO
掲載日	2013年3月14日
出願国	世界知的所有権機関（ＷＩＰＯ）
国際出願番号	2012JP071025
国際公開番号	WO 2013/027712
国際出願日	平成24年8月21日(2012.8.21)
国際公開日	平成25年2月28日(2013.2.28)
優先権データ	特願2011-180767 (2011.8.22) JP
発明の名称（英語）	RECTIFYING DEVICE, TRANSISTOR, AND RECTIFYING METHOD
発明の概要（英語）	A rectifying device comprises: a one-dimensional channel (18) formed of a semiconductor, through which electrons travel an electrode (26) for generating, by applying an electric field to the one-dimensional channel, an effective magnetic field in a direction intersecting with a direction in which the electrons travels, the effective magnetic field being attributable to spin-orbit coupling and acting on the electrons traveling in the one-dimensional channel and an external magnetic field generating unit (38) for generating an external magnetic field in the one-dimensional channel.
出願人（英語） ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国	JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY, KOHDA, MAKOTO, NITTA, JUNSAKU, KOBAYASHI, KENSUKE
発明者（英語）	KOHDA, MAKOTO, NITTA, JUNSAKU, KOBAYASHI, KENSUKE
国際特許分類(IPC)	H01L 29/82 装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの H01L 21/8246 リードオンリーメモリ構造（ＲＯＭ） H01L 27/105 電界効果構成部品を含むもの H01L 29/06 半導体本体の形状に特徴のあるもの；半導体領域の形状，相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの H01L 29/66 半導体装置の型
参考情報（研究プロジェクト等）	PRESTO Structures and control of interfaces AREA

日本語項目の表示

発明の名称	整流装置、トランジスタおよび整流方法
発明の概要	半導体からなり電子が走行する一次元チャネル１８と、前記一次元チャネルに電界を印加することにより、前記一次元チャネルを走行する電子にスピン軌道相互作用に起因する有効磁場を前記電子が走行する方向と交差する方向に生成させる電極２６と、前記一次元チャネルに外部磁場を生成する外部磁場生成部３８と、を具備する整流装置。

発明の名称

整流装置、トランジスタおよび整流方法

発明の概要

半導体からなり電子が走行する一次元チャネル１８と、前記一次元チャネルに電界を印加することにより、前記一次元チャネルを走行する電子にスピン軌道相互作用に起因する有効磁場を前記電子が走行する方向と交差する方向に生成させる電極２６と、前記一次元チャネルに外部磁場を生成する外部磁場生成部３８と、を具備する整流装置。

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