THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR
外国特許コード | F130007556 |
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整理番号 | E086P46 |
掲載日 | 2013年7月16日 |
出願国 | 世界知的所有権機関(WIPO) |
国際出願番号 | 2012JP083082 |
国際公開番号 | WO 2013/094688 |
国際出願日 | 平成24年12月20日(2012.12.20) |
国際公開日 | 平成25年6月27日(2013.6.27) |
優先権データ |
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発明の名称 (英語) | THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR |
発明の概要(英語) |
[Problem] To increase the performance of thin film transistors that use an oxide material for a gate dielectric layer, and to simplify and reduce the energy consumption of the process for fabricating such thin film transistors. [Solution] One thin film transistor (100) of the present invention is provided with a first oxide layer (32) (may contain unavoidable impurities) that is configured as follows: being provided between a gate electrode (20) and a channel (52) comprising lanthanum (La) and tantalum (Ta) and that has a surface (32a) that is formed after being exposed, in the form of a precursor layer which has as a starting material a precursor solution comprising a precursor containing lanthanum (La) and a precursor containing tantalum (Ta) as solutes, to hydrochloric acid steam. In addition, in this thin film transistor, the surface (32a) of the first oxide layer (32) is in contact with the channel (52). |
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国際特許分類(IPC) |
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参考情報 (研究プロジェクト等) | ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA |
日本語項目の表示
発明の名称 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法 |
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