SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
| 外国特許コード | F130007743 |
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| 掲載日 | 2013年12月5日 |
| 出願国 | 世界知的所有権機関（ＷＩＰＯ） |
| 国際出願番号 | 2013JP001113 |
| 国際公開番号 | WO 2013/128894 |
| 国際出願日 | 平成25年2月26日(2013.2.26) |
| 国際公開日 | 平成25年9月6日(2013.9.6) |
| 優先権データ |
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| 発明の名称 （英語） | SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT |
| 発明の概要（英語） |
A semiconductor light-emitting element (10) is provided with a GaN layer (13), an InGaN layer (14) directly above the GaN layer (13), and a multiple quantum well layer (15) directly above the InGaN layer (14). Distortion of the InGaN layer (14) due to lattice mismatch with the GaN layer (13) is partially or completely relaxed. |
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| 国際特許分類(IPC) |
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日本語項目の表示
| 発明の名称 | 半導体発光素子 |
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『 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT 』に関するお問合せ
- 国立大学法人山口大学 学術研究部 産学連携課
- URL: http://www.yamaguchi-u.ac.jp
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- Address: 〒755-8611 宇部市常盤台２－１６－１
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