NANODEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
外国特許コード | F130007748 |
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整理番号 | AF12-10WO |
掲載日 | 2013年12月5日 |
出願国 | 世界知的所有権機関(WIPO) |
国際出願番号 | 2013JP055261 |
国際公開番号 | WO 2013/129535 |
国際出願日 | 平成25年2月27日(2013.2.27) |
国際公開日 | 平成25年9月6日(2013.9.6) |
優先権データ |
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発明の名称 (英語) | NANODEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME |
発明の概要(英語) |
Provided are: a nanodevice which is combined with electronic devices such as a diode, a tunnel element and a MOS transistor an integrated circuit and a nanodevice manufacturing method. The nanodevice is provided with: a first insulating layer (2) one electrode (5A) and another electrode (5B) that are provided so as to comprise a nanogap on the first insulating layer (2) a metal nanoparticle (7) or a functional molecule that is placed between the one electrode (5A) and the other electrode (5B) and a second insulating layer (8) that is provided on the first insulating layer (2), the one electrode (5A) and the other electrode (5B), and that buries either the metal nanoparticle (7) or the functional molecule. The second insulating layer (8) functions as a passivation layer. |
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国際特許分類(IPC) |
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参考情報 (研究プロジェクト等) | CREST Establishment of Innovative Manufacturing Technology Based on Nanoscience AREA |
日本語項目の表示
発明の名称 | ナノデバイス及びその製造方法 |
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