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NANODEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

外国特許コード	F130007748
整理番号	AF12-10WO
掲載日	2013年12月5日
出願国	世界知的所有権機関（ＷＩＰＯ）
国際出願番号	2013JP055261
国際公開番号	WO 2013/129535
国際出願日	平成25年2月27日(2013.2.27)
国際公開日	平成25年9月6日(2013.9.6)
優先権データ	特願2012-042588 (2012.2.28) JP
発明の名称（英語）	NANODEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
発明の概要（英語）	Provided are: a nanodevice which is combined with electronic devices such as a diode, a tunnel element and a MOS transistor an integrated circuit and a nanodevice manufacturing method. The nanodevice is provided with: a first insulating layer (2) one electrode (5A) and another electrode (5B) that are provided so as to comprise a nanogap on the first insulating layer (2) a metal nanoparticle (7) or a functional molecule that is placed between the one electrode (5A) and the other electrode (5B) and a second insulating layer (8) that is provided on the first insulating layer (2), the one electrode (5A) and the other electrode (5B), and that buries either the metal nanoparticle (7) or the functional molecule. The second insulating layer (8) functions as a passivation layer.
出願人（英語） ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国	JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY, MAJIMA YUTAKA, TERANISHI TOSHIHARU, MATSUMOTO KAZUHIKO, MAEHASHI KENZO, AZUMA YASUO, OHNO YASUHIDE, MAEDA KOSUKE, GUILLAUME HUBERT FREDERIC HACKENBERGER
発明者（英語）	MAJIMA YUTAKA, TERANISHI TOSHIHARU, MATSUMOTO KAZUHIKO, MAEHASHI KENZO, AZUMA YASUO, OHNO YASUHIDE, MAEDA KOSUKE, GUILLAUME HUBERT FREDERIC HACKENBERGER
国際特許分類(IPC)	H01L 29/786 薄膜トランジスタ H01L 21/336 絶縁ゲートを有するもの H01L 21/8234 ＭＩＳ技術 H01L 27/088 構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの H01L 29/06 半導体本体の形状に特徴のあるもの；半導体領域の形状，相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの H01L 29/66 半導体装置の型 H01L 51/05 整流，増幅，発振またはスイッチングに特に適用されるものであり，少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有するもの；少なくとも１つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器 H01L 51/30 材料の選択
参考情報（研究プロジェクト等）	CREST Establishment of Innovative Manufacturing Technology Based on Nanoscience AREA