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CLUSTER JET PROCESSING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, MICROELECTROMECHANICAL ELEMENT, AND OPTICAL COMPONENT

Foreign code F140007845
File No. 2258
Posted date Feb 25, 2014
Country WIPO
International application number 2009JP064131
International publication number WO 2010021265
Date of international filing Aug 10, 2009
Date of international publication Feb 25, 2010
Priority data
  • P2008-210140 (Aug 18, 2008) JP
Title CLUSTER JET PROCESSING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, MICROELECTROMECHANICAL ELEMENT, AND OPTICAL COMPONENT
Abstract Disclosed is a method for processing a sample with an electrically neutral reactive cluster.  In this method, a mixed gas composed of a reactive gas and a gas having a boiling point lower than the reactive gas is jetted in such a pressure range that does not cause liquefaction of the gas with adiabatical expansion in a predetermined direction to produce a reactive cluster which is jetted against a sample within a vacuum treatment chamber to process the surface of the sample.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
反応性ガスと、反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガスを、液化しない範囲の圧力で噴出部から所定の方向に断熱膨張させながら噴出させ、反応性クラスタを生成し、前記反応性クラスタを真空処理室内の試料に噴射して試料表面を加工する
ことを特徴とするクラスタ噴射式加工方法。
[請求項2]
前記反応性ガスがハロゲン間化合物ガス、又は、ハロゲン化水素ガスであることを特徴とする請求項1に記載のクラスタ噴射式加工方法。
[請求項3]
前記試料が半導体材料又は金属材料であることを特徴とする請求項1又は2に記載のクラスタ噴射式加工方法。
[請求項4]
前記試料表面に、フォトレジスト、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、又は、酸窒化ケイ素膜のいずれか一種以上を用いてパターンを形成し、前記パターンをマスクとして用いて、前記試料を加工することを特徴とする請求項1に記載のクラスタ噴射式加工方法。
[請求項5]
前記試料表面に前記反応性ガスに耐性を持つ金属材料を用いてパターンを形成し、前記パターンをマスクとして用いて前記試料を加工することを特徴とする請求項1に記載のクラスタ噴射式加工方法。
[請求項6]
前記反応性クラスタを前記試料表面に対し、斜めの方向から噴射することで、前記試料を斜めに加工することを特徴とする請求項1に記載のクラスタ噴射式加工方法。
[請求項7]
前記噴出部又は前記試料を移動することにより、前記試料表面を平坦化することを特徴とする請求項6に記載のクラスタ噴射式加工方法。
[請求項8]
前記噴出部又は前記試料を移動することにより、直線・曲線加工及び広面積加工を行うことを特徴とする請求項1に記載のクラスタ噴射式加工方法。
[請求項9]
前記試料に貫通孔を形成することを特徴とする請求項1に記載のクラスタ噴射式加工方法。
[請求項10]
試料表面の自然酸化膜を除去した後に、表面を加工することを特徴とする請求項1に記載のクラスタ噴射式加工方法。
[請求項11]
複数の前記噴出部から前記反応性ガスを同一方向に噴出して前記試料に反応性クラスタを噴出する加工方法、複数の前記噴出部から前記反応性ガスを異なる方向に噴出して前記試料に反応性クラスタを噴出する加工方法、又は、前記複数の噴出部の流量・圧力を同一に若しくは個別に制御して前記試料に反応性クラスタを噴出する加工方法から選ばれる1種類若しくは2種類以上の加工方法を同時に行うことを特徴とする請求項1に記載のクラスタ噴射式加工方法。
[請求項12]
反応性ガスと、前記反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガスを、液化しない範囲の圧力で所定の方向に断熱膨張させながら噴出させ、生成された反応性クラスタの真空処理室内への噴射によりエッチングされた半導体基板を備えていることを特徴とする半導体素子。
[請求項13]
反応性ガスと、前記反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガスを、液化しない範囲の圧力で所定の方向に断熱膨張させながら噴出させ、生成された反応性クラスタの真空処理室内への噴射により加工された基板を備えることを特徴とする微小電子機械素子。
[請求項14]
反応性ガスと、前記反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガスを、液化しない範囲の圧力で所定の方向に断熱膨張させながら噴出させ、生成された反応性クラスタの真空処理室内への噴射により形成された光学パターンを備えることを特徴とする光学部品。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • Iwatani Corporation
  • Kyoto University
  • Inventor
  • KOIKE KUNIHIKO
  • SENOO TAKEHIKO
  • YOSHINO YU
  • AZUMA SHUHEI
  • MATSUO JIRO
  • SEKI TOSHIO
  • NINOMIYA SATOSHI
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PE PG PH PL PT RO RS RU SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM
EPO: AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG
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