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DEVICE FOR MEASURING OXIDATION-REDUCTION POTENTIAL AND METHOD FOR MEASURING OXIDATION-REDUCTION POTENTIAL

Foreign code F140007975
File No. S2012-1005-C0
Posted date Sep 26, 2014
Country WIPO
International application number 2013JP071723
International publication number WO 2014025044
Date of international filing Aug 9, 2013
Date of international publication Feb 13, 2014
Priority data
  • P2012-177909 (Aug 10, 2012) JP
Title DEVICE FOR MEASURING OXIDATION-REDUCTION POTENTIAL AND METHOD FOR MEASURING OXIDATION-REDUCTION POTENTIAL
Abstract Provided is a small-sized device for measuring an oxidation-reduction potential, whereby an oxidation-reduction current and an oxidation-reduction potential can be measured by reducing noise even when a signal from a solution being measured is small. A device for measuring an oxidation-reduction potential is provided with a substrate (10), a working electrode (15) mounted on a surface of the substrate (10), and a bipolar transistor (21) for amplifying the output of the working electrode (15) also provided on the surface of the substrate (10), and the signal amplified by the bipolar transistor (21) is inputted to a processing circuit (18).
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
酸化還元電位の測定装置であって、
基板と、
該基板表面に形成される作用電極と、
前記作用電極の出力を処理する処理回路と、を備え、
前記基板には、前記作用電極の出力を増幅するバイポーラトランジスタが更に備えられる、酸化還元電位の測定装置。
[請求項2]
前記作用電極から前記バイポーラトランジスタへ印加される電流と逆向きの補償電流を前記作用電極に印加する補償回路が更に備えられる、請求項1に記載の測定装置。
[請求項3]
前記補償回路は定電流回路若しくは定電圧回路を含み、前記バイポーラトランジスタの増幅率が一定となるように、前記作用電極から前記バイポーラトランジスタのベースへ印加される電流をシフトさせる請求項2に記載の測定装置。
[請求項4]
前記補償回路は、前記作用電極と前記処理回路との間へ前記バイポーラトランジスタと並列に配置された整流性の半導体素子からなる、請求項2に記載の測定装置。
[請求項5]
前記バイポーラトランジスタの出力を変換して前記作用電極の出力と同形とする、請求項1~4のいずれかに記載の測定装置。
[請求項6]
前記基板に第1の導電型にドープされて前記バイポーラトランジスタのコレクタ領域を構成する第1のドープ領域と、該第1のドープ領域中において第2の導電型にドープされ、前記バイポーラトランジスタのベース領域を構成する第2のドープ領域と、該第2のドープ領域中において前記第1の導電型にドープされ、前記バイポーラトランジスタのエミッタ領域を構成する第3のドープ領域とが形成され、前記作用電極は前記基板表面において表出する前記ベース領域上に積層して形成されている、請求項1~5のいずれかに記載の測定装置。
[請求項7]
基板と、
該基板表面に形成される容器内に設置される作用電極と、
前記作用電極の出力を処理する処理回路と、
前記基板に形成され前記作用電極の出力を増幅するバイポーラトランジスタと、を備える測定装置を用い、
前記容器内において前記作用電極と対向して配置される対向電極に印加される電圧を掃引し、前記作用電極から出力される電流を前記バイポーラトランジスタで増幅して前記処理回路へ印加する、酸化還元電位の測定方法であって、
第1の電位を前記対向電極へ印加したとき前記作用電極から前記バイポーラトランジスタのベースへ出力される電流と逆方向の補償電流が、前記対向電極へ前記第1の電位と異なる第2の電位を印加したときに、流れるようにする、酸化還元電位の測定方法。
[請求項8]
前記作用電極から前記バイポーラトランジスタのベースへ出力される電流へ、前記バイポーラトランジスタの増幅率が一定となるように、シフト電流が加えられる、請求項7に記載の測定方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
  • Inventor
  • FUTAGAWA MASATO
  • SAWADA KAZUAKI
  • TAKAHASHI SOU
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
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