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SEMICONDUCTOR STRUCTURE PROVIDED WITH GERMANIUM-OXIDE-CONTAINING FILM ON TOP OF GERMANIUM LAYER, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

外国特許コード F150008090
整理番号 AF15-04WO
掲載日 2015年1月23日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2013JP061542
国際公開番号 WO 2014030389
国際出願日 平成25年4月18日(2013.4.18)
国際公開日 平成26年2月27日(2014.2.27)
優先権データ
  • 特願2012-185277 (2012.8.24) JP
発明の名称 (英語) SEMICONDUCTOR STRUCTURE PROVIDED WITH GERMANIUM-OXIDE-CONTAINING FILM ON TOP OF GERMANIUM LAYER, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
発明の概要(英語) A semiconductor structure provided with a germanium layer (30) and an insulating film that contains the following: a germanium-oxide-containing film (32) formed on top of the germanium layer; and a high-dielectric-oxide film (34) that is formed on top of the germanium-oxide-containing film and has a higher relative permittivity than silicon oxide. The EOT of the insulating film is less than or equal to 2 nm, and if a voltage relative to the germanium layer of 1 V over the flat-band voltage is applied to an accumulation-region side of a gold metal film formed on top of the insulating film, the leakage current is less than or equal to 10-5×EOT+4 A/cm2.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • TORIUMI AKIRA
  • LEE CHOONG-HYUN
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究 領域
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