Top > Search of International Patents > METHOD FOR PLANARIZING SURFACE OF GERMANIUM LAYER, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

METHOD FOR PLANARIZING SURFACE OF GERMANIUM LAYER, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

Foreign code F150008096
File No. AF15-05WO
Posted date Jan 26, 2015
Country WIPO
International application number 2013JP061543
International publication number WO 2014050187
Date of international filing Apr 18, 2013
Date of international publication Apr 3, 2014
Priority data
  • P2012-217629 (Sep 28, 2012) JP
Title METHOD FOR PLANARIZING SURFACE OF GERMANIUM LAYER, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
Abstract A method for planarizing a surface of a germanium layer, the method including a step in which the surface of a germanium layer is heat-treated in a reducing-gas or inert-gas atmosphere at a temperature of 400-850ºC. Also provided is a process for producing a semiconductor structure, the process comprising a step in which a surface of a germanium layer is heat-treated in a reducing-gas or inert-gas atmosphere at a temperature of 400-850ºC and a step in which a germanium oxide film is formed on the heat-treated surface of the germanium layer. Furthermore provided is a semiconductor structure equipped with a germanium layer, the surface of which has an RMS for a 1 µm × 1 µm area of 0.2 nm or less.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
ゲルマニウム層の表面を還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気中において、400℃以上かつ850℃以下において熱処理する工程を含むことを特徴とするゲルマニウム層の表面の平坦化方法。
[請求項2]
前記ゲルマニウム層は(111)面、(110)面または(100)面が主面であることを特徴とする請求項1記載のゲルマニウム層の表面の平坦化方法。
[請求項3]
前記還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気は、還元性ガス雰囲気または不活性ガスで希釈された還元性ガス雰囲気であることを特徴とする請求項1または2記載のゲルマニウム層の表面の平坦化方法。
[請求項4]
前記還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気は水素ガス雰囲気であることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載のゲルマニウム層の表面の平坦化方法。
[請求項5]
前記熱処理する工程は、前記ゲルマニウム層の表面の1μm×1μm内のRMSを0.3nmより小さく平坦化する工程を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載のゲルマニウム層の表面の平坦化方法。
[請求項6]
前記熱処理する工程は、前記ゲルマニウム層の表面の20μm×20μm内のRMSが0.3nmより小さく平坦化する工程を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載のゲルマニウム層の表面の平坦化方法。
[請求項7]
前記熱処理する工程により、前記ゲルマニウム層の表面に1原子層に相当するステップ・アンド・テラス構造が形成されることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載のゲルマニウム層の表面の平坦化方法。
[請求項8]
前記ゲルマニウム層は単結晶ゲルマニウム基板であることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項記載のゲルマニウム層の表面の平坦化方法。
[請求項9]
前記ゲルマニウム層は単結晶ゲルマニウム基板であることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項記載のゲルマニウム層の表面の平坦化方法。
[請求項10]
ゲルマニウム層の表面を還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気中において、400℃以上かつ850℃以下において熱処理する工程と、
前記熱処理された前記ゲルマニウム層の表面に、酸化ゲルマニウム膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体構造の製造方法。
[請求項11]
前記ゲルマニウム層は(111)面、(110)面または(100)面が主面であることを特徴とする請求項10記載の半導体構造の製造方法。
[請求項12]
前記還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気は、還元性ガス雰囲気または不活性ガスで希釈された還元性ガス雰囲気であることを特徴とする請求項10または11記載の半導体構造の製造方法。
[請求項13]
前記酸化ゲルマニウム層上にゲート金属を形成する工程を含むことを特徴とする請求項10から12のいずれか一項記載の半導体構造の製造方法。
[請求項14]
前記還元性ガスまたは不活性ガス雰囲気は水素ガス雰囲気であることを特徴とする請求項10から13のいずれか一項記載の半導体構造の製造方法。
[請求項15]
前記ゲルマニウム層は単結晶ゲルマニウム基板であることを特徴とする請求項10から14のいずれか一項記載の半導体構造の製造方法。
[請求項16]
表面の1μm×1μm内のRMSが0.2nm以下であるゲルマニウム層を具備することを特徴とする半導体構造。
[請求項17]
前記ゲルマニウム層は(111)面、(110)面または(100)面が主面であることを特徴とする請求項16記載の半導体構造。
[請求項18]
前記ゲルマニウム層は単結晶ゲルマニウム基板であることを特徴とする請求項16または17記載の半導体構造。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • Inventor
  • TORIUMI AKIRA
  • NISHIMURA TOMONORI
IPC(International Patent Classification)
Reference ( R and D project ) CREST Research of Innovative Material and Process for Creation of Next-generation Electronics Devices AREA
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close