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OXIDE LAYER AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE LAYER, AS WELL AS CAPACITOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM PROVIDED WITH OXIDE LAYER

Foreign code F150008153
File No. E086P55WO
Posted date Mar 17, 2015
Country WIPO
International application number 2014JP050006
International publication number WO 2014136463
Date of international filing Jan 6, 2014
Date of international publication Sep 12, 2014
Priority data
  • P2013-046550 (Mar 8, 2013) JP
Title OXIDE LAYER AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE LAYER, AS WELL AS CAPACITOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM PROVIDED WITH OXIDE LAYER
Abstract One oxide layer (30) of the present invention is provided with an oxide layer comprising bismuth (Bi) and niobium (Nb) (and which may include unavoidable impurities). In addition, the oxide layer (30) has a crystal phase with a pyrochlore crystal structure. As a result, it is possible to obtain an oxide layer (30) which includes an oxide comprising bismuth (Bi) and niobium (Nb) and has a high permittivity which could not be obtained with conventional methods.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物層(不可避不純物を含み得る)を備え、
前記酸化物層がパイロクロア型結晶構造の結晶相を有する、
酸化物層。
[請求項2]
前記酸化物層の平面視において、前記パイロクロア型結晶構造の結晶相が粒状又は島状に分布する、
請求項1に記載の酸化物層。
[請求項3]
前記パイロクロア型結晶構造が、(Bi1.5Zn0.5)(Zn0.5Nb1.5)O7と同一又は略同じ構造である、
請求項1又は請求項2に記載の酸化物層。
[請求項4]
前記酸化物層が、さらにアモルファス相を有する、
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の酸化物層。
[請求項5]
前記酸化物層の炭素含有率が、1.5atm%以下である、
請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の酸化物層。
[請求項6]
請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の酸化物層を備える、
キャパシタ。
[請求項7]
請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の酸化物層を備える、
半導体装置。
[請求項8]
請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の酸化物層を備える、
微小電気機械システム。
[請求項9]
ビスマス(Bi)を含む前駆体及びニオブ(Nb)を含む前駆体を溶質とする前駆体溶液を出発材とする前駆体層を、酸素含有雰囲気中において520℃以上600℃未満で加熱することにより、前記ビスマス(Bi)と前記ニオブ(Nb)からなる、パイロクロア型結晶構造の結晶相を有する酸化物層(不可避不純物を含み得る)を形成する工程を含む、
酸化物層の製造方法。
[請求項10]
前記酸化物層を形成する工程において、前記酸化物層の平面視において、前記パイロクロア型結晶構造の結晶相を粒状又は島状に分布するように形成する、
請求項9に記載の酸化物層の製造方法。
[請求項11]
前記酸化物層を形成する前に、酸素含有雰囲気中において80℃以上300℃以下で前記前駆体層を加熱した状態で型押し加工を施すことによって、前記前駆体層の型押し構造が形成されている、
請求項9又は請求項10に記載の酸化物層の製造方法。
[請求項12]
1MPa以上20MPa以下の範囲内の圧力で前記型押し加工を施す、
請求項9乃至請求項11のいずれか1項に記載の酸化物層の製造方法。
[請求項13]
予め、80℃以上300℃以下の範囲内の温度に加熱した型を用いて前記型押し加工を施す、
請求項9乃至請求項12のいずれか1項に記載の酸化物層の製造方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • Inventor
  • SHIMODA TATSUYA
  • TOKUMITSU EISUKE
  • ONOUE MASATOSHI
  • MIYASAKO TAKAAKI
IPC(International Patent Classification)
Reference ( R and D project ) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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