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TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SWITCH ELEMENT 新技術説明会

外国特許コード F150008158
整理番号 K10101WO
掲載日 2015年3月17日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2014JP004175
国際公開番号 WO 2015022777
国際出願日 平成26年8月12日(2014.8.12)
国際公開日 平成27年2月19日(2015.2.19)
優先権データ
  • 特願2013-168048 (2013.8.13) JP
発明の名称 (英語) TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SWITCH ELEMENT 新技術説明会
発明の概要(英語) A tunnel field-effect transistor (TFET) is configured by disposing a III-V compound semiconductor nano wire on a (111) plane of a IV semiconductor substrate exhibiting p-type conductivity, and arbitrarily disposing electrodes of a source, drain and gate. Alternatively, the tunnel field-effect transistor is configured by disposing a III-V compound semiconductor nano wire on a (111) plane of a IV semiconductor substrate exhibiting n-type conductivity, and arbitrarily disposing electrodes of a source, drain and gate. The nano wire is configured from a first region and a second region. For instance, the first region is intermittently doped with a p-type dopant, and the second region is doped with an n-type dopant.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • HOKKAIDO UNIVERSITY
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • FUKUI TAKASHI
  • TOMIOKA KATSUHIRO
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Phase Interfaces for Highly Efficient Energy Utilization AREA
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