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METHOD FOR SELECTING DOPANT, DOPANT COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING CARBON-NANOTUBE/DOPANT COMPOSITE, SHEET-FORM MATERIAL, AND CARBON-NANOTUBE/DOPANT COMPOSITE

Foreign code F150008192
Posted date Mar 23, 2015
Country WIPO
International application number 2014JP054733
International publication number WO 2014133029
Date of international filing Feb 26, 2014
Date of international publication Sep 4, 2014
Priority data
  • P2013-039927 (Feb 28, 2013) JP
Title METHOD FOR SELECTING DOPANT, DOPANT COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING CARBON-NANOTUBE/DOPANT COMPOSITE, SHEET-FORM MATERIAL, AND CARBON-NANOTUBE/DOPANT COMPOSITE
Abstract The present invention provides a highly reliable method for selecting a dopant. This method for selecting a dopant by varying the Seebeck coefficient of a carbon nanotube comprises a step of selecting substance (a) or (b), where (a) is a Lewis acid containing an element from Group 13 or 15 of the periodic table, and having the molecular structure of a π-electron-conjugated system, and (b) is a Lewis base containing an element from Group 15 of the periodic table, and having a π-electron-conjugated molecular structure.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
カーボンナノチューブのゼーベック係数を変化させるドーパントの選択方法であって、
上記ドーパントとして、以下の(a)または(b)の物質を選択する工程を含んでいることを特徴とする方法:
(a)周期表第13族元素または周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス酸;
(b)周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス塩基。
[請求項2]
上記周期表第13族元素は、ホウ素元素であることを特徴とする、請求項1に記載の選択方法。
[請求項3]
上記周期表第15族元素は、窒素元素またはリン元素であることを特徴とする、請求項1または2に記載の選択方法。
[請求項4]
上記π電子共役系の分子構造は、芳香環、炭素-炭素二重結合、炭素-酸素二重結合および複素芳香環よりなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載の選択方法。
[請求項5]
請求項1から4のいずれか1項に記載のドーパントの選択方法によって選択されたドーパントと、カーボンナノチューブとを接触させる接触工程を包含していることを特徴とするカーボンナノチューブ-ドーパント複合体の製造方法。
[請求項6]
上記接触工程では、均質化装置を用いて上記カーボンナノチューブを液中に分散させながら、上記カーボンナノチューブと上記ドーパントとを接触させることを特徴とする、請求項5に記載のカーボンナノチューブ-ドーパント複合体の製造方法。
[請求項7]
上記均質化装置は、ホモジナイザーまたは超音波ホモジナイザーであることを特徴とする、請求項6に記載のカーボンナノチューブ-ドーパント複合体の製造方法。
[請求項8]
上記接触工程を経たカーボンナノチューブをシート状に成型し、シート状のカーボンナノチューブ-ドーパント複合体を得る成型工程をさらに包含していることを特徴とする、請求項5から7のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブ-ドーパント複合体の製造方法。
[請求項9]
上記カーボンナノチューブは、p型導電性またはn型導電性を有しているものであることを特徴とする、請求項5から8のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブ-ドーパント複合体の製造方法。
[請求項10]
請求項8または9に記載のカーボンナノチューブ-ドーパント複合体の製造方法によって製造されたことを特徴とするシート状材料。
[請求項11]
カーボンナノチューブのゼーベック係数を変化させるためのドーパントであって、
請求項1から4のいずれか1項に記載のドーパントの選択方法によって選択されたことを特徴とするドーパント。
[請求項12]
上記ドーパントは、周期表第13族元素または周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス酸であることを特徴とする、請求項11に記載のドーパント。
[請求項13]
カーボンナノチューブのゼーベック係数を変化させるためのドーパント組成物であって、
少なくとも、請求項11または12に記載のドーパントを含んでいることを特徴とするドーパント組成物。
[請求項14]
請求項1から4のいずれか1項に記載のドーパントの選択方法によって選択されたドーパントと、カーボンナノチューブとを含有していることを特徴とするカーボンナノチューブ-ドーパント複合体。
[請求項15]
上記ドーパントは、周期表第13族元素または周期表第15族元素を含み、且つπ電子共役系の分子構造を有するルイス酸であることを特徴とする、請求項14に記載のカーボンナノチューブ-ドーパント複合体。
[請求項16]
カーボンナノチューブ-ドーパント複合体の製造方法であって、
ドーパントと、カーボンナノチューブとを液中で接触させる接触工程を包含しており、
上記ドーパントは、上記カーボンナノチューブの伝導帯端の準位をαeVとした場合に(α-1)eV以上(α+0.5)eV以下の範囲のHOMO準位を有するドーパントであり、
上記接触工程では、上記カーボンナノチューブを液中にせん断分散させながら、上記カーボンナノチューブと上記ドーパントとを接触させることを特徴とするカーボンナノチューブ-ドーパント複合体の製造方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
  • Inventor
  • NONOGUCHI YOSHIYUKI
  • KAWAI TSUYOSHI
  • OHASHI KENJI
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
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