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POROUS SUBSTRATE ELECTRODE BODY AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Foreign code F150008259
Posted date Mar 27, 2015
Country WIPO
International application number 2014JP058947
International publication number WO 2014157550
Date of international filing Mar 27, 2014
Date of international publication Oct 2, 2014
Priority data
  • P2013-070450 (Mar 28, 2013) JP
Title POROUS SUBSTRATE ELECTRODE BODY AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Abstract One purpose of the present invention is to provide an electrode body which uses a hydrogel as a substrate and is capable of generating a high voltage. Another purpose of the present invention is to provide an electrode body which is free from disconnection of wiring even if the hydrogel is deformed. The above-mentioned purposes can be achieved by a porous substrate electrode body which is obtained by bonding an electrode to a porous body by means of a conductive polymer adhesive layer, and which is characterized in that the electrode is selected from the group consisting of metal electrodes, stretchable electrodes and carbon electrodes.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
電極が、多孔質体に導電性高分子接着層によって接着している多孔質基板電極体。
[請求項2]
前記電極が、金属電極、伸縮性電極、カーボン電極及びそれらの複合材料電極からなる群から選択される1つ以上であることを特徴とする多孔質基板電極体。
[請求項3]
前記電極が、金、グラファイト、又は導電性ウレタンである、請求項1又は2に記載の多孔質基板電極体。
[請求項4]
電極が多孔質体上への配設、又は多孔質体内への埋設によって、接着している請求項1~3のいずれか一項に記載の多孔質基板電極体。
[請求項5]
前記電極の表面に、更に導電性高分子重合層を有する請求項1~4のいずれか一項に記載の多孔質基板電極体。
[請求項6]
前記導電性高分子が、ポリ(3,4エチレンジオキシチオフェン)、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリビチオフェン、ポリイソチオフェン、ポリドデシルチオフェン、ポリイソナイトチオフェン、ポリ-3-ヘキシルチオフェン、ポリアニオン、ポリイソチアナフテン、ポリチアジル、ポリフェニレン、ポリフルオレン、ポリジアセチレン、ポリアセン、ポリパラフェニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリフェニレスルフィドからなる群から選択される1つ以上の導電性高分子である、請求項1~5のいずれか一項に記載の多孔質基板電極体。
[請求項7]
前記多孔質体がゲルである請求項1~6のいずれか一項に記載の多孔質基板電極体。
[請求項8]
前記多孔質体がハイドロゲルである請求項1~7のいずれか一項に記載の多孔質基板電極体。
[請求項9]
前記多孔質体が、アガロースゲル、コラーゲンゲル、グルコマンナンゲル、ポリアクリルアミドゲル、ポリアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、フィブリンゲル、ポリビニルアルコールゲル、ポリヒドロキシエチルメタクリレートゲル、シリコーンハイドロゲル、ポリビニルピロリドンゲル、ポリエチレングリコールゲル、ポリ2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸ゲル、アルギン酸ゲル、カラギーナンゲル、キトサンゲル、ポリNイソプロピルアクリルアミドゲル、アクリル酸ゲル、ポリスチレンスルホン酸ゲル、及びそれらの2つ以上の複合ゲルからなる群から選択される1つ以上の多孔質体である、請求項1~8のいずれか一項に記載の多孔質基板電極体。
[請求項10]
乾燥及び/又は滅菌された請求項1~9のいずれか一項に記載の多孔質基板電極体。
[請求項11]
エレクトロポレーション用である、請求項1~10のいずれか一項に記載の多孔質基板電極体。
[請求項12]
(1)電極形成用基材に、電極を形成する工程、
(2)電極形成用基材に形成された電極に接触するように、多孔質体を形成する工程、
(3)導電性高分子モノマーを含む電解質液中で電解重合を行い、電極から多孔質体中に導電性高分子接着層を形成させることによって、電極と多孔質体とを接着する工程、
(4)電極形成用基材と、電極とを剥離する工程、
を含む多孔質基板電極体の製造方法。
[請求項13]
(5)電極の表面に、導電性高分子のモノマーを含む電解質液を接触させ、電解重合により、前記電極面に導電性高分子重合層を形成する工程、を更に含む請求項12に記載の多孔質基板電極体の製造方法。
[請求項14]
前記電極形成用基材がガラス板であり、そして電極が金属電極、伸縮性電極、及びカーボン電極からなる群から選択される1つ以上である、請求項12又は13に記載の多孔質基板電極体の製造方法。
[請求項15]
前記電極形成用基材がガラス板であり、そして電極が金、グラファイト、又は導電性ウレタンである、請求項12~14のいずれか一項に記載の多孔質基板電極体の製造方法。
[請求項16]
前記電極形成工程(1)が、棒状の電極形成用基材の側周面に、電極を形成する工程であり、
前記多孔質体の形成工程(2)が、前記電極が形成された棒状の電極形成用基材の周囲に多孔質体を形成する工程、または前記電極が形成された棒状の電極形成用基材を多孔質体に挿入する工程である、請求項12~15のいずれか一項に記載の多孔質基板電極体の製造方法。
[請求項17]
前記導電性高分子のモノマーが、3,4エチレンジオキシチオフェン、アセチレン、ピロール、チオフェン、ビチオフェン、イソチオフェン、ドデシルチオフェン、イソナイトチオフェン、3-ヘキシルチオフェン、アニオン、イソチアナフテン、チアジル、フェニレン、フルオレン、ジアセチレン、アセン、パラフェニレン、チエニレンビニレン、及びフェニレスルフィドからなる群から選択される1つ以上のモノマーである、請求項12~16のいずれか一項に記載の多孔質基板電極体の製造方法。
[請求項18]
前記多孔質体が、アガロースゲル、コラーゲンゲル、グルコマンナンゲル、ポリアクリルアミドゲル、ポリアクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸、フィブリンゲル、ポリビニルアルコールゲル、ポリヒドロキシエチルメタクリレートゲル、シリコーンハイドロゲル、ポリビニルピロリドンゲル、ポリエチレングリコールゲル、ポリ2-アクリルアミド-2-メチルプロパンスルホン酸ゲル、アルギン酸ゲル、カラギーナンゲル、キトサンゲル、ポリNイソプロピルアクリルアミドゲル、アクリル酸ゲル、ポリスチレンスルホン酸ゲル、及びそれらの2つ以上の複合ゲルからなる群から選択される1つ以上の多孔質体である、請求項12~17のいずれか一項に記載の多孔質基板電極体の製造方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • TOHOKU UNIVERSITY
  • Inventor
  • NISHIZAWA MATSUHIKO
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
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