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METHOD FOR TREATING SURFACE OF SILICON-CARBIDE SUBSTRATE

Foreign code F150008271
File No. KG0120-WO01
Posted date Apr 2, 2015
Country WIPO
International application number 2014JP003049
International publication number WO 2014199615
Date of international filing Jun 6, 2014
Date of international publication Dec 18, 2014
Priority data
  • P2013-125020 (Jun 13, 2013) JP
Title METHOD FOR TREATING SURFACE OF SILICON-CARBIDE SUBSTRATE
Abstract This method for treating the surface of a silicon-carbide substrate includes a first removal step in which a modified layer produced by subjecting the substrate (70) to mechanical polishing or chemical-mechanical polishing is removed by heating the substrate (70) in the presence of silicon vapor pressure. A second removal step in which macro-step bunching produced in an epitaxial layer (71) is removed by heating the substrate (70) in the presence of silicon vapor pressure may also be performed. The etching rate can be varied, and as such, the abovementioned modified layer can be removed quickly by using a high etching rate in the first removal step. Meanwhile, excessive removal of the epitaxial layer (71) can be prevented by using a comparatively low etching rate in the second removal step.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
少なくとも表面がSiC(0001)面で構成されるとともにオフ角を有する基板の表面処理方法において、
前記基板に機械的研磨や化学機械研磨を行うことで生じた変質層を、当該基板をSi蒸気圧下で加熱することで除去する第1除去工程を行うことを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
[請求項2]
請求項1に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
前記第1除去工程では、温度範囲が1800℃以上2200℃以下であって、Siの圧力が10-2Pa以上で加熱することを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
[請求項3]
請求項1に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
化学気相蒸着法を用いて前記基板の表面に形成されたエピタキシャル層に生じたマクロステップバンチングを、当該基板をSi蒸気圧下で加熱することで除去する第2除去工程を行うことを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
[請求項4]
請求項3に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
前記第2除去工程は、前記第1除去工程よりもエッチング速度が遅いことを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
[請求項5]
請求項3に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
前記第2除去工程では、温度範囲が1600℃以上2000℃以下であって、Siの圧力が10-3Pa以下で加熱することを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
[請求項6]
請求項3に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
Siの圧力、加熱温度、及びエッチング速度を含んで構成される加熱条件と、マクロステップバンチングの発生の有無と、の関係性を考慮して、前記第1除去工程及び前記第2除去工程のうち少なくとも何れかにおける前記加熱条件が決定されることを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
[請求項7]
請求項6に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
前記基板のオフ角を更に考慮して、前記加熱条件が決定されることを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
[請求項8]
請求項1に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
前記基板の表面は、<11-20>方向のオフ角が4度以下の面であることを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
[請求項9]
請求項1に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
前記基板の表面は、<1-100>方向のオフ角が4度以下の面であることを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
[請求項10]
請求項1に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
前記基板の表面が、SiC分子の積層方向の1周期分であるフルユニットの高さ又は半周期分であるハーフユニットの高さからなるステップで終端していることを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION
  • Inventor
  • KANEKO TADAAKI
  • OHTANI NOBORU
  • HAGIWARA KENTA
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
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