Top > Search of International Patents > DISCHARGE OCCURRENCE STATUS EVALUATION DEVICE AND EVALUATION METHOD

DISCHARGE OCCURRENCE STATUS EVALUATION DEVICE AND EVALUATION METHOD meetings

Foreign code F150008317
File No. S2013-0320-C0
Posted date Apr 15, 2015
Country WIPO
International application number 2013JP082668
International publication number WO 2014174719
Date of international filing Dec 5, 2013
Date of international publication Oct 30, 2014
Priority data
  • P2013-090307 (Apr 23, 2013) JP
Title DISCHARGE OCCURRENCE STATUS EVALUATION DEVICE AND EVALUATION METHOD meetings
Abstract The present invention evaluates a discharge or dielectric-breakdown status that occurs as a result of applying an impulse voltage or current to a test sample using an electrostatic discharge tester. An electromagnetic wave antenna measures the radiated-electromagnetic-wave signals generated by the electrostatic discharge tester and the test sample when the electrostatic discharge tester is driven and when discharge or dielectric-breakdown occurs. An evaluation unit main body acquires and displays the time (TFO) after the application of voltage at which dielectric breakdown occurred, which is determined from the time difference between the applied voltage generation time determined from the radiated-electromagnetic-wave signal generated when the electrostatic discharge tester was driven and the discharge occurrence time determined from the radiated-electromagnetic-wave signal generated when dielectric breakdown occurred, and the dielectric breakdown voltage (VFO).
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
静電気放電試験器より試験サンプルにインパルス電圧又は電流を印加することにより発生した放電又は絶縁破壊状況を評価する放電発生状況評価装置において、
静電気放電試験器駆動時および放電又は絶縁破壊発生時にそれぞれ前記静電気放電試験器と試験サンプルより発生する放射電磁波信号を計測する電磁波アンテナと、
前記静電気放電試験器駆動時に発生した放射電磁波信号より求めた印加電圧発生時刻と、放電又は絶縁破壊発生時に発生した放射電磁波信号から求めた放電発生時刻との時間差から求めた電圧印加後の絶縁破壊発生タイミングTFO、及びその時刻に基づき推定された絶縁破壊電圧VFOを取得し、かつ表示する評価部本体と、
を備えることから成る放電発生状況評価装置。
[請求項2]
さらに、放電又は絶縁破壊発生時に発生した発光信号を取得する光センサを備えた請求項1に記載の放電発生状況評価装置。
[請求項3]
前記光センサを少なくとも2つ備え、かつ、前記光センサにそれぞれ長さの異なる複数本の光ファイバを取り付けて構成した光センサシステムの少なくとも2つを、異なる方向に配置して、前記光ファイバの受光端部側を測定対象の各分割部位に対向配置したことと複数本の光ファイバの長さの相違に基づき、さらに、前記放射電磁波信号に基づいて、複数箇所での発生場所とその発生タイミングを共に特定する請求項2に記載の放電発生状況評価装置。
[請求項4]
前記静電気放電試験器に入力した試験条件と試験回路の電気回路的条件を前記評価部本体に送って、試験サンプルに印加されるインパルス電圧波形を推定するシミュレーションを行ない、かつ、このインパルス電圧波形のピーク値の前の波頭で絶縁破壊が発生した場合は瞬時値を、また、ピーク値の後の波尾で発生した場合はピーク値を、それぞれ前記絶縁破壊電圧VFOとして取得する請求項1に記載の放電発生状況評価装置。
[請求項5]
前記評価部本体は、推定されたインパルス電圧波形に重乗して、前記絶縁破壊発生タイミングTFO、及び前記絶縁破壊電圧VFOを表示する請求項4に記載の放電発生状況評価装置。
[請求項6]
さらに、試験サンプル上の発光画像を撮影する画像カメラを備え、かつ、前記評価部本体は、この取得した発光画像を表示する請求項1に記載の放電発生状況評価装置。
[請求項7]
静電気放電試験器より試験サンプルにインパルス電圧を印加することにより発生した放電又は絶縁破壊状況を評価する放電発生状況評価方法において、
静電気放電試験器に対して、試験条件を入力し、
前記試験条件に基づき前記静電気放電試験器より、試験サンプルに対して、絶縁破壊を発生させるインパルス電圧を印加し、
静電気放電試験器駆動時および放電又は絶縁破壊発生時にそれぞれ発生する放射電磁波信号を取得し、
前記静電気放電試験器駆動時に発生した放射電磁波信号より求めた印加電圧発生時刻と、放電又は絶縁破壊発生時に発生した放射電磁波信号から求めた放電発生時刻との時間差から求めた電圧印加後の絶縁破壊発生タイミングTFO、及び絶縁破壊電圧VFOを取得して、表示することから成る放電発生状況評価方法。
[請求項8]
前記放射電磁波信号の取得と同時に、放電又は絶縁破壊発生時に発生する発光信号を光センサで取得する請求項7に記載の放電発生状況評価方法。
[請求項9]
前記光センサを少なくとも2つ備え、かつ、前記光センサにそれぞれ長さの異なる複数本の光ファイバを取り付けて構成した光センサシステムを、少なくとも2つ異なる方向に配置して、前記光ファイバの発光信号検出端側を測定対象の各分割部位に対向配置したことと複数本の光ファイバの長さの相違に基づき、さらに、前記放射電磁波信号に基づいて、複数箇所での発生場所とその発生タイミングを共に特定する請求項8に記載の放電発生状況評価方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY
  • Inventor
  • OHTSUKA SHINYA
  • TSUBOI KOTARO
  • IWAI SHO
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close