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ELECTRICALLY CONDUCTIVE STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Foreign code F150008355
File No. E097P08WO
Posted date Jun 24, 2015
Country WIPO
International application number 2014JP071726
International publication number WO 2015029848
Date of international filing Aug 20, 2014
Date of international publication Mar 5, 2015
Priority data
  • P2013-175028 (Aug 26, 2013) JP
Title ELECTRICALLY CONDUCTIVE STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
Abstract The objective of the present invention is to provide: an electrically conductive structure that is able to increase conveyance efficiency and is able to increase the photovoltaic power of, for example, an organic thin film solar cell in a method for forming a plurality of conductive organic structures at a predetermined spacing; and a method for producing the electrically conductive structure. Prepared is an electrically conductive structure characterized by having a substrate and a plurality of conductive organic structures formed at a predetermined spacing on the substrate, the top of the conductive organic structures having a curved-surface shape.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
基材と、
該基材上に所定の間隔をあけて形成されている複数の導電性有機構造体と
を有し、該導電性有機構造体は、上部が曲面状であることを特徴とする導電構造物。
[請求項2]
前記導電性有機構造体の9/10高さにおける幅W1と、
前記導電性有機構造体の1/10高さにおける幅W2とは、下記(1)式を満たす請求項1に記載の導電構造物。
W1/W2<1 ・・・ (1)
[請求項3]
前記導電性有機構造体の1/2高さにおける幅W3と、
前記導電性有機構造体の高さHとは、下記(2)式を満たす請求項1または2に記載の導電構造物。
H/W3>2 ・・・ (2)
[請求項4]
前記基材が導電性を有する第1電極であり、
前記導電性有機構造体が第1導電型の半導体であり、
前記基材および前記導電性有機構造体を覆うように形成されている第2導電型の半導体層と、
該第2導電型の半導体層上に形成されている第2電極と
をさらに有する請求項1~3のいずれかに記載の導電構造物。
[請求項5]
前記基材が第1導電型の半導体層であり、
前記導電性有機構造体が第1導電型の半導体であり、
前記基材の下に形成されている導電性を有する第1電極と、
前記基材および前記導電性有機構造体を覆うように形成されている第2導電型の半導体層と、
該第2導電型の半導体層上に形成されている第2電極と
をさらに有する請求項1~3のいずれかに記載の導電構造物。
[請求項6]
前記第2導電型の半導体層が、導電性有機材料である請求項4または5に記載の導電構造物。
[請求項7]
有機薄膜太陽電池に用いられる請求項4~6のいずれかに記載の導電構造物。
[請求項8]
前記第1導電型の導電性有機構造体と、前記第2導電型の半導体層との間に、これらよりも電気伝導度の低い半導体層が形成されている請求項4~7のいずれかに記載の導電構造物。
[請求項9]
前記導電性有機構造体が前記基材に平行な方向に延在している壁状物を一部に含むものである請求項1~8のいずれかに記載の導電構造物。
[請求項10]
前記導電性有機構造体は、p型導電性高分子で構成されているものである請求項1~9のいずれかに記載の導電構造物。
[請求項11]
前記p型導電性高分子を形成するモノマーが、チオフェン、ピロール、アニリン、フェニレンスルフィド、およびそれらの誘導体からなる群より選択される少なくとも1種である請求項10に記載の導電構造物。
[請求項12]
前記チオフェンおよびその誘導体は、3-ヘキシルチオフェン、3-オクチルチオフェン、および3,3-エチレンジオキシチオフェンからなる群より選択される少なくとも一種である請求項11記載の導電構造物。
[請求項13]
前記p型導電性高分子は、10量体以上の重合体を含む請求項10~12のいずれかに記載の導電構造物。
[請求項14]
前記p型導電性高分子は、レジオレギュラー構造を含むものである請求項10~13のいずれかに記載の導電構造物。
[請求項15]
基材上に、モノマーを含む有機物層を形成する工程と、
該有機物層が大気圧下にある状態で、該有機物層中の複数の位置に集束放射線を照射する工程と
を含むことを特徴とする導電構造物の製造方法。
[請求項16]
集束放射線を照射する工程において、
前記基材の上側を大気圧とし、前記基材の下側を真空状態とし、集束放射線は、前記基材を介して下側から前記有機物層に照射させる請求項15に記載の導電構造物の製造方法。
[請求項17]
集束放射線を照射する工程において、前記集束放射線のスポット位置を、前記基材と前記有機物層とが接する面に合わせる請求項15または16に記載の導電構造物の製造方法。
[請求項18]
集束放射線を照射する工程において、前記集束放射線のスポット位置を、前記基材と前記有機物層とが接する面よりも前記有機物層側に合わせる請求項15または16に記載の導電構造物の製造方法。
[請求項19]
前記基材が導電性を有する第1電極であり、
前記有機物層に集束放射線を照射することにより形成される導電性有機構造体が第1導電型の半導体であり、
集束放射線を照射する工程の後に、
集束放射線が照射されなかった部分の前記有機物層を除去する工程と、
前記基材上および前記導電性有機構造体上に、第2導電型の半導体層を形成する工程と、
前記第2導電型の半導体層上に第2電極を形成する工程と
をさらに含む請求項15~18のいずれかに記載の導電構造物の製造方法。
[請求項20]
前記基材の下に導電性を有する第1電極を形成する工程をさらに含み、
前記基材が第1導電型の半導体層であり、
前記有機物層に集束放射線を照射することにより形成される導電性有機構造体が第1導電型の半導体であり、
集束放射線を照射する工程の後に、
集束放射線が照射されなかった部分の前記有機物層を除去する工程と、
前記基材上および前記導電性有機構造体上に、第2導電型の半導体層を形成する工程と、
前記第2導電型の半導体層上に第2電極を形成する工程と、
をさらに含む請求項15~18のいずれかに記載の導電構造物の製造方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • Inventor
  • TAKAHARA ATSUSHI
  • JINNAI HIROSHI
  • HIGUCHI TAKESHI
IPC(International Patent Classification)
Reference ( R and D project ) ERATO TAKAHARA Soft Interface AREA
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