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GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR NANOWIRE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND SWITCHING ELEMENT meetings

Foreign code F150008392
Posted date Jul 13, 2015
Country WIPO
International application number 2014JP005463
International publication number WO 2015064094
Date of international filing Oct 29, 2014
Date of international publication May 7, 2015
Priority data
  • P2013-226675 (Oct 31, 2013) JP
Title GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR NANOWIRE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND SWITCHING ELEMENT meetings
Abstract The present invention pertains to a group III-V compound semiconductor nanowire able to be used in a group III-V compound semiconductor MOSFET (FET) operational at a small subthreshold (100 mV/dec or less). A side face of the group III-V compound semiconductor nanowire is a (‒110) plane constituted of a very small (111) plane. The group III-V compound semiconductor nanowire has, e.g., a first layer having a (111)A plane as a side face thereof, and a second layer having a (111)B plane as a side face thereof. The first layer and the second layer are stacked alternatingly in the axial direction.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
III-V族化合物半導体からなるナノワイヤであって、その側面が微小な(111)面で構成される(-110)面である、III-V族化合物半導体ナノワイヤ。
[請求項2]
その側面が(111)A面である第1の層と、その側面が(111)B面である第2の層とが、軸方向に沿って交互に積層されている、請求項1に記載のIII-V族化合物半導体ナノワイヤ。
[請求項3]
その側面における(111)A面の割合は、50%を超え、100%未満である、請求項1または請求項2に記載のIII-V族化合物半導体ナノワイヤ。
[請求項4]
前記第1の層および前記第2の層は、それぞれ1~5原子層からなり、かつそのうちの90%以上が1~3原子層からなる、請求項2に記載のIII-V族化合物半導体ナノワイヤ。
[請求項5]
その側面のラフネスが1~6原子層の範囲内である、請求項1または請求項2に記載のIII-V族化合物半導体ナノワイヤ。
[請求項6]
前記III-V族化合物半導体は、InAs、InP、GaAs、GaN、InSb、GaSb、AlSb、AlGaAs、InGaAs、InGaN、AlGaN、GaNAs、InAsSb、GaAsSb、InGaSb、AlInSb、InGaAlN、AlInGaP、InGaAsP、GaInAsN、InGaAlSb、InGaAsSbまたはAlInGaPSbである、請求項1~5のいずれか一項に記載のIII-V族化合物半導体ナノワイヤ。
[請求項7]
(111)面を有し、第1導電型にドープされたIV族半導体基板と、
前記IV族半導体基板の(111)面上に配置されたIII-V族化合物半導体ナノワイヤであって、前記IV族半導体基板の(111)面に接続された第1の領域と、前記第1導電型または前記第1導電型と異なる第2導電型にドープされた第2の領域とを含むIII-V族化合物半導体ナノワイヤと、
前記III-V族化合物半導体ナノワイヤの側面に配置されたゲート誘電体膜と、
前記IV族半導体基板に接続されたソース電極およびドレイン電極から選択されるいずれか一方と、
前記III-V族化合物半導体ナノワイヤの第2の領域に接続されたソース電極およびドレイン電極から選択されるいずれか他方と、
前記ゲート誘電体膜上に配置され、前記IV族半導体基板の(111)面と前記III-V族化合物半導体ナノワイヤとの界面に電界を作用させるゲート電極と、
を有し、
前記III-V族化合物半導体ナノワイヤは、請求項1~6のいずれか一項に記載のIII-V族化合物半導体ナノワイヤである、
電界効果トランジスタ。
[請求項8]
トンネル電界効果トランジスタである、請求項7に記載の電界効果トランジスタ。
[請求項9]
請求項7または請求項8に記載の電界効果トランジスタを含むスイッチ素子。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • HOKKAIDO UNIVERSITY
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • Inventor
  • FUKUI TAKASHI
  • TOMIOKA KATSUHIRO
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
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