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ALN CRYSTAL PREPARATION METHOD, ALN CRYSTALS, AND ORGANIC COMPOUND INCLUDING ALN CRYSTALS commons

Foreign code F150008417
File No. NU-608
Posted date Oct 6, 2015
Country WIPO
International application number 2015JP064605
International publication number WO 2015182477
Date of international filing May 21, 2015
Date of international publication Dec 3, 2015
Priority data
  • P2014-112691 (May 30, 2014) JP
  • P2014-181289 (Sep 5, 2014) JP
Title ALN CRYSTAL PREPARATION METHOD, ALN CRYSTALS, AND ORGANIC COMPOUND INCLUDING ALN CRYSTALS commons
Abstract An AlN crystal preparation method, in which: at least one element excluding Si is used that fulfills the condition that a compound is not formed with either Al or N or the condition that a compound is formed with either Al or N but the standard free energy of formation of said compound is greater than the standard free energy of formation of AlN; a composition including at least Al and the element is melted; Al vapor and nitrogen gas are reacted at a prescribed reaction temperature; and AlN crystals are formed.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
Al及びNの何れとも化合物を形成しない条件又はAl及びNの何れかと化合物を形成するが当該化合物の標準生成自由エネルギーがAlNの標準生成自由エネルギーよりも大きい条件を満たすSiを除く元素を少なくとも1つ用い、少なくともAlと当該元素とを含む組成物を溶融させてAl蒸気と窒素ガスとを所定の反応温度で反応させてAlN結晶を作製することを特徴とするAlN結晶の作製方法。
[請求項2]
請求項1に記載したAlN結晶の作製方法において、
前記元素として、Li、Mg、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Ge、Sr、Snの何れかを用いることを特徴とするAlN結晶の作製方法。
[請求項3]
請求項1又は2に記載したAlN結晶の作製方法において、
前記元素として、Alとの相互作用エネルギーが負となる条件を満たし且つ当該相互作用エネルギーの絶対値がAlとGeとの相互作用エネルギーよりも大きい条件を満たす元素を用いることを特徴とするAlN結晶の作製方法。
[請求項4]
請求項3に記載したAlN結晶の作製方法において、
前記元素として、Li、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Srの何れかを用いることを特徴とするAlN結晶の作製方法。
[請求項5]
Al及びNの何れとも化合物を形成しない条件又はAl及びNの何れかと化合物を形成するが当該化合物の標準生成自由エネルギーがAlNの標準生成自由エネルギーよりも大きい条件を満たし且つSiを除く元素が少なくとも1つ用いられ、少なくともAlと当該元素とを含む組成物が溶融されてAl蒸気と窒素ガスとが所定の反応温度で反応させて作製されたことを特徴とするAlN結晶。
[請求項6]
請求項5に記載したAlN結晶おいて、
前記元素として、Li、Mg、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ga、Ge、Sr、Snの何れかが用いられて作製されたことを特徴とするAlN結晶。
[請求項7]
請求項5又は6に記載したAlN結晶において、
前記元素として、Alとの相互作用エネルギーが負となる条件を満たし且つ当該相互作用エネルギーの絶対値がAlとGeとの相互作用エネルギーよりも大きい条件を満たす元素が用いられて作製されたことを特徴とするAlN結晶。
[請求項8]
請求項7に記載したAlN結晶において、
前記元素として、Li、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Srの何れかが用いられて作製されたことを特徴とするAlN結晶。
[請求項9]
請求項5から8の何れか一項に記載したAlN結晶において、
結晶として、ウィスカー、薄膜、バルクの何れかが作製されたことを特徴とするAlN結晶。
[請求項10]
結晶がウィスカーであり、表面の凹凸の幅が最大でも10nm未満であることを特徴とするAlN結晶。
[請求項11]
結晶がウィスカーであり、軸方向の表面に形成される酸化物層の厚さが最大でも10nm未満であることを特徴とするAlN結晶。
[請求項12]
結晶がウィスカーであり、軸方向に面欠陥が発生していないことを特徴とするAlN結晶。
[請求項13]
請求項5から12の何れか一項に記載した結晶が混入されて構成されていることを特徴とするAlN結晶を含む有機化合物。
[請求項14]
請求項13に記載したAlN結晶を含む有機化合物を、熱伝導部材及び絶縁部材の少なくとも何れかとして用いたことを特徴とする電線。
[請求項15]
請求項13に記載したAlN結晶を含む有機化合物を、熱伝導部材及び絶縁部材の少なくとも何れかとして用いたことを特徴とする電球。
[請求項16]
請求項13に記載したAlN結晶を含む有機化合物を、熱伝導部材及び絶縁部材の少なくとも何れかとして用いたことを特徴とするモータ。
[請求項17]
請求項13に記載したAlN結晶を含む有機化合物を、熱伝導部材及び絶縁部材の少なくとも何れかとして用いたことを特徴とする電子部品。
[請求項18]
請求項13に記載したAlN結晶を含む有機化合物を、熱伝導部材及び絶縁部材の少なくとも何れかとして用いたことを特徴とするプリント基板。
[請求項19]
請求項13に記載したAlN結晶を含む有機化合物を、熱伝導部材及び絶縁部材の少なくとも何れかとして用いたことを特徴とするシート。
[請求項20]
請求項13に記載したAlN結晶を含む有機化合物を、熱伝導部材及び絶縁部材の少なくとも何れかとして用いたことを特徴とする紙。
[請求項21]
請求項13に記載したAlN結晶を含む有機化合物を、熱伝導部材及び絶縁部材の少なくとも何れかとして用いたことを特徴とする繊維。
[請求項22]
Al及びNの何れとも化合物を形成しない条件又はAl及びNの何れかと化合物を形成するが当該化合物の標準生成自由エネルギーがAlNの標準生成自由エネルギーよりも大きい条件を満たすSiを除く元素を少なくとも1つ用い、少なくともAlと当該元素とを含む組成物を溶融させてAl蒸気と窒素ガスとを所定の反応温度で反応させてAlN結晶を作製するためのAlN結晶の作製装置。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NAGOYA UNIVERSITY
  • Inventor
  • UJIHARA TORU
  • TAKEUCHI YUKIHISA
  • CHEN MINGYU
  • NAGAYA MASASHI
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
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