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SENSOR ELEMENT WITH TEMPERATURE COMPENSATING FUNCTION, AND MAGNETIC SENSOR AND ELECTRIC POWER MEASURING DEVICE WHICH USE SAME commons

Foreign code F150008464
Posted date Oct 22, 2015
Country WIPO
International application number 2014JP001905
International publication number WO 2014162730
Date of international filing Apr 1, 2014
Date of international publication Oct 9, 2014
Priority data
  • P2013-076469 (Apr 1, 2013) JP
Title SENSOR ELEMENT WITH TEMPERATURE COMPENSATING FUNCTION, AND MAGNETIC SENSOR AND ELECTRIC POWER MEASURING DEVICE WHICH USE SAME commons
Abstract A magnetoresistance effect magnetic sensor has a problem that the sensitivity thereof as a sensor lowers because the magnetic characteristic of a magnetic film itself lowers due to an increase in surrounding temperature. A sensor element characterized by comprising: a magnetic film having a magnetoresistance effect; a pair of electrodes facing each other with the magnetic film therebetween in order to pass a current through the magnetic film; a longitudinal bias magnetic field application magnet for generating a first bias magnetic field in a direction in which the electrodes face each other; and a lateral bias magnetic field application magnet for generating a second bias magnetic field in a direction perpendicular to the longitudinal bias magnetic field application magnet, and in that the temperature characteristic of the longitudinal bias magnetic field application magnet is larger than the temperature characteristic of the lateral bias magnetic field application magnet.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
磁気抵抗効果を有する磁性膜と
前記磁性膜に電流を流すための前記磁性膜を介して対向した一対の電極と、
前記電極の対向方向に第1のバイアス磁界を発生させる縦バイアス磁界付加磁石と、
前記縦バイアス磁界付加手段に直角方向に第2のバイアス磁界を発生させる横バイアス磁界付加磁石を有し、
前記縦バイアス磁界付加磁石の温度特性が前記横バイアス磁界付加磁石の温度特性より大きいことを特徴とするセンサ素子。
[請求項2]
前記横バイアス磁界付加磁石は前記磁性膜の表面に設けられた導電体により構成させることを特徴とする請求項1に記載されたセンサ素子。
[請求項3]
前記縦バイアス磁界付加磁石は温感磁性膜で構成されたことを特徴とする請求項1または2に記載されたセンサ素子。
[請求項4]
前記縦バイアス磁界付加磁石は、永久磁石のN極およびS極の両端に同じ温度特性を有する温感磁性膜を配置させ、前記磁性膜に隣接配置したことを特徴とする請求項1または2に記載されたセンサ素子。
[請求項5]
磁界を検出する磁気センサであって、
請求項1乃至4のいずれかのセンサ素子と、
前記センサ素子の両端電極間に電流を流す電流源と、
前記センサ素子の前記両端電極間の電圧を計測する電圧計を有することを特徴とする磁気センサ。
[請求項6]
磁気抵抗効果を有する磁性膜と
前記磁性膜に電流を流すための前記磁性膜を介して対向した一対の電極と、
前記磁性膜の縦方向に対して斜め方向のバイアス磁界を発生させる温度特性を有する斜めバイアス磁界付加磁石を有することを特徴とするセンサ素子。
[請求項7]
前記斜め方向のバイアス磁界に対して、前記磁性膜と逆方向に傾斜し、
それぞれが並列に接続されるように、前記一対の電極を共有する電極を有した第2の磁性膜を有することを特徴とする請求項6に記載されたセンサ素子。
[請求項8]
前記斜め方向のバイアス磁界に対して、前記磁性膜と前記斜め方向のバイアス磁界がなす角度と同じ角度であって、前記磁性膜と逆方向に傾斜することを特徴とする請求項6または7の何れかに記載されたセンサ素子。
[請求項9]
磁界を検出する磁気センサであって、
請求項7乃至8のいずれかのセンサ素子と、
前記センサ素子の両端電極間に電流を流す電流源と、
前記センサ素子の前記両端電極間の電圧を計測する電圧計を有することを特徴とする磁気センサ。
[請求項10]
電源と負荷が接続線によって接続された回路において前記負荷で消費される電力を計測する電力測定装置であって、
前記接続線に隣接配置される電源請求項1乃至8のいずれかのセンサ素子と、
前記センサ素子の両端電圧を計測する電圧計と、
前記センサ素子の一端に一端が接続されたセンサ抵抗と、
前記電源に対して前記負荷と並列に接続するために、前記センサ素子の他端に設けられた第1の接続端子と、前記センサ抵抗の他端に設けられた第2の接続端子を有することを特徴とする電力測定装置。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • OSAKA CITY UNIVERSITY
  • Inventor
  • TSUJIMOTO HIROAKI
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG

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