Top > Search of International Patents > SEMICONDUCTOR STRUCTURE IN WHICH FILM INCLUDING GERMANIUM OXIDE IS PROVIDED ON GERMANIUM LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE

SEMICONDUCTOR STRUCTURE IN WHICH FILM INCLUDING GERMANIUM OXIDE IS PROVIDED ON GERMANIUM LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Foreign code F150008474
File No. AF15-07WO
Posted date Oct 26, 2015
Country WIPO
International application number 2014JP065144
International publication number WO 2015029535
Date of international filing Jun 6, 2014
Date of international publication Mar 5, 2015
Priority data
  • P2013-179912 (Aug 30, 2013) JP
  • P2013-195887 (Sep 20, 2013) JP
Title SEMICONDUCTOR STRUCTURE IN WHICH FILM INCLUDING GERMANIUM OXIDE IS PROVIDED ON GERMANIUM LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE
Abstract The present invention is a semiconductor structure provided with a germanium layer (30) and a first insulating film (32) formed on the germanium layer (30), the first insulating film (32) primarily containing germanium oxide and a substance having a lower oxygen potential than that of germanium oxide, the height frequency in 1 μm square of the upper surface of the germanium layer (30) having a half width of 0.7 nm or less.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
ゲルマニウム層と、
前記ゲルマニウム層の上面に形成され、酸化ゲルマニウムと酸化ゲルマニウムより酸素ポテンシャルが低い物質とを主に含む第1絶縁膜と、
を具備し、
前記ゲルマニウム層の上面の1μm平方内の高さ頻度の半値幅は0.7nm以下であることを特徴とする半導体構造。
[請求項2]
前記物質は、窒化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化スカンジウムおよび酸化アルミニウムの少なくとも1つを主に含むことを特徴とする請求項1記載の半導体構造。
[請求項3]
前記第1絶縁膜上に形成された金属層を具備することを特徴とする請求項1または2記載の半導体構造。
[請求項4]
前記第1絶縁膜と前記金属層との間に形成された前記第1絶縁膜とは組成の異なる第2絶縁膜を具備することを特徴とする請求項3記載の半導体構造。
[請求項5]
前記半値幅は、0.5nm以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の半導体構造。
[請求項6]
ゲルマニウム層上に酸化ゲルマニウムと酸化ゲルマニウムより酸素ポテンシャルが低い物質とを主に含む第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜を、酸化性ガス雰囲気、室温でのガスの圧力が大気圧より大きくなるような圧力、および前記第1絶縁膜を形成するときの温度より高い熱処理温度において熱処理する工程と、
を含むことを特徴とする半導体構造の製造方法。
[請求項7]
前記物質は、窒化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化スカンジウムおよび酸化アルミニウムの少なくとも1つを主に含むことを特徴とする請求項6記載の半導体構造の製造方法。
[請求項8]
前記第1絶縁膜上に前記第1絶縁膜とは組成の異なる第2絶縁膜を形成する工程を含み、
前記熱処理する工程は、前記第2絶縁膜を形成した後に行なうことを特徴とする請求項6または7記載の半導体構造の製造方法。
[請求項9]
前記酸化性ガス雰囲気は酸素ガス雰囲気であることを特徴とする請求項6から8のいずれか一項記載の半導体構造の製造方法。
[請求項10]
前記ゲルマニウム層の上面の1μm平方内の高さ頻度の半値幅は0.7nm以下であることを特徴とする請求項6から9のいずれか一項記載の半導体構造の製造方法。
[請求項11]
前記圧力は、前記ゲルマニウム層の上面が平坦化される圧力であることを特徴とする請求項6から10のいずれか一項記載の半導体構造の製造方法。
[請求項12]
ゲルマニウム層と、
前記ゲルマニウム層の上面に形成され、酸化ゲルマニウムと、アルカリ土類元素、希土類元素およびアルミニウムの少なくとも1つの酸化物と、を主に含む第1絶縁膜と、
を具備することを特徴とする半導体構造。
[請求項13]
アルカリ土類元素、希土類元素およびアルミニウムの少なくとも1つは、イットリウム、スカンジウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウムおよびルテチウムの少なくとも1つの金属であることを特徴とする請求項11記載の半導体構造。
[請求項14]
前記第1絶縁膜における前記アルカリ土類元素、希土類元素およびアルミニウムの少なくとも1つの元素の前記少なくとも1つの元素とゲルマニウムとの和に対する原子組成比は6%以上かつ30%以下であることを特徴とする請求項12または13記載の半導体構造。
[請求項15]
前記少なくとも1つの元素は、イットリウムであることを特徴とする請求項14記載の半導体構造。
[請求項16]
前記第1絶縁膜上に形成された酸化シリコンより誘電率の高い第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
を具備することを特徴とする請求項12から15のいずれか一項記載の半導体構造。
[請求項17]
前記第1絶縁膜上に酸化シリコン膜より誘電率の高い第2絶縁膜を介さず形成されたゲート電極を具備することを特徴とする請求項12から15のいずれか一項記載の半導体構造。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • Inventor
  • TORIUMI AKIRA
  • TABATA TOSHIYUKI
  • LEE CHOONG HYUN
  • NISHIMURA TOMONORI
  • LU CIMANG
IPC(International Patent Classification)
Reference ( R and D project ) CREST Research of Innovative Material and Process for Creation of Next-generation Electronics Devices AREA
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close