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SEMICONDUCTOR-SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR-DEVICE MANUFACTURING METHOD IN WHICH GERMANIUM LAYER IS HEAT-TREATED

外国特許コード F150008492
整理番号 AF15-08WO
掲載日 2015年10月28日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2014JP077135
国際公開番号 WO 2015064338
国際出願日 平成26年10月10日(2014.10.10)
国際公開日 平成27年5月7日(2015.5.7)
優先権データ
  • 特願2013-227559 (2013.10.31) JP
発明の名称 (英語) SEMICONDUCTOR-SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR-DEVICE MANUFACTURING METHOD IN WHICH GERMANIUM LAYER IS HEAT-TREATED
発明の概要(英語) A semiconductor-substrate manufacturing method that includes a step in which a germanium layer (30) having an oxygen concentration of at least 1×1016 cm-3 is heat-treated at a temperature of at least 700°C in a reductive gas atmosphere. Also, a semiconductor-substrate manufacturing method that includes a step in which a germanium layer (30) having an oxygen concentration of at least 1×1016 cm-3 is heat-treated in a reductive gas atmosphere such that said oxygen concentration decreases.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • TORIUMI AKIRA
  • LEE CHOONG-HYUN
  • NISHIMURA TOMONORI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Research of Innovative Material and Process for Creation of Next-generation Electronics Devices AREA
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