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SEMICONDUCTOR-SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR-DEVICE MANUFACTURING METHOD IN WHICH GERMANIUM LAYER IS HEAT-TREATED

Foreign code F150008492
File No. AF15-08WO
Posted date Oct 28, 2015
Country WIPO
International application number 2014JP077135
International publication number WO 2015064338
Date of international filing Oct 10, 2014
Date of international publication May 7, 2015
Priority data
  • P2013-227559 (Oct 31, 2013) JP
Title SEMICONDUCTOR-SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR-DEVICE MANUFACTURING METHOD IN WHICH GERMANIUM LAYER IS HEAT-TREATED
Abstract A semiconductor-substrate manufacturing method that includes a step in which a germanium layer (30) having an oxygen concentration of at least 1×1016 cm-3 is heat-treated at a temperature of at least 700°C in a reductive gas atmosphere. Also, a semiconductor-substrate manufacturing method that includes a step in which a germanium layer (30) having an oxygen concentration of at least 1×1016 cm-3 is heat-treated in a reductive gas atmosphere such that said oxygen concentration decreases.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
1×1016cm-3以上の酸素濃度を有するゲルマニウム層を還元性ガス雰囲気中において、700℃以上において熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
[請求項2]
1×1016cm-3以上の酸素濃度を有するゲルマニウム層を還元性ガス雰囲気中において、前記酸素濃度が減少するように熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
[請求項3]
前記熱処理する工程は、800℃以上において熱処理する工程であることを特徴とする請求項1記載の半導体基板の製造方法。
[請求項4]
前記熱処理により、前記ゲルマニウム層が有する酸素濃度は1×1016cm-3より低くなることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の半導体基板の製造方法。
[請求項5]
前記ゲルマニウム層は(111)面が主面であることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の半導体基板の製造方法。
[請求項6]
前記還元性ガス雰囲気は水素ガス雰囲気であることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の半導体基板の製造方法。
[請求項7]
前記ゲルマニウム層は単結晶ゲルマニウム基板であることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の半導体基板の製造方法。
[請求項8]
請求項1から7のいずれか一項記載の半導体基板の製造方法により製造された半導体基板に半導体装置を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
[請求項9]
前記半導体装置を形成する工程は、
前記熱処理された前記ゲルマニウム層の表面に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • Inventor
  • TORIUMI AKIRA
  • LEE CHOONG-HYUN
  • NISHIMURA TOMONORI
IPC(International Patent Classification)
Reference ( R and D project ) CREST Research of Innovative Material and Process for Creation of Next-generation Electronics Devices AREA
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