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THERMAL RADIATION LIGHT SOURCE

Foreign code F160008690
File No. J1017-14WO
Posted date Mar 10, 2016
Country WIPO
International application number 2014JP055056
International publication number WO 2014136671
Date of international filing Feb 28, 2014
Date of international publication Sep 12, 2014
Priority data
  • P2013-047281 (Mar 8, 2013) JP
Title THERMAL RADIATION LIGHT SOURCE
Abstract The present invention provides a thermal radiation light source that enables light having desired peak wavelengths to easily be obtained due to a wider selection of materials than in the past. The thermal radiation light source (10) is provided with a thermo-optical converter having an optical structure wherein a refractive index distribution is formed in a member (11) comprising an intrinsic semiconductor in such a manner as to resonates with light having a shorter wavelength than the wavelength corresponding to the band gap of the intrinsic semiconductor. When heat is supplied to the thermo-optical converter from outside, light having a spectrum in a wavelength band that is shorter than a cutoff wavelength is emitted due to interband absorption in the intrinsic semiconductor, and light of a resonant wavelength (λr) within the abovementioned wavelength band that resonates in the optical structure is selectively intensified, and emitted as thermal radiation light. Since a wide selection of materials is used for the intrinsic semiconductor in the present invention, a thermal radiation light source, which produces light in a narrow band having a desired peak wavelength, can easily be obtained.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
真性半導体から成る部材に、該真性半導体のバンドギャップに対応する波長よりも短い波長の光に共振するように屈折率分布が形成されている光学構造を有する熱-光変換器を備えることを特徴とする熱輻射光源。
[請求項2]
前記光学構造が、熱輻射光源から熱輻射光を放出させようとする方向に関して非対称性を有することを特徴とする請求項1に記載の熱輻射光源。
[請求項3]
前記光学構造が、前記真性半導体よりも屈折率が低い材料から成る基体の表面に、該真性半導体から成る高屈折率部材を2次元状に配置したものであることを特徴とする請求項2に記載の熱輻射光源。
[請求項4]
前記光学構造が、前記真性半導体から成る板状部材に、該板状部材とは屈折率が異なる異屈折率領域が周期的に設けられて成る2次元フォトニック結晶構造であり、該異屈折率領域が該板状部材に垂直な方向に関して非対称な形状を有することを特徴とする請求項2に記載の熱輻射光源。
[請求項5]
前記異屈折率領域が、前記板状部材の一方の表面で開口し、他方の表面で開口しないように形成されていることを特徴とする請求項4に記載の熱輻射光源。
[請求項6]
前記光学構造が、3次元的に周期的屈折率分布を形成した3次元フォトニック結晶構造であることを特徴とする請求項1に記載の熱輻射光源。
[請求項7]
前記真性半導体がSiであり、前記共振の波長が1000nm以下であることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の熱輻射光源。
[請求項8]
前記真性半導体が3C-SiCであり、前記共振の波長が750nm以下であることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の熱輻射光源。
[請求項9]
請求項1~8のいずれかに記載の熱輻射光源と、該熱-光変換器が発する光を受光し、前記共振の波長を含む波長帯を有する光による光電変換を行う太陽電池とを備えることを特徴とする太陽光発電装置。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • Inventor
  • NODA SUSUMU
  • SHIBAHARA TATSUYA
  • DE ZOYSA MENAKA
  • ASANO TAKASHI
  • KITANO KEISUKE
  • SUZUKI KATSUYOSHI
  • INOUE TAKUYA
  • ISHIZAKI KENJI
IPC(International Patent Classification)
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