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NANODEVICE

Foreign code F160008747
File No. (AF12P040)
Posted date May 23, 2016
Country WIPO
International application number 2015JP073917
International publication number WO 2016031836
Date of international filing Aug 25, 2015
Date of international publication Mar 3, 2016
Priority data
  • P2014-176634 (Aug 29, 2014) JP
Title NANODEVICE
Abstract Provided is a nanodevice whereby the charge state of metal nanoparticles can be controlled. The nanodevice comprises: nano-gap electrodes 5 comprising one electrode 5A and another electrode 5B arranged so as to have a nano-sized gap therebetween; a nanoparticle 7 provided between the nano-gap electrodes 5; and a plurality of gate electrodes 9. At least one of the plurality of gate electrodes 9 is used as a floating gate electrode and controls the charge state of the nanoparticle 7. As a result, multi-value memory and rewritable logical operation processing are provided.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
ナノサイズのギャップを有するように一方の電極と他方の電極とが配置されて成るナノギャップ電極と、
上記ナノギャップ電極間に設けられるナノ粒子と、
複数のゲート電極と、を備え、
上記複数のゲート電極のうち少なくとも一つをフローティングゲート電極として用い、前記ナノ粒子の電荷状態を制御する、ナノデバイス。
[請求項2]
前記フローティングゲートに加える電圧は、クーロンオシレーションのピーク状態とボトム状態の電圧の間とする、請求項1に記載のナノデバイス。
[請求項3]
前記フローティングゲートに加える電圧が、複数の階層に分かれることにより、前記一方の電極と前記他方の電極との間に流れる電流を段階的に異ならせる、請求項1に記載のナノデバイス。
[請求項4]
前記フローティングゲートに加える電圧は、クーロンオシレーション特性のうち緩やかな傾き又は急峻な傾きの何れかを用いる、請求項3に記載のナノデバイス。
[請求項5]
前記複数のゲート電極に印加される電圧のHighとLowの入力に相当する電位差として、一周期分のクーロンオシレーションにおけるピーク電流を与えるゲート電圧と隣のピーク電流を与えるゲート電圧との電位差ΔVの二等分、三等分又は四等分した或る一つの電圧区間の両端に相当する値が設定される、請求項1に記載のナノデバイス。
[請求項6]
前記複数のゲート電極は、前記ナノギャップ電極と同一の面に有る一又は複数のサイドゲート電極からなる、請求項1乃至5の何れかに記載のナノデバイス。
[請求項7]
前記ナノギャップ電極と前記ナノ粒子が絶縁層により覆われており、
前記複数のゲート電極は、サイドゲート電極及びトップゲート電極からなる、請求項1乃至5の何れかに記載のナノデバイス。
[請求項8]
さらに、前記フローティングゲート電極を挟んで前記ナノ粒子と対向する位置に、コントロールゲート電極を備えており、
前記コントロールゲート電極に電圧を印加することにより、前記フローティングゲート電極の電荷状態を変化させ、前記ナノ粒子の電荷状態を制御する、請求項1に記載のナノデバイス。
[請求項9]
前記一方の電極と前記他方の電極とが前記ナノ粒子を挟んで配置されており、
前記複数のゲート電極として、前記サイドゲート電極と前記フローティングゲート電極とが前記ナノ粒子を挟んで配置されており、
前記フローティングゲート電極を挟んで、前記ナノ粒子と対向するようにコントロールゲート電極が配置されている、請求項1に記載のナノデバイス。
[請求項10]
前記一方の電極、前記他方の電極、前記サイドゲート電極、前記フローティングゲート電極及び前記コントロールゲート電極が、同一面上に配置されている、請求項9に記載のナノデバイス。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • Inventor
  • MAJIMA YUTAKA
  • TERANISHI TOSHIHARU
  • KANO SHINYA
  • AOYAMA EIKI
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN ST TD TG
Reference ( R and D project ) CREST Establishment of Innovative Manufacturing Technology Based on Nanoscience AREA
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