Top > Search of International Patents > OPTICAL AMPLIFICATION MODULATION SYSTEM AND OPTICAL RESPONSE ACCELERATING SYSTEM

OPTICAL AMPLIFICATION MODULATION SYSTEM AND OPTICAL RESPONSE ACCELERATING SYSTEM

Foreign code F170008940
File No. (S2015-0717-N0)
Posted date Jan 20, 2017
Country WIPO
International application number 2016JP060390
International publication number WO 2016159077
Date of international filing Mar 30, 2016
Date of international publication Oct 6, 2016
Priority data
  • P2015-072479 (Mar 31, 2015) JP
Title OPTICAL AMPLIFICATION MODULATION SYSTEM AND OPTICAL RESPONSE ACCELERATING SYSTEM
Abstract This optical amplification modulation system (11) is provided with a photorefractive element (1), and a photoirradiation unit (12) for radiating first light (B4) and second light (B5) which interfere with each other onto the photorefractive element (1) and causing the first light (B4) and the second light (B5) to interfere, the optical amplification modulation system (11) characterized in that the photoirradiation unit (12) is provided with a light intensity modulator (18), the light intensity modulator (18) modulates only the second light (B5), and the degree of intensity of the second light (B5) varies periodically in time in response to whether interference is occurring or not occurring.
Outline of related art and contending technology BACKGROUND ART
One type of material, known to have good charge transport property and, as a case of an application of the photorefractive effect described below. Photorefractive effect is, 1 is one of a nonlinear optical effect, the light in a material refractive index changes in a phenomenon. Describing the mechanism of the effect of the photorefractive material. 2 Conductive and light-order nonlinear optical characteristics of the laser light 2 in the medium by causing interference and the interference fringes are formed. The bright portion of the interference fringes to generate charge carriers by light excitation, the externally applied electric field in the medium by moving the positive charge carriers, are trapped in the dark. As a result, the bright portion of the negative, the positive to the dark part, the electrification charge of the periodic density non-uniformity, an electric field is formed in the space. The electric field in this space, the next 1 in the electro-optical effect caused by the Pockels effect, a periodic refractive index grating is formed. The refractive index between the optical interference fringes in space in order to generate a phase difference of φ, asymmetric energy transfer between the light waves 2 is observed, the optical amplification (optical gain) is obtained.
By using such a photorefractive effect, a phase conjugate or, imaging from the distorting medium, the real-time holography, the hologram-multiplexing, the display 3D, printer 3D, as well as optical amplification, an optical neural network a non-linear optical information processing, pattern recognition, optical limiting, high density optical data storage or the like are expected to be applied to.
The effect of the photorefractive material as described above, conventionally, a lithium niobate (LiNbO3) and the like have been used as the inorganic material (for example, Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2 reference). However, the inorganic crystal material, it is difficult to reduce the thickness of the element, in addition, the externally applied electric field strength is required. Therefore, a problem with the reliability of the device. In addition, a wide area and it is difficult to be applied to a device, a large problem in practical use.
Therefore, in recent years, an organic substance has been the development of a photorefractive material. Is the organic photorefractive material, as compared with the inorganic photorefractive material is a number of advantages. Has the advantage that, facilitating optimization of the composition ratio, in addition to the high processability, for example, a large optical non-linearities, low dielectric constant, low cost, light weight, flexibility and the like. In addition, be desired depending on the application to other important properties of the obtained, long shelf life of the recording data, optical quality, and is thermally stable. Is the organic photorefractive material, advanced information communication technology is becoming an important material. Among them, a carbazole (for example, see Patent Document 1), and triphenylamine is known.
A moving image recording, and reproducing apparatus, a high-speed data storage devices such as holographic devices to be applied to obtain a sufficient display performance, a remarkable improvement in the response is required. TO RELATED APPLICATION333
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
フォトリフラクティブ素子と、
互いに干渉する第1の光および第2の光を生成し、前記第1の光と前記第2の光を前記フォトリフラクティブ素子上に照射して干渉させる光照射部と、
前記フォトリフラクティブ素子に電界を印加する電界印加部と、を備えており、
前記光照射部は光強度変調器を備え、
前記光強度変調器は前記第2の光のみを変調し、
前記第2の光は、非干渉時にも強度が0になることがなく、干渉時および非干渉時に対応して前記光強度変調器により強度の強弱が時間周期的に変化することを特徴とする光増幅変調システム。
[請求項2]
前記光強度変調器は、音響光学モジュレータであって、
前記音響光学モジュレータは、出力の0次光のみを前記第2の光として前記フォトリフラクティブ素子上に照射することを特徴とする請求項1に記載の光増幅変調システム。
[請求項3]
前記光照射部は、
レーザー光を出射する光源と、
前記光源から出射されたレーザー光の光軸上に配置された第1の半波長板と、
前記第1の半波長板を通過したレーザー光を第1の分割光と第2の分割光とに分割する偏光ビームスプリッターと、
前記第1の分割光の光軸上に配置された第2の半波長板と、を備えており、
前記第2の半波長板を通過した第1の分割光、および前記音響光学モジュレータを通過した第2の分割光を前記フォトリフラクティブ素子上に照射することを特徴とする請求項2に記載の光増幅変調システム。
[請求項4]
フォトリフラクティブ素子における光応答を高速化するシステムであって、
互いに干渉する第1の光および第2の光を生成し、前記第1の光と前記第2の光とを前記フォトリフラクティブ素子上に照射して干渉させる光照射部と、
前記フォトリフラクティブ素子に電界を印加する電界印加部と、を備えており、
前記光照射部は前記第2の光の強度を変調する光強度変調器を備え、
前記光強度変調器は前記第2の光のみを変調し、
前記第2の光は、干渉時以外の非干渉時にも強度が0になることがなく、干渉時および非干渉時に対応して前記光強度変調器により強度の強弱が時間周期的に変化することを特徴とする光応答高速化システム。
[請求項5]
前記光強度変調器は、音響光学モジュレータであって、
前記音響光学モジュレータは、出力の0次光のみを前記第2の光として前記フォトリフラクティブ素子上に照射することを特徴とする請求項4に記載の光応答高速化システム。
[請求項6]
前記光照射部は、
レーザー光を出射する光源と、
前記光源から出射されたレーザー光の光軸上に配置された第1の半波長板と、
前記第1の半波長板を通過したレーザー光を第1の分割光と第2の分割光とに分割する偏光ビームスプリッターと、
前記第1の分割光の光軸上に配置された第2の半波長板と、を備えており、
前記音響光学モジュレータに前記偏光ビームスプリッターを通過した第2の分割光が入光することを特徴とする請求項5に記載の光応答高速化システム。
[請求項7]
高速で光増幅を変調する方法であって、
フォトリフラクティブ素子に電界を印加した状態で、互いに干渉する第1の光と第2の光とを前記フォトリフラクティブ素子上に照射して干渉させるステップを含んでおり、
前記第2の光のみを変調し、
前記第2の光は、干渉時以外の非干渉時にも強度が0になることがなく、干渉時および非干渉時に対応して強度の強弱を時間周期的に変化させることを特徴とする光増幅変調方法。
[請求項8]
フォトリフラクティブ素子における光応答を高速化する方法であって、
前記フォトリフラクティブ素子に電界を印加した状態で、互いに干渉する第1の光と第2の光とを前記フォトリフラクティブ素子上に照射して干渉させるステップを含んでおり、
少なくとも前記第2の光の強度の強弱を干渉時および非干渉時に対応して時間周期的に変化させることを特徴とする光応答高速化方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KYOTO INSTITUTE OF TECHNOLOGY
  • Inventor
  • TSUTSUMI, Naoto
  • KINASHI, Kenji
  • MASUMURA, Kento
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN ST TD TG
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close