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SEMICONDUCTOR INSPECTION DEVICE commons meetings achieved

Foreign code F170009272
File No. KIT15009PCT
Posted date Oct 31, 2017
Country WIPO
International application number 2016JP073445
International publication number WO 2017026483
Date of international filing Aug 9, 2016
Date of international publication Feb 16, 2017
Priority data
  • P2015-158228 (Aug 10, 2015) JP
Title SEMICONDUCTOR INSPECTION DEVICE commons meetings achieved
Abstract Provided is a semiconductor inspection device 10 having an ultrasound probe 14 for transmitting ultrasonic waves which propagate through a liquid 12 inside a liquid tank 11 to reach a semiconductor element 13, and an analysis means 27 for detecting abnormalities of the semiconductor element 13 based on the received ultrasonic waves, the semiconductor inspection device (10) being provided with: a current applying means 17 that is connected to the semiconductor element 13, energizes the semiconductor element 13, and operates the semiconductor element 13; and flow generation means 16, 23, 24, 25 for generating a flow in the liquid 12 inside the water tank 11.
Outline of related art and contending technology BACKGROUND ART
Conventional, SiC or a device such as IGBT of the power semiconductor device for failure analysis in (FA: Failure Analysis), mainly, the destruction of the power semiconductor device is performed by examining the decomposition, which has been specified as the cause of failure. On the other hand, the power semiconductor device, miniaturization, high integration is progressing, and energy device such as an electric car or a home appliance, and may be used in a wide range of products is expected. Therefore, cause failures in a power semiconductor device and the complexity of the factors is predicted, the power semiconductor elements are damaged by the analysis performed, the elucidation of the cause of the fault can not be a concern.
Therefore, the operation of the power semiconductor device in a state, a problem occurs in how to verify that the technique is demanded. Without breaking the power semiconductor device, as a method for detecting defect and the like, for example, Patent Document 1, the disclosure of which is 2 in the ultrasonic flaw detection method can be used. This method, a power semiconductor device can be applied to other types of semiconductor elements, the ultrasonic wave is propagated in the liquid to reach the semiconductor element, the reflected wave reflected by a semiconductor element and a semiconductor device on the basis of the transmitted wave, the internal state of the semiconductor element is inspected. In addition, the operation of the power semiconductor device in a state, a technique for performing ultrasonic flaw detection, as described in Non-Patent Document 1-14.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
液体槽内の液体中を伝播して半導体素子に到達する超音波を発信する超音波探触子と、受信された超音波を基に前記半導体素子の異常を検出する解析手段とを有する半導体検査装置において、
前記半導体素子に接続され、該半導体素子に通電して該半導体素子を作動させる電流印加手段と、
前記液体槽内の液体に流れを発生させる流れ発生手段とを備えることを特徴とする半導体検査装置。
[請求項2]
請求項1記載の半導体検査装置において、前記流れ発生手段は、前記液体内に、該液体の噴出し口を配する吹出ノズルを有することを特徴とする半導体検査装置。
[請求項3]
請求項2記載の半導体検査装置において、前記超音波探触子を前記半導体素子に対して移動させる探触子移送機構を備え、前記吹出ノズルは、前記超音波探触子と共に移動することを特徴とする半導体検査装置。
[請求項4]
請求項3記載の半導体検査装置において、前記液体槽内の液体の温度を計測する液体温度測定手段を更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
[請求項5]
請求項3又は4記載の半導体検査装置において、前記超音波探触子の温度を計測する探触子温度測定手段を更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
[請求項6]
請求項1記載の半導体検査装置において、前記流れ発生手段は、前記液体内に、該液体の吸込み口を配する吸引ノズルを有することを特徴とする半導体検査装置。
[請求項7]
請求項6記載の半導体検査装置において、前記超音波探触子を前記半導体素子に対して移動させる探触子移送機構を備え、前記吸引ノズルは、前記超音波探触子と共に移動することを特徴とする半導体検査装置。
[請求項8]
液体槽内の液体中を伝播して半導体素子に到達する超音波を発信する超音波探触子と、受信された超音波を基に前記半導体素子の異常を検出する解析手段とを有する半導体検査装置において、
前記半導体素子に接続され、該半導体素子に通電して該半導体素子を作動させる電流印加手段と、
前記半導体素子の作動による発熱により該半導体素子に生じる気泡に触れる接触片とを備え、前記接触片を移動させて、前記気泡を前記半導体素子から取り除くことを特徴とする半導体検査装置。
[請求項9]
請求項8記載の半導体検査装置において、前記超音波探触子を前記半導体素子に対して移動させる探触子移送機構を備え、前記接触片は、前記超音波探触子と共に移動することを特徴とする半導体検査装置。
[請求項10]
請求項9記載の半導体検査装置において、前記液体槽内の液体の温度を計測する液体温度測定手段を更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
[請求項11]
請求項9又は10記載の半導体検査装置において、前記超音波探触子の温度を計測する探触子温度測定手段を更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
[請求項12]
液体槽内の液体を伝播して半導体素子に到達する超音波を発信する超音波探触子と、受信された超音波を基に前記半導体素子の異常を検出する解析手段とを有する半導体検査装置において、
前記半導体素子に接続され、該半導体素子に通電して該半導体素子を作動させる電流印加手段と、
振動を前記半導体素子に与える振動発生手段とを備えることを特徴とする半導体検査装置。
[請求項13]
請求項12記載の半導体検査装置において、前記液体槽内の液体の温度を計測する液体温度測定手段を更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
[請求項14]
請求項12又は13記載の半導体検査装置において、前記超音波探触子の温度を計測する探触子温度測定手段を更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
[請求項15]
請求項1~14のいずれか1項に記載の半導体検査装置において、前記解析手段は、受信した超音波を基に前記半導体素子の内部画像を導出し、該内部画像を基にして該半導体素子の異常を検出することを特徴とする半導体検査装置。
[請求項16]
請求項15記載の半導体検査装置において、前記解析手段は、作動状態の前記半導体素子を対象に導出した前記内部画像を、作動前の該半導体素子を対象に導出した前記内部画像と比較し、作動中の該半導体素子の該内部画像内で、作動前の該半導体素子の該内部画像から変化した領域の面積が所定の大きさ以上である場合に該半導体素子に異常有りと判定することを特徴とする半導体検査装置。
[請求項17]
請求項15記載の半導体検査装置において、前記解析手段は、作動後の前記半導体素子を対象に導出した前記内部画像を、作動前の該半導体素子を対象に導出した前記内部画像と比較し、作動後の該半導体素子の該内部画像内で、作動前の該半導体素子の該内部画像から変化した領域の面積が所定の大きさ以上である場合に該半導体素子に異常有りと判定することを特徴とする半導体検査装置。
[請求項18]
請求項1~17のいずれか1項に記載の半導体検査装置において、前記液体槽の底部には開口が形成され、前記半導体素子は、前記液体槽外から該液体槽の底部に密着して、前記開口を塞ぐことを特徴とする半導体検査装置。
[請求項19]
請求項1~18のいずれか1項に記載の半導体検査装置において、前記液体を冷却する冷却手段を、更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
[請求項20]
請求項1~19のいずれか1項に記載の半導体検査装置において、前記半導体素子の温度を計測する素子温度測定手段を、更に備え、該素子温度測定手段の出力値を基に、前記半導体素子の異常を検出することを特徴とする半導体検査装置。
[請求項21]
請求項1~20のいずれか1項に記載の半導体検査装置において、前記半導体素子の外観を撮像する撮像手段と、通電によって前記半導体素子に生じる反りの大きさを、前記撮像手段が撮像した画像から求める変形検出手段とを、更に備え、前記半導体素子の反りの大きさを基に、該半導体素子の異常を検出することを特徴とする半導体検査装置。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY
  • Inventor
  • OMURA Ichiro
  • WATANABE Akihiko
  • TSUKUDA Masanori
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN ST TD TG
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