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VASCULAR SAP MEASUREMENT SENSOR AND PRODUCTION METHOD FOR VASCULAR SAP MEASUREMENT SENSOR

Foreign code F180009448
File No. (S2017-0032-N0)
Posted date Jul 24, 2018
Country WIPO
International application number 2017JP035407
International publication number WO 2018079186
Date of international filing Sep 29, 2017
Date of international publication May 3, 2018
Priority data
  • P2016-210239 (Oct 27, 2016) JP
Title VASCULAR SAP MEASUREMENT SENSOR AND PRODUCTION METHOD FOR VASCULAR SAP MEASUREMENT SENSOR
Abstract The present invention provides a vascular sap measurement sensor in which a flow channel into which vascular sap flows is less susceptible to becoming blocked with plant tissue. This vascular sap measurement sensor (1) is provided with a collection probe (20) for collecting vascular sap, and a support part (10) for supporting the collection probe (20). The collection probe (20) has formed therein a collection flow channel (21) into which vascular sap flows, and an entrance opening (24) to the collection flow channel (21) is formed in a lateral surface of the collection probe (20). Due to this configuration, when the collection probe (20) is used to pierce a plant, the collection flow channel (21) is unlikely to become blocked with plant tissue.
Outline of related art and contending technology BACKGROUND ART
The production of crops and plants and the like, from the viewpoint of productivity growth of the plants at an appropriate timing in accordance with the state required to perform supply irrigation or nutrients. Therefore, without affecting the growth of the plants, the growth condition can be accurately grasped becomes very important.
In general, many agricultural site, such as the non-rainfall days based on the experience and intuition to grasp the state of growth of the plants in the situation. However, growth of the plants by a method based on experience and manage the situation, such time and labor and requires skill. In addition, a reference index based on personal experience or the like. Therefore, the growth of the plants on the basis of experience as a method to grasp the state, it is difficult to conveniently carried out by anyone.
On the other hand, in recent years, plant crops and trees based on the biometric information for fertilization and moisture control of the variety of techniques have been developed. Granier in the measurement method using the method has attracted attention. In addition, a method of measuring the flow rate of the pulse signal causes a method has also been known (for example, Patent Document 1).
Is Patent Document 1, the master tree is formed by a drill or the like can be placed in the holes 3 of the rod 1 of the rod-like temperature sensor and a heater has been disclosed an apparatus. Then, in the Patent Document 1, a temperature sensor and a rod-shaped heater of the device formed in the side members of the tree and placed in the hole, after the lapse of a predetermined period of time based on the temperature difference between the two sensors in a tree which causes a flowing through the flow rate of the disclosed technology.
However, the apparatus of Patent Document 1, in the first place which causes a relatively large diameter stems in the tree in order to measure the flow rate of the flows have been developed and, used in the apparatus having a rod-shaped sensor of certain magnitude. Therefore, the apparatus of Patent Document 1, a small number of stalk diameter mm cannot be applied to the plant.
To grasp the state of growth of plants, plant directly measure the vascular flow rate of liquid is important. In particular, such as crops and plants to improve the productivity and quality is, the new plant fruit sugar terminal or the like, such as crops and plants located in the vicinity of the plant on the order of a few mm thickness in the vascular detail is possible to measure the kinetics of the liquid is very important.
Therefore, the present inventors, new sugar fruit or plant of the terminal such as the kinetics of the liquid flowing in the details of the vascular bundle can be measured (the dynamic water) water plant dynamic sensor (Patent Document 2) are contemplated. Patent Document 2 is, like sugar fruit and the new terminal can be formed to pierce the various sensor probes of the disclosed dynamic water plant. Probe is stuck into the details of the plant are arranged, by making use of water dynamics granier can be measured.
In addition, in Patent Document 2, the motion sensor of the plant into a vascular plant water will flow into the flow path is formed in a the collection probe is disclosed.
Scope of claims (In Japanese)[請求項1]
維管束液を捕集する捕集プローブと、
前記捕集プローブを支持する支持部と、を備え、
前記捕集プローブの内部には前記維管束液が流入する捕集流路が形成されており、
前記捕集流路の入口開口部は前記捕集プローブの側面に配置されている
ことを特徴とする維管束液計測センサ。
[請求項2]
前記捕集流路は2つの前記入口開口部を有し、一方の前記入口開口部は前記捕集プローブの一方の側面に配置され、他方の前記入口開口部は前記捕集プローブの他方の側面に配置されている
ことを特徴とする請求項1記載の維管束液計測センサ。
[請求項3]
前記捕集流路は、
2つの前記入口開口部を接続し、前記捕集プローブの幅方向に沿って形成された第1流路と、
一端が前記第1流路に接続され、前記捕集プローブの軸方向に沿って形成された第2流路と、を備え、
前記第1流路の内部に、前記入口開口部から流入した前記維管束液を前記第2流路へ導く誘導壁が設けられている
ことを特徴とする請求項2記載の維管束液計測センサ。
[請求項4]
前記捕集流路は1つの前記入口開口部を有し、前記入口開口部は前記捕集プローブの一方の側面に配置されている
ことを特徴とする請求項1記載の維管束液計測センサ。
[請求項5]
前記捕集流路の内部にpH測定用素子が設けられている
ことを特徴とする請求項1、2、3または4記載の維管束液計測センサ。
[請求項6]
電気抵抗測定用電極が設けられた電気抵抗プローブを備え、
前記電気抵抗プローブは前記支持部に支持されており、
前記電気抵抗プローブの内部には前記維管束液が流入する電極用流路が形成されており、
前記電極用流路は前記電気抵抗プローブの幅方向に沿って形成されており、
前記電極用流路の開口部は前記電気抵抗プローブの側面に配置されており、
前記電極用流路の内部に前記電気抵抗測定用電極が設けられている
ことを特徴とする請求項1、2、3、4または5記載の維管束液計測センサ。
[請求項7]
前記電気抵抗プローブは複数の前記電極用流路を有し、
複数の前記電極用流路は、前記電気抵抗プローブの軸方向に並んで配置されており、
複数の前記電極用流路のそれぞれに前記電気抵抗測定用電極が設けられている
ことを特徴とする請求項6記載の維管束液計測センサ。
[請求項8]
温度センサとヒータとが設けられたヒータ付温度プローブと、
温度センサが設けられた温度プローブと、を備え、
前記ヒータ付温度プローブおよび前記温度プローブは前記支持部に支持されている
ことを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6または7記載の維管束液計測センサ。
[請求項9]
前記ヒータ付温度プローブの内部には前記維管束液が流入する温度センサ用流路が形成されており、
前記温度センサ用流路は前記ヒータ付温度プローブの幅方向に沿って形成されており、
前記温度センサ用流路の開口部は前記ヒータ付温度プローブの側面に配置されており、
前記温度センサ用流路の内部に前記温度センサが設けられている
ことを特徴とする請求項8記載の維管束液計測センサ。
[請求項10]
前記温度プローブの内部には前記維管束液が流入する温度センサ用流路が形成されており、
前記温度センサ用流路は前記温度プローブの幅方向に沿って形成されており、
前記温度センサ用流路の開口部は前記温度プローブの側面に配置されており、
前記温度センサ用流路の内部に前記温度センサが設けられている
ことを特徴とする請求項8または9記載の維管束液計測センサ。
[請求項11]
前記支持部は、絶縁性基板と半導体基板との積層体で形成されており、
前記ヒータ付温度プローブおよび前記温度プローブは前記半導体基板側に形成されており、
前記支持部のうち前記ヒータ付温度プローブを支持する部分と、前記温度プローブを支持する部分との間に、前記半導体基板が除去された溝が形成されている
ことを特徴とする請求項8、9または10記載の維管束液計測センサ。
[請求項12]
温度センサとヒータとが設けられたヒータ付温度プローブと、
温度センサが設けられた温度プローブと、
前記ヒータ付温度プローブおよび前記温度プローブを支持する支持部と、を備え、
前記ヒータ付温度プローブの内部には維管束液が流入する温度センサ用流路が形成されており、
前記温度センサ用流路は前記ヒータ付温度プローブの幅方向に沿って形成されており、
前記温度センサ用流路の開口部は前記ヒータ付温度プローブの側面に配置されており、
前記温度センサ用流路の内部に前記温度センサが設けられている
ことを特徴とする維管束液計測センサ。
[請求項13]
前記温度プローブの内部には前記維管束液が流入する温度センサ用流路が形成されており、
前記温度センサ用流路は前記温度プローブの幅方向に沿って形成されており、
前記温度センサ用流路の開口部は前記温度プローブの側面に配置されており、
前記温度センサ用流路の内部に前記温度センサが設けられている
ことを特徴とする請求項12記載の維管束液計測センサ。
[請求項14]
温度センサとヒータとが設けられたヒータ付温度プローブと、
温度センサが設けられた温度プローブと、
前記ヒータ付温度プローブおよび前記温度プローブを支持する支持部と、を備え、
前記温度プローブの内部には維管束液が流入する温度センサ用流路が形成されており、
前記温度センサ用流路は前記温度プローブの幅方向に沿って形成されており、
前記温度センサ用流路の開口部は前記温度プローブの側面に配置されており、
前記温度センサ用流路の内部に前記温度センサが設けられている
ことを特徴とする維管束液計測センサ。
[請求項15]
前記支持部は、絶縁性基板と半導体基板との積層体で形成されており、
前記ヒータ付温度プローブおよび前記温度プローブは前記半導体基板側に形成されており、
前記支持部のうち前記ヒータ付温度プローブを支持する部分と、前記温度プローブを支持する部分との間に、前記半導体基板が除去された溝が形成されている
ことを特徴とする請求項12、13または14記載の維管束液計測センサ。
[請求項16]
電気抵抗測定用電極が設けられた電気抵抗プローブを備え、
前記電気抵抗プローブは前記支持部に支持されており、
前記電気抵抗プローブの内部には前記維管束液が流入する電極用流路が形成されており、
前記電極用流路は前記電気抵抗プローブの幅方向に沿って形成されており、
前記電極用流路の開口部は前記電気抵抗プローブの側面に配置されており、
前記電極用流路の内部に前記電気抵抗測定用電極が設けられている
ことを特徴とする請求項12、13、14または15記載の維管束液計測センサ。
[請求項17]
前記電気抵抗プローブは複数の前記電極用流路を有し、
複数の前記電極用流路は、前記電気抵抗プローブの軸方向に並んで配置されており、
複数の前記電極用流路のそれぞれに前記電気抵抗測定用電極が設けられている
ことを特徴とする請求項16記載の維管束液計測センサ。
[請求項18]
維管束液が流入する捕集流路を有する捕集プローブを備える維管束液計測センサの製造方法であって、
半導体基板に、入口開口部が前記捕集プローブの側面に配置された前記捕集流路の側壁を形成する側壁形成工程と、
シート状のフォトレジストを前記側壁の上端に架け渡して熱融着し、該フォトレジストの不要部分を除去して前記捕集流路の天井部を形成する天井形成工程と、を備える
ことを特徴とする維管束液計測センサの製造方法。
[請求項19]
前記側壁形成工程において、シート状のフォトレジストを熱融着し、該フォトレジストの前記捕集流路に相当する部分を除去して前記側壁を形成する
ことを特徴とする請求項18記載の維管束液計測センサの製造方法。
[請求項20]
前記側壁形成工程において、前記半導体基板の前記捕集流路に相当する部分を除去して前記側壁を形成する
ことを特徴とする請求項18記載の維管束液計測センサの製造方法。
[請求項21]
前記側壁形成工程後に前記側壁を親水化する親水化工程を備える
ことを特徴とする請求項18記載の維管束液計測センサの製造方法。
[請求項22]
前記天井形成工程後に前記捕集流路の内部を親水化する親水化工程を備える
ことを特徴とする請求項18記載の維管束液計測センサの製造方法。
[請求項23]
維管束液が流入する温度センサ用流路を有するヒータ付温度プローブを備える維管束液計測センサの製造方法であって、
半導体基板に、入口開口部が前記ヒータ付温度プローブの側面に配置された前記温度センサ用流路の側壁を形成する側壁形成工程と、
シート状のフォトレジストを前記側壁の上端に架け渡して熱融着し、該フォトレジストの不要部分を除去して前記温度センサ用流路の天井部を形成する天井形成工程と、を備える
ことを特徴とする維管束液計測センサの製造方法。
[請求項24]
前記側壁形成工程において、シート状のフォトレジストを熱融着し、該フォトレジストの前記温度センサ用流路に相当する部分を除去して前記側壁を形成する
ことを特徴とする請求項23記載の維管束液計測センサの製造方法。
[請求項25]
前記側壁形成工程において、前記半導体基板の前記温度センサ用流路に相当する部分を除去して前記側壁を形成する
ことを特徴とする請求項23記載の維管束液計測センサの製造方法。
[請求項26]
前記側壁形成工程後に前記側壁を親水化する親水化工程を備える
ことを特徴とする請求項23記載の維管束液計測センサの製造方法。
[請求項27]
前記天井形成工程後に前記温度センサ用流路の内部を親水化する親水化工程を備える
ことを特徴とする請求項23記載の維管束液計測センサの製造方法。
[請求項28]
維管束液が流入する温度センサ用流路を有する温度プローブを備える維管束液計測センサの製造方法であって、
半導体基板に、入口開口部が前記温度プローブの側面に配置された前記温度センサ用流路の側壁を形成する側壁形成工程と、
シート状のフォトレジストを前記側壁の上端に架け渡して熱融着し、該フォトレジストの不要部分を除去して前記温度センサ用流路の天井部を形成する天井形成工程と、を備える
ことを特徴とする維管束液計測センサの製造方法。
[請求項29]
前記側壁形成工程において、シート状のフォトレジストを熱融着し、該フォトレジストの前記温度センサ用流路に相当する部分を除去して前記側壁を形成する
ことを特徴とする請求項28記載の維管束液計測センサの製造方法。
[請求項30]
前記側壁形成工程において、前記半導体基板の前記温度センサ用流路に相当する部分を除去して前記側壁を形成する
ことを特徴とする請求項28記載の維管束液計測センサの製造方法。
[請求項31]
前記側壁形成工程後に前記側壁を親水化する親水化工程を備える
ことを特徴とする請求項28記載の維管束液計測センサの製造方法。
[請求項32]
前記天井形成工程後に前記温度センサ用流路の内部を親水化する親水化工程を備える
ことを特徴とする請求項28記載の維管束液計測センサの製造方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KAGAWA UNIVERSITY
  • Inventor
  • SHIMOKAWA Fusao
  • ONO Akihito
  • TAKAO Hidekuni
  • TERAO Kyohei
  • KOBAYASHI Tsuyoshi
  • KATAOKA Ikuo
IPC(International Patent Classification)
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