Top > Search of International Patents > STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Foreign code F180009582
File No. (K040P18)
Posted date Nov 6, 2018
Country WIPO
International application number 2018JP002459
International publication number WO 2018139579
Date of international filing Jan 26, 2018
Date of international publication Aug 2, 2018
Priority data
  • P2017-013478 (Jan 27, 2017) JP
Title STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
Abstract Provided are: a structure with high photocatalytic activity; and a production method therefor. The structure of an embodiment is characterized in that: the structure is provided with a first metal compound with a first crystal structure and a second metal compound layer which is located on the surface of the first metal compound and has a second structure that differs from the first crystal structure; and, in time-resolved spectroscopy measured 5 µs after laser pulse irradiation, the maximum value of super-absorption intensity for the first metal compound, which has the second metal compound layer on the surface thereof, in the 1000 cm-1 to 20000 cm-1 wavenumber range is in the 1000 cm-1 to 8000 cm-1 wavenumber range and the ratio of said maximum super-absorption intensity with respect to the super-absorption intensity at wavenumber 15000 cm-1 is at least 10 fold.
Outline of related art and contending technology BACKGROUND ART
(TiO2) is titanium oxide, a photocatalytic activity by irradiation with the excitation light has been known to express.Including titanium oxide and the metal oxide or metal oxynitride, metal nitrides, metal sulfides and the like having a photocatalytic activity of the metal compound, used in various fields.
On the surface of a metal compound such as this, oxygen defects or introduces nitrogen defects, the defect of sulfur, metal defects, and defects present in the metal insert.Defects in the vicinity of atoms, excited electrons and holes photogenerated carrier is captured and the like, react with the electrons and holes in the activity.Also, the recombination rate of electrons and holes can be increased, the light is a problem that the decrease in catalytic activity.
In order to improve the photocatalytic activity and a variety of proposals have been made, for example in Patent Document 1, for water splitting in the photo-electrode, n-type semiconductor comprising the surface of the catalyst layer, a coating layer including the p-type semiconductor is provided in an electrode, the onset potential is improved have been described.
Patent Document 2 is, different types of nanoclusters to the surface of the semiconductor 2 (amorphous oxide nanoclusters (A) and (B) an oxide nanoclusters) can be carried by, significant action expression and a photocatalyst material is described.
Is the non-patent document 1, the photocatalyst structure of the carrier excited by the defect on the trap level becomes deeper, light catalytic activity is reduced, the trap level of the excited carrier can be assessed by a transient absorption spectrum have been described.In addition, (SrTiO 3) strontium titanate particles (strontium chloride (SrCl2) ) of the molten salt in (flux treatment) and heated, re-crystallization, crystal defects of the strontium titanate particles can be reduced, and the shallow trap level of carrier, and improve the photocatalytic activity can be described.
Scope of claims (In Japanese)請求の範囲
[請求項1]
 第1の結晶構造を有する第1の金属化合物と、
 前記第1の金属化合物の表面に位置し、前記第1の結晶構造と異なる第2の構造を有する第2の金属化合物層と、
 を備え、
 表面に前記第2の金属化合物層を有する前記第1の金属化合物は、レーザーパルス照射の5μs後に測定した時間分解分光測定において、1000cm -1以上20000cm -1以下の波数範囲内における過渡吸収強度の最大値が、1000cm -1以上8000cm -1以下の波数範囲に存在し、
 波数15000cm -1における過渡吸収強度に対する前記最大値の過渡吸収強度の比が10倍以上である
 ことを特徴とする構造物。
[請求項2]
 第1の結晶構造を有する第1の金属化合物と、
 前記第1の金属化合物の表面に位置し、前記第1の結晶構造と異なる第2の構造を有する第2の金属化合物層と、
 を備え、
 前記第2の金属化合物層は、厚さが10nm以下であり、
 表面に前記第2の金属化合物層を有する前記第1の金属化合物は、時間分解分光測定において第1の波数未満の波数範囲に吸収ピークを有する
 ことを特徴とする構造物。
[請求項3]
 前記第2の金属化合物層は、厚さが10nm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の構造物。
[請求項4]
 前記第2の金属化合物層の表面に、前記第1の結晶構造と異なる第3の構造を有する保護層をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項記載の構造物。
[請求項5]
 前記第2の構造がアモルファス構造であることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項記載の構造物。
[請求項6]
 前記第3の構造がアモルファス構造であることを特徴とする請求項4又は5記載の構造物。
[請求項7]
 前記過渡吸収強度の比が100倍以上であることを特徴とする請求項1記載の構造物。
[請求項8]
 前記第1の金属化合物が光触媒であることを特徴とする請求項1乃至7いずれか1項記載の構造物。
[請求項9]
 前記第1の金属化合物及び前記第2の金属化合物が金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、金属硫化物及び金属酸硫化物のいずれかであることを特徴とする請求項1乃至8いずれか1項記載の構造物。
[請求項10]
 第1の結晶構造を有する第1の金属化合物の表面に、前記第1の結晶構造と異なる第2の構造を有する第2の金属化合物層を形成する工程を備え、
 前記第2の金属化合物層は、原子層堆積装置により形成され、
 表面に前記第2の金属化合物層を有する前記第1の金属化合物は、レーザーパルス照射の5μs後に測定した時間分解分光測定において、1000cm -1以上20000cm -1以下の波数範囲内における過渡吸収強度の最大値が、1000cm -1以上8000cm -1以下の波数範囲に存在し、
 波数15000cm -1における過渡吸収強度に対する前記最大値の過渡吸収強度の比が10倍以上である
 ことを特徴とする構造物の製造方法。
[請求項11]
 第1の結晶構造を有する第1の金属化合物の表面に、前記第1の結晶構造と異なる第2の構造を有する第2の金属化合物層を形成する工程を備え、
 表面に前記第2の金属化合物層を有する前記第1の金属化合物は、時間分解分光測定において第1の波数未満の波数範囲に吸収ピークを有し、
 前記第2の金属化合物層は、原子層堆積装置により厚さが10nm以下となるように形成される
 ことを特徴とする構造物の製造方法。
[請求項12]
 前記第2の金属化合物層は、厚さが10nm以下となるように形成されることを特徴とする請求項10又は11記載の構造物の製造方法。
[請求項13]
 前記第2の金属化合物層の表面に、前記第1の結晶構造と異なる第3の構造を有する保護層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項10乃至11いずれか1項記載の構造物の製造方法。
[請求項14]
 前記第2の構造がアモルファス構造であることを特徴とする請求項10乃至13いずれか1項記載の構造物の製造方法。
[請求項15]
 前記第3の構造がアモルファス構造であることを特徴とする請求項13又は14記載の構造物の製造方法。
[請求項16]
 前記第1の金属化合物が光触媒であることを特徴とする請求項10乃至15いずれか1項記載の構造物の製造方法。
  • Applicant
  • ※All designated countries except for US in the data before July 2012
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • Inventor
  • YAMAKATA Akira
  • Junie Jhon Magdadaro Vequizo
  • Chandana Sampath Kumara Ranasinghe
IPC(International Patent Classification)
Specified countries National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DJ DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JO JP KE KG KH KN KP KR KW KZ LA LC LK LR LS LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN ST TD TG
Reference ( R and D project ) PRESTO Chemical conversion of light energy AREA
Please contact us by E-mail or facsimile if you have any interests on this patent.

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close