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4401 2010JP065835 WO 2011/030904 世界知的所有権機関(WIPO) NI3(SI, TI) INTERMETALLIC COMPOUND TO WHICH W IS ADDED, AND METHOD FOR PRODUCING SAME 2011/11/09 2011/12/02 大阪府立大学
4402 2006JP311847 WO 2006/137294 世界知的所有権機関(WIPO) X-RAY DIAGNOSIS SUPPORTING APPARATUS, PROGRAM, AND RECORDING MEDIUM 2007/02/09 2008/10/15 金沢大TLO
4403 2017JP035026 WO 2018062308 世界知的所有権機関(WIPO) X-RAY CT DEVICE, METHOD FOR MEASURING ELECTRON DENSITY AND EFFECTIVE ATOMIC NUMBER, CT SCANNING METHOD, AND INSPECTION METHOD 2018/07/24 2019/04/22 群馬大学
4404 2014JP059034 WO 2014157584 世界知的所有権機関(WIPO) METHOD FOR PRODUCING [18F]F- OR FLUORESCENT DYE-LABELED PEGYLATED BIOACTIVE SUBSTANCE, AND ANALYSIS OF IN VIVO KINETICS THEREOF 2015/03/26 2015/08/24 静岡県立大学
4405 2017JP037507 WO 2018074463 世界知的所有権機関(WIPO) THERAPEUTIC AGENT FOR NEUROPATHY IN ORGANIC ACIDEMIA OF WHICH MECHANISM RELIES ON INCREASE IN CAMP 2018/07/31 2018/07/31 熊本大学
4406 2012JP005838 WO 2013/038674 世界知的所有権機関(WIPO) RUTHENIUM MICROPARTICLES HAVING ESSENTIALLY FACE-CENTERED CUBIC STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING SAME 2013/04/11 2013/04/11 科学技術振興機構(JST)
4407 201314653641 10252253 アメリカ合衆国 G-C3N4 film 2019/08/26 2019/10/24 理化学研究所
4408 2006JP306338 WO 2006/112239 世界知的所有権機関(WIPO) hTERT GENE EXPRESSION REGULATORY GENE 新技術説明会 2012/04/11 2012/04/26 鳥取大学
4409 2012JP083945 WO 2013/100080 世界知的所有権機関(WIPO) METHOD FOR INDUCING DIFFERENTIATION ENABLING TUMORIGENESIS OF IPS CELLS TO BE SUPPRESSED 2013/07/18 2013/07/18 大阪大学
4410 2020JP007876 WO2020175592 世界知的所有権機関(WIPO) METHOD FOR PRODUCING OSTEOBLAST CLUSTER USING IPS CELLS 2020/10/29 2020/10/29 東北大学
4411 2012JP054800 WO 2012/115270 世界知的所有権機関(WIPO) METHOD FOR SELECTING IPS CELL CLONE, AND METHOD FOR SELECTING GENE USED IN METHOD FOR SELECTING SAME 2012/09/14 2012/09/25 慶應義塾大学
4412 2015JP006041 WO 2016088384 世界知的所有権機関(WIPO) IN VIVO STEALTH NANOPARTICLE 2016/08/04 2016/08/04 神戸大学
4413 2014JP003809 WO 2015011907 世界知的所有権機関(WIPO) K-NEAREST NEIGHBORS ASSOCIATIVE MEMORY 2015/04/03 2016/09/30 広島大学
4414 2020JP037706 WO 2021075293 世界知的所有権機関(WIPO) MRNA AND METHOD FOR PRODUCING SAME, AND APPARATUS FOR PRODUCING PROTEIN AND METHOD FOR PRODUCING PROTEIN NEW 2021/07/28 2021/07/28 科学技術振興機構(JST)
4415 2011JP064847 WO 2012/008302 世界知的所有権機関(WIPO) METHOD FOR PREPARING NOVEL HIPSC BY MEANS OF MIRNA INTRODUCTION 新技術説明会 2012/04/11 2012/04/26 鳥取大学
4416 2011JP063636 WO 2011/158847 世界知的所有権機関(WIPO) KIT FOR DETECTION OF GENE TARGETED BY MICRORNA, AND METHOD FOR DETECTION OF GENE TARGETED BY MICRORNA 2012/09/19 2013/09/17 岡山大学
4417 2019JP009867 WO 2019176901 世界知的所有権機関(WIPO) RELIEF FROM OSTEOARTHRITIS PAIN BY TARGETING MICRORNA-21 2019/10/28 2019/10/28 日本医科大学
4418 81587106 7902089 アメリカ合衆国 N-type transistor, production methods for n-type transistor and n-type transistor-use channel, and production method of nanotube structure exhibiting n-type semiconductor-like characteristics 2011/06/23 2018/07/23 科学技術振興機構(JST)
4419 20077017724 100924668 大韓民国 N-type transistor, production methods for n-type transistor sensor and n-type transistor-use channel, and production method of nanotube structure exhibiting n-type semiconductor-like characteristics 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4420 95597210 8008650 アメリカ合衆国 Transistor with nanotube structure exhibiting N-type semiconductor-like characteristics 2011/08/31 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4421 2007JP055855 WO 2008/035468 世界知的所有権機関(WIPO) THIN NANODIAMOND FILM HAVING n-TYPE CONDUCTIVITY AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 2008/11/27 2013/07/10 九州大学
4422 2014JP053512 WO 2014126211 世界知的所有権機関(WIPO) N-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL, THERMOELECTRIC CONVERSION COMPONENT, AND MANUFACTURING METHOD FOR N-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL 2015/03/23 2015/07/21 奈良先端科学技術大学院大学
4423 2010JP064257 WO 2011/024793 世界知的所有権機関(WIPO) pH OR CONCENTRATION MEASURING DEVICE AND pH OR CONCENTRATION MEASURING METHOD 2011/11/04 2011/12/02 岡山大学
4424 2014JP050073 WO 2014109314 世界知的所有権機関(WIPO) METHOD FOR IDENTIFYING pH, DEVICE FOR SAME, AND METHOD FOR IDENTIFYING ION CONCENTRATION 2015/01/08 2015/08/24 豊橋技術科学大学(とよはしTLO)
4425 2011JP064846 WO 2012/008301 世界知的所有権機関(WIPO) METHOD FOR PRODUCING NOVEL HIPSC BY MEANS OF SIRNA INTRODUCTION 新技術説明会 2012/04/11 2012/04/26 鳥取大学
4426 2015JP064196 WO 2015178343 世界知的所有権機関(WIPO) LIPID MEMBRANE STRUCTURE FOR siRNA INTRACELLULAR DELIVERY 新技術説明会 2016/02/05 2016/02/05 北海道大学
4427 2018JP022940 WO 2018230710 世界知的所有権機関(WIPO) LIPID MEMBRANE STRUCTURE FOR DELIVERY INTO SIRNA CELL 新技術説明会 2019/05/07 2019/05/07 北海道大学
4428 2018JP037257 WO 2019073902 世界知的所有権機関(WIPO) CELL PROLIFERATION DETECTION METHOD USING FLUORESCENCE IN WATER-IN-OIL EMULSION CULTURING 2019/07/25 2019/07/25 産総研
4429 33331803 6875981 アメリカ合衆国 Scanning atom probe and analysis method utilizing scanning atom probe 2008/01/18 2018/07/19 金沢工業大学
4430 41567401 7039567 アメリカ合衆国 System identification method 新技術説明会 実績あり 2008/04/25 2018/07/23 科学技術振興機構(JST)
4431 08568105 7498135 アメリカ合衆国 Method for preparing gene expression profile 2009/12/11 2010/08/27 放射線医学総合研究所
4432 2006JP326357 WO 2008/023451 世界知的所有権機関(WIPO) POSITRON EMISSION TOMOGRAPHY SCANNER AND RADIATION DETECTOR 2009/12/18 2010/05/24 放射線医学総合研究所
4433 87695301 6893616 アメリカ合衆国 Apparatus for converting both halogens in organic halides and organic compounds to inorganic substances 2010/01/12 2018/07/23 科学技術振興機構(JST)
4434 36337106 7744895 アメリカ合衆国 Methods of treating allergies using TGF-β1 and allergens 2010/09/30 2018/07/19 山梨大学
4435 45080307 8594404 アメリカ合衆国 PET scanner and image reconstruction method thereof 2010/11/29 2018/07/19 放射線医学総合研究所
4436 65869906 7671339 アメリカ合衆国 Positron emission tomography scanner and radiation detector 2010/11/29 2018/07/19 放射線医学総合研究所
4437 06514505 7868564 アメリカ合衆国 H-mode drift-tube linac and design method therefor 2010/12/02 2020/10/23 放射線医学総合研究所
4438 45186008 8652814 アメリカ合衆国 Method for production of DHA-containing phospholipid through microbial fermentation 新技術説明会 2011/05/25 2018/07/19 北海道大学
4439 08763991 2163641 欧州特許庁(EPO) Method for production of DHA-containing phospholipid through microbial fermentation 新技術説明会 2011/06/06 2012/04/25 北海道大学
4440 06802737 1928599 欧州特許庁(EPO) LEWIS ACID CATALYZED HALOGENATION OF ACTIVATED CARBON ATOMS 2011/07/01 2012/10/10 科学技術振興機構(JST)
4441 20740708 8450192 アメリカ合衆国 Growth of planar, non-polar, group-III nitride films 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4442 67033207 7847293 アメリカ合衆国 Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4443 57612209 8766296 アメリカ合衆国 Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4444 58194003 7704763 アメリカ合衆国 Highly efficient group-III nitride based light emitting diodes via fabrication of structures on an N-face surface 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4445 14089305 7208393 アメリカ合衆国 Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4446 69745707 7956360 アメリカ合衆国 Growth of planar reduced dislocation density M-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4447 37291406 7220324 アメリカ合衆国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4448 44408406 7361576 アメリカ合衆国 Defect reduction of non-polar and semi-polar III-Nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO) 2011/07/04 2016/11/15 科学技術振興機構(JST)
4449 04139808 07955983 アメリカ合衆国 Defect reduction of non-polar and semi-polar III-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO) 実績あり 2011/07/04 2011/07/04 科学技術振興機構(JST)
4450 44408306 7338828 アメリカ合衆国 Growth of planar non-polar {1 -1 0 0} m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4451 27258808 7723746 アメリカ合衆国 Packaging technique for the fabrication of polarized light emitting diodes 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4452 48622406 08148244 アメリカ合衆国 Lateral growth method for defect reduction of semipolar nitride films 実績あり 2011/07/04 2012/04/18 科学技術振興機構(JST)
4453 12380505 7186302 アメリカ合衆国 Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4454 37047909 8502246 アメリカ合衆国 Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4455 40328806 7795146 アメリカ合衆国 Etching technique for the fabrication of thin (Al, In, Ga)N layers 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4456 44494606 7846757 アメリカ合衆国 Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,A1,In,B)N thin films, heterostructures, and devices 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4457 95302910 8686466 アメリカ合衆国 Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4458 51779706 7575947 アメリカ合衆国 Method for enhancing growth of semi-polar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4459 65557307 7691658 アメリカ合衆国 Method for improved growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4460 76562907 7755172 アメリカ合衆国 Opto-electronic and electronic devices using N-face or M-plane GaN substrate prepared with ammonothermal growth 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4461 79261510 8263424 アメリカ合衆国 Opto-electronic and electronic devices using an N-face or M-plane gallium nitride substrate prepared via ammonothermal growth 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4462 00128607 7842527 アメリカ合衆国 Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices 実績あり 2011/07/04 2016/11/15 科学技術振興機構(JST)
4463 91490610 08178373 アメリカ合衆国 Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices 実績あり 2011/07/04 2012/05/23 科学技術振興機構(JST)
4464 00122707 9130119 アメリカ合衆国 Non-polar and semi-polar light emitting devices 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4465 03012408 7839903 アメリカ合衆国 Optimization of laser bar orientation for nonpolar and semipolar (Ga,Al,In,B)N diode lasers 実績あり 2011/07/05 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4466 23424408 8253221 アメリカ合衆国 Gallium nitride bulk crystals and their growth method 実績あり 2011/07/05 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4467 97766107 7803344 アメリカ合衆国 Method for growing group III-nitride crystals in a mixture of supercritical ammonia and nitrogen, and group III-nitride crystals grown thereby 実績あり 2011/07/05 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4468 08013572 1983009 欧州特許庁(EPO) Method for producing the fluorinated compounds and polymers 2011/07/06 2011/07/06 科学技術振興機構(JST)
4469 06737745 1869707 欧州特許庁(EPO) TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 実績あり 2011/07/07 2012/06/19 科学技術振興機構(JST)
4470 03819251 1697983 欧州特許庁(EPO) HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES HAVING SURFACE ROUGHENING 実績あり 2011/07/13 2012/06/19 科学技術振興機構(JST)
4471 200910142642 101604721 中華人民共和国 High-efficiency (B,Al,Ga,In)N group light-emitting diode by surface roughness treatment 2011/07/19 2011/07/19 科学技術振興機構(JST)
4472 200380110945 100521120 中華人民共和国 Highly efficient (B, Al, Ga, In) N based light emitting diodes via surface roughening 実績あり 2011/07/19 2011/07/19 科学技術振興機構(JST)
4473 200680007694 101138091 中華人民共和国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2011/07/19 2011/07/19 科学技術振興機構(JST)
4474 20087008003 101336840 大韓民国 Lewis acid catalyzed halogenation of activated carbon atoms 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4475 20117004218 101154494 大韓民国 Highly efficient group-III nitride based light emitting diodes via fabrication of structures on an N-face surface 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4476 20077023104 101145755 大韓民国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4477 20077030909 101351396 大韓民国 Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices 実績あり 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4478 20087008498 101347848 大韓民国 Method for enhancing growth of semi-polar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition 実績あり 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4479 20087020383 101510461 大韓民国 Method for improved growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N 実績あり 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4480 20057011014 101086155 大韓民国 Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり 2011/07/22 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4481 20067013748 101156146 大韓民国 Highly efficient group-iii nitride based light emitting diodes via fabrication of structures on an n-face surface 実績あり 2011/07/22 2021/05/06 科学技術振興機構(JST)
4482 20117007416 101145753 大韓民国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2011/08/02 2021/05/07 科学技術振興機構(JST)
4483 53738503 7427555 アメリカ合衆国 Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり 2011/08/31 2020/10/27 科学技術振興機構(JST)
4484 53764403 7220658 アメリカ合衆国 Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり 2011/08/31 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4485 62148207 7704331 アメリカ合衆国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2011/08/31 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4486 62147907 7504274 アメリカ合衆国 Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition 実績あり 2011/08/31 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4487 57883609 8252941 アメリカ合衆国 Process of making alpha-aminooxyketone/alpha-aminooxyaldehyde and alpha-hydroxyketone/alpha-hydroxyaldehyde compounds and a process making reaction products from cyclic alpha, beta-unsaturated ketone substrates and nitroso substrates 2011/09/05 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4488 57143406 7892653 アメリカ合衆国 Titanium alloy composite material, titanium clad material using the titanium alloy composite material, and method of producing the titanium clad material 実績あり 2011/10/25 2018/07/18 長野県工業技術総合センター
4489 96147275 I533351 台湾 Metalorganic chemical vapor deposition (mocvd) growth of high performance non-polar iii-nitride optical devices 実績あり 2011/11/02 2016/07/29 科学技術振興機構(JST)
4490 99105476 I402220 台湾 Activated metal salt flocculant and process for producing same 2011/11/09 2013/10/09 山口TLO
4491 2006SG000157 WO 2006/121414 世界知的所有権機関(WIPO) APPARATUS AND METHOD FOR DESALINATION 2011/11/28 2011/11/28 九州大学
4492 87011507 8097481 アメリカ合衆国 Growth of non-polar M-plane III-nitride film using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 実績あり 2012/01/26 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4493 71018110 8110482 アメリカ合衆国 Miscut semipolar optoelectronic device 2012/02/14 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4494 2697900 2697900 カナダ Inhibitor of ischemic disorders 2012/03/08 2015/09/03 福岡大学
4495 67512908 8242302 アメリカ合衆国 Inhibitor of ischemic disorders 2012/03/12 2018/07/19 福岡大学
4496 08828106 2199275 欧州特許庁(EPO) Inhibitor of ischemic disorders 2012/03/12 2016/01/21 福岡大学
4497 92139605 8709371 アメリカ合衆国 Method for growing group III-nitride crystals in supercritical ammonia using an autoclave 実績あり 2012/03/12 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4498 69796110 8128756 アメリカ合衆国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2012/03/12 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4499 200913061705 9019360 アメリカ合衆国 Microscope and a fluorescent observation method using the same 2012/03/22 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4500 55640004 8043854 アメリカ合衆国 Method of decellularizing tissues 2012/04/03 2018/07/19 早稲田大学

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