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4401 2011JP052630 WO 2011/099480 世界知的所有権機関(WIPO) METHOD FOR PRODUCING 18F-LABELED COMPOUND AND HIGH MOLECULAR COMPOUND TO BE USED IN THE METHOD 新技術説明会 2012/05/17 2012/05/31 東京工業大学
4402 2017JP021332 WO 2017213226 世界知的所有権機関(WIPO) POLYMER COMPOUND AND METHOD FOR MANIPULATING CELL USING SAME 2018/09/18 2019/02/01 産総研
4403 33331803 6875981 アメリカ合衆国 Scanning atom probe and analysis method utilizing scanning atom probe 2008/01/18 2018/07/19 金沢工業大学
4404 41567401 7039567 アメリカ合衆国 System identification method 新技術説明会 実績あり 2008/04/25 2018/07/23 科学技術振興機構(JST)
4405 47961401 7527869 アメリカ合衆国 Single crystal silicon carbide and method for producing the same 2009/05/22 2018/07/19 関西学院大学
4406 94869004 7510325 アメリカ合衆国 Phantom and phantom assembly 2009/12/11 2018/07/19 放射線医学総合研究所
4407 08568105 7498135 アメリカ合衆国 Method for preparing gene expression profile 2009/12/11 2010/08/27 放射線医学総合研究所
4408 2006JP326357 WO 2008/023451 世界知的所有権機関(WIPO) POSITRON EMISSION TOMOGRAPHY SCANNER AND RADIATION DETECTOR 2009/12/18 2010/05/24 放射線医学総合研究所
4409 87695301 6893616 アメリカ合衆国 Apparatus for converting both halogens in organic halides and organic compounds to inorganic substances 2010/01/12 2018/07/23 科学技術振興機構(JST)
4410 36337106 7744895 アメリカ合衆国 Methods of treating allergies using TGF-β1 and allergens 2010/09/30 2018/07/19 山梨大学
4411 45080307 8594404 アメリカ合衆国 PET scanner and image reconstruction method thereof 2010/11/29 2018/07/19 放射線医学総合研究所
4412 65869906 7671339 アメリカ合衆国 Positron emission tomography scanner and radiation detector 2010/11/29 2018/07/19 放射線医学総合研究所
4413 06514505 7868564 アメリカ合衆国 H-mode drift-tube linac and design method therefor 2010/12/02 2020/10/23 放射線医学総合研究所
4414 45186008 8652814 アメリカ合衆国 Method for production of DHA-containing phospholipid through microbial fermentation 新技術説明会 2011/05/25 2018/07/19 北海道大学
4415 08763991 2163641 欧州特許庁(EPO) Method for production of DHA-containing phospholipid through microbial fermentation 新技術説明会 2011/06/06 2012/04/25 北海道大学
4416 06802737 1928599 欧州特許庁(EPO) LEWIS ACID CATALYZED HALOGENATION OF ACTIVATED CARBON ATOMS 2011/07/01 2012/10/10 科学技術振興機構(JST)
4417 20740708 8450192 アメリカ合衆国 Growth of planar, non-polar, group-III nitride films 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4418 67033207 7847293 アメリカ合衆国 Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4419 57612209 8766296 アメリカ合衆国 Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4420 58194003 7704763 アメリカ合衆国 Highly efficient group-III nitride based light emitting diodes via fabrication of structures on an N-face surface 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4421 14089305 7208393 アメリカ合衆国 Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4422 69745707 7956360 アメリカ合衆国 Growth of planar reduced dislocation density M-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4423 37291406 7220324 アメリカ合衆国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4424 44408406 7361576 アメリカ合衆国 Defect reduction of non-polar and semi-polar III-Nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO) 2011/07/04 2016/11/15 科学技術振興機構(JST)
4425 04139808 07955983 アメリカ合衆国 Defect reduction of non-polar and semi-polar III-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO) 実績あり 2011/07/04 2011/07/04 科学技術振興機構(JST)
4426 44408306 7338828 アメリカ合衆国 Growth of planar non-polar {1 -1 0 0} m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4427 47218606 7518159 アメリカ合衆国 Packaging technique for the fabrication of polarized light emitting diodes 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4428 27258808 7723746 アメリカ合衆国 Packaging technique for the fabrication of polarized light emitting diodes 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4429 48622406 08148244 アメリカ合衆国 Lateral growth method for defect reduction of semipolar nitride films 実績あり 2011/07/04 2012/04/18 科学技術振興機構(JST)
4430 12380505 7186302 アメリカ合衆国 Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4431 37047909 8502246 アメリカ合衆国 Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4432 40328806 7795146 アメリカ合衆国 Etching technique for the fabrication of thin (Al, In, Ga)N layers 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4433 44494606 7846757 アメリカ合衆国 Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,A1,In,B)N thin films, heterostructures, and devices 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4434 95302910 8686466 アメリカ合衆国 Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4435 51779706 7575947 アメリカ合衆国 Method for enhancing growth of semi-polar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4436 65557307 7691658 アメリカ合衆国 Method for improved growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4437 76562907 7755172 アメリカ合衆国 Opto-electronic and electronic devices using N-face or M-plane GaN substrate prepared with ammonothermal growth 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4438 79261510 8263424 アメリカ合衆国 Opto-electronic and electronic devices using an N-face or M-plane gallium nitride substrate prepared via ammonothermal growth 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4439 00128607 7842527 アメリカ合衆国 Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices 実績あり 2011/07/04 2016/11/15 科学技術振興機構(JST)
4440 91490610 08178373 アメリカ合衆国 Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices 実績あり 2011/07/04 2012/05/23 科学技術振興機構(JST)
4441 00122707 9130119 アメリカ合衆国 Non-polar and semi-polar light emitting devices 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4442 03012408 7839903 アメリカ合衆国 Optimization of laser bar orientation for nonpolar and semipolar (Ga,Al,In,B)N diode lasers 実績あり 2011/07/05 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4443 23424408 8253221 アメリカ合衆国 Gallium nitride bulk crystals and their growth method 実績あり 2011/07/05 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4444 97766107 7803344 アメリカ合衆国 Method for growing group III-nitride crystals in a mixture of supercritical ammonia and nitrogen, and group III-nitride crystals grown thereby 実績あり 2011/07/05 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4445 08013572 1983009 欧州特許庁(EPO) Method for producing the fluorinated compounds and polymers 2011/07/06 2011/07/06 科学技術振興機構(JST)
4446 06737745 1869707 欧州特許庁(EPO) TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 実績あり 2011/07/07 2012/06/19 科学技術振興機構(JST)
4447 03819251 1697983 欧州特許庁(EPO) HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES HAVING SURFACE ROUGHENING 実績あり 2011/07/13 2012/06/19 科学技術振興機構(JST)
4448 200910142642 101604721 中華人民共和国 High-efficiency (B,Al,Ga,In)N group light-emitting diode by surface roughness treatment 2011/07/19 2011/07/19 科学技術振興機構(JST)
4449 200380110945 100521120 中華人民共和国 Highly efficient (B, Al, Ga, In) N based light emitting diodes via surface roughening 実績あり 2011/07/19 2011/07/19 科学技術振興機構(JST)
4450 200680007694 101138091 中華人民共和国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2011/07/19 2011/07/19 科学技術振興機構(JST)
4451 20087008003 101336840 大韓民国 Lewis acid catalyzed halogenation of activated carbon atoms UPDATE 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4452 20117004218 101154494 大韓民国 Highly efficient group-III nitride based light emitting diodes via fabrication of structures on an N-face surface UPDATE 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4453 20077023104 101145755 大韓民国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride UPDATE 実績あり 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4454 20077030909 101351396 大韓民国 Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices UPDATE 実績あり 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4455 20087008498 101347848 大韓民国 Method for enhancing growth of semi-polar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition UPDATE 実績あり 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4456 20087020383 101510461 大韓民国 Method for improved growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N UPDATE 実績あり 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4457 20057011014 101086155 大韓民国 Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy UPDATE 実績あり 2011/07/22 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4458 20067013748 101156146 大韓民国 Highly efficient group-iii nitride based light emitting diodes via fabrication of structures on an n-face surface UPDATE 実績あり 2011/07/22 2021/05/06 科学技術振興機構(JST)
4459 20117007416 101145753 大韓民国 TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 実績あり 2011/08/02 2013/01/30 科学技術振興機構(JST)
4460 53738503 7427555 アメリカ合衆国 Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり 2011/08/31 2020/10/27 科学技術振興機構(JST)
4461 53764403 7220658 アメリカ合衆国 Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり 2011/08/31 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4462 62148207 7704331 アメリカ合衆国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2011/08/31 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4463 62147907 7504274 アメリカ合衆国 Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition 実績あり 2011/08/31 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4464 57883609 8252941 アメリカ合衆国 Process of making alpha-aminooxyketone/alpha-aminooxyaldehyde and alpha-hydroxyketone/alpha-hydroxyaldehyde compounds and a process making reaction products from cyclic alpha, beta-unsaturated ketone substrates and nitroso substrates 2011/09/05 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4465 57143406 7892653 アメリカ合衆国 Titanium alloy composite material, titanium clad material using the titanium alloy composite material, and method of producing the titanium clad material 実績あり 2011/10/25 2018/07/18 長野県工業技術総合センター
4466 96147275 I533351 台湾 Metalorganic chemical vapor deposition (mocvd) growth of high performance non-polar iii-nitride optical devices 実績あり 2011/11/02 2016/07/29 科学技術振興機構(JST)
4467 99105476 I402220 台湾 Activated metal salt flocculant and process for producing same 2011/11/09 2013/10/09 山口TLO
4468 2006SG000157 WO 2006/121414 世界知的所有権機関(WIPO) APPARATUS AND METHOD FOR DESALINATION 2011/11/28 2011/11/28 九州大学
4469 87011507 8097481 アメリカ合衆国 Growth of non-polar M-plane III-nitride film using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 実績あり 2012/01/26 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4470 71018110 8110482 アメリカ合衆国 Miscut semipolar optoelectronic device 2012/02/14 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4471 2697900 2697900 カナダ Inhibitor of ischemic disorders 2012/03/08 2015/09/03 福岡大学
4472 67512908 8242302 アメリカ合衆国 Inhibitor of ischemic disorders 2012/03/12 2018/07/19 福岡大学
4473 08828106 2199275 欧州特許庁(EPO) Inhibitor of ischemic disorders 2012/03/12 2016/01/21 福岡大学
4474 92139605 8709371 アメリカ合衆国 Method for growing group III-nitride crystals in supercritical ammonia using an autoclave 実績あり 2012/03/12 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4475 69796110 8128756 アメリカ合衆国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2012/03/12 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4476 200913061705 9019360 アメリカ合衆国 Microscope and a fluorescent observation method using the same 2012/03/22 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4477 55640004 8043854 アメリカ合衆国 Method of decellularizing tissues 2012/04/03 2018/07/19 早稲田大学
4478 04732472 1625832 欧州特許庁(EPO) METHOD OF REMOVING CELL 2012/04/03 2012/04/03 早稲田大学
4479 2004238128 2004238128 オーストラリア Method of removing cell 2012/04/03 2012/04/03 早稲田大学
4480 200480013198 100544685 中華人民共和国 Biopsy processing device 2012/04/03 2012/06/27 早稲田大学
4481 2012JP002129 WO 2013/144999 世界知的所有権機関(WIPO) NEURONAL CULTURE MEDIUM AND METHOD FOR PRODUCING IN VIVO-LIKE AND ENHANCED SYNAPTOGENESIS NEURON MODEL 2012/04/09 2013/10/16 沖縄科学技術大学院大学学園(OIST)
4482 11154566 2320482 欧州特許庁(EPO) Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening 2012/05/21 2016/11/25 科学技術振興機構(JST)
4483 2012JP064237 WO 2012/165602 世界知的所有権機関(WIPO) COGNITIVE DYSFUNCTION-DETERMINING EQUIPMENT, COGNITIVE DYSFUNCTION-DETERMINING SYSTEM, AND PROGRAM 2012/08/22 2012/12/12 名古屋工業大学
4484 53010208 8294538 アメリカ合衆国 Transmission line microwave apparatus including at least one non-reciprocal transmission line part between two parts 2012/11/19 2018/07/19 科学技術振興機構(JST)
4485 45195808 8216506 アメリカ合衆国 Method of processing plant 2012/11/19 2018/07/19 京都工芸繊維大学
4486 201013138408 8654343 アメリカ合衆国 Interference measurement apparatus and method for measuring interference 2012/11/19 2018/07/19 京都工芸繊維大学
4487 201013201318 8725431 アメリカ合衆国 Tactile sensor unit, robot including the tactile sensor unit, and load calculation method 2012/11/19 2018/07/19 京都工芸繊維大学
4488 201013375945 8669833 アメリカ合衆国 Three-dimensional metamaterial having function of allowing and inhibiting propagation of electromagnetic waves 2012/11/19 2018/07/19 京都工芸繊維大学
4489 09710589 2246695 欧州特許庁(EPO) METHOD AND DEVICE OF DIAGNOSING DAMAGE OF STRUCTURAL OBJECT 2012/11/19 2012/11/19 京都工芸繊維大学
4490 20127010536 101499203 大韓民国 Growth of planar non-polar (1-100) m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 実績あり 2012/11/22 2015/09/28 科学技術振興機構(JST)
4491 2012JP052565 WO 2012/105707 世界知的所有権機関(WIPO) METHOD OF TREATING ISCHEMIA/REPERFUSION INJURY 2013/03/22 2013/03/22 東京理科大学
4492 2010JP071339 WO 2011/104964 世界知的所有権機関(WIPO) PLANT NUTRITIONAL STATE DIAGNOSIS METHOD, PLANT NUTRITIONAL STATE RECOVERY METHOD, PLANT NUTRITIONAL STATE DIAGNOSIS DEVICE, AND PLANT NUTRITIONAL STATE RECOVERY DEVICE 2013/03/22 2013/03/22 明治大学
4493 08778321 2181612 欧州特許庁(EPO) FOOD PROCESSING METHOD AND FOOD PROCESSING APPARATUS 2013/03/27 2013/08/28 日本医科大学
4494 2012JP062775 WO 2012/157744 世界知的所有権機関(WIPO) 1-THIOXO-1,2,3,4-TETRAHYDRO-ss-CARBOLINE DERIVATIVE AND ANTI-CANCER AGENT COMPRISING SAME 2013/04/02 2013/04/02 富山大学
4495 2012JP072765 WO 2013/035794 世界知的所有権機関(WIPO) WAVE-ABSORBING STRUCTURE 2013/04/02 2013/04/02 富山大学
4496 26657908 8247428 アメリカ合衆国 Indole alkaloid derivatives having opioid receptor agonistic effect, and therapeutic compositions and methods relating to same 2013/04/03 2018/07/19 千葉大学
4497 201213549564 8648090 アメリカ合衆国 Indole alkaloid derivatives having opioid receptor agonistic effect, and therapeutic compositions and methods relating to same 2013/04/03 2018/07/19 千葉大学
4498 2012JP001118 WO 2012/117688 世界知的所有権機関(WIPO) HEMOGLOBIN-ALBUMIN COMPLEX, AND ARTIFICIAL PLASMA EXPANDER AND ARTIFICIAL OXYGEN CARRIER, EACH CONTAINING SAME 新技術説明会 2013/04/17 2013/04/17 中央大学
4499 2012JP061630 WO 2012/147992 世界知的所有権機関(WIPO) ANTI-iPS/ES CELL-SPECIFIC ANTIBODY AND USE THEREOF 2013/06/20 2013/06/20 立命館大学
4500 57497804 7471045 アメリカ合衆国 Microwave generator 実績あり 2013/07/10 2018/07/19 京都大学

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