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4401 2012JP071492 WO 2013/031700 世界知的所有権機関(WIPO) METHOD FOR EXCLUSIVE SELECTION OF CIRCULARIZED DNA FROM MONOMOLECULAR DNA WHEN CIRCULARIZING DNA MOLECULES 2013/07/16 2013/07/16 久留米大学
4402 2009JP064053 WO 2010/016587 世界知的所有権機関(WIPO) METHOD FOR EVALUATING SPECIFIC INCORPORATION OF D-GLUCOSE INTO CELLS 2011/03/04 2011/03/18 弘前大学
4403 2009JP067942 WO 2010/044474 世界知的所有権機関(WIPO) THERAPEUTIC AGENT FOR HEPATITIS C 2011/05/20 2011/05/25 横浜市立大学
4404 2013JP072964 WO 2014034700 世界知的所有権機関(WIPO) CELL PROLIFERATION REGULATION COMPOSITION CONTAINING PEPTIDE COMPRISING PARTIAL AMINO ACID SEQUENCE FOR BBF2H7 (BBF2 human homologue on chromosome7) OR ANTIBODY CAPABLE OF BINDING TO SAID PEPTIDE 2015/01/26 2019/04/23 広島大学
4405 2010JP059022 WO 2010/137660 世界知的所有権機関(WIPO) A/D CONVERSION INTEGRATED CIRCUIT 2011/07/14 2011/08/01 静岡大学
4406 2011JP000144 WO 2011/086931 世界知的所有権機関(WIPO) THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME 2011/08/03 2011/08/26 科学技術振興機構(JST)
4407 2008JP054729 WO 2008/120556 世界知的所有権機関(WIPO) THREE-DIMENSIONAL LEFT-HANDED METAMATERIAL 2009/01/30 2009/01/30 山口TLO
4408 2009JP001999 WO 2009/136496 世界知的所有権機関(WIPO) THREE-DIMENSIONALLY INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 2011/05/06 2011/05/25 九州工業大学
4409 86758209 8445652 アメリカ合衆国 3, 6-O-bridged pyranose inversion compound and process for producing B-O-pyranoside 2012/04/27 2018/07/19 関西学院大学
4410 2020JP047259 - 世界知的所有権機関(WIPO) 2 degrees of freedom motor (Patent unpublished to the public) NEW 新技術説明会 2021/04/07 2021/04/07 横浜国立大学
4411 2012JP059462 WO 2012/137899 世界知的所有権機関(WIPO) PARASITE SUPPRESSING ONSET OF TYPE 2 DIABETES 2012/10/25 2012/10/25 麻布大学
4412 2011JP052630 WO 2011/099480 世界知的所有権機関(WIPO) METHOD FOR PRODUCING 18F-LABELED COMPOUND AND HIGH MOLECULAR COMPOUND TO BE USED IN THE METHOD 新技術説明会 2012/05/17 2012/05/31 東京工業大学
4413 2017JP021332 WO 2017213226 世界知的所有権機関(WIPO) POLYMER COMPOUND AND METHOD FOR MANIPULATING CELL USING SAME 2018/09/18 2019/02/01 産総研
4414 33331803 6875981 アメリカ合衆国 Scanning atom probe and analysis method utilizing scanning atom probe 2008/01/18 2018/07/19 金沢工業大学
4415 41567401 7039567 アメリカ合衆国 System identification method 新技術説明会 実績あり 2008/04/25 2018/07/23 科学技術振興機構(JST)
4416 47961401 7527869 アメリカ合衆国 Single crystal silicon carbide and method for producing the same 2009/05/22 2018/07/19 関西学院大学
4417 94869004 7510325 アメリカ合衆国 Phantom and phantom assembly 2009/12/11 2018/07/19 放射線医学総合研究所
4418 08568105 7498135 アメリカ合衆国 Method for preparing gene expression profile 2009/12/11 2010/08/27 放射線医学総合研究所
4419 2006JP326357 WO 2008/023451 世界知的所有権機関(WIPO) POSITRON EMISSION TOMOGRAPHY SCANNER AND RADIATION DETECTOR 2009/12/18 2010/05/24 放射線医学総合研究所
4420 87695301 6893616 アメリカ合衆国 Apparatus for converting both halogens in organic halides and organic compounds to inorganic substances 2010/01/12 2018/07/23 科学技術振興機構(JST)
4421 36337106 7744895 アメリカ合衆国 Methods of treating allergies using TGF-β1 and allergens 2010/09/30 2018/07/19 山梨大学
4422 45080307 8594404 アメリカ合衆国 PET scanner and image reconstruction method thereof 2010/11/29 2018/07/19 放射線医学総合研究所
4423 65869906 7671339 アメリカ合衆国 Positron emission tomography scanner and radiation detector 2010/11/29 2018/07/19 放射線医学総合研究所
4424 06514505 7868564 アメリカ合衆国 H-mode drift-tube linac and design method therefor 2010/12/02 2020/10/23 放射線医学総合研究所
4425 45186008 8652814 アメリカ合衆国 Method for production of DHA-containing phospholipid through microbial fermentation 新技術説明会 2011/05/25 2018/07/19 北海道大学
4426 08763991 2163641 欧州特許庁(EPO) Method for production of DHA-containing phospholipid through microbial fermentation 新技術説明会 2011/06/06 2012/04/25 北海道大学
4427 06802737 1928599 欧州特許庁(EPO) LEWIS ACID CATALYZED HALOGENATION OF ACTIVATED CARBON ATOMS 2011/07/01 2012/10/10 科学技術振興機構(JST)
4428 20740708 8450192 アメリカ合衆国 Growth of planar, non-polar, group-III nitride films 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4429 67033207 7847293 アメリカ合衆国 Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4430 57612209 8766296 アメリカ合衆国 Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4431 58194003 7704763 アメリカ合衆国 Highly efficient group-III nitride based light emitting diodes via fabrication of structures on an N-face surface 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4432 14089305 7208393 アメリカ合衆国 Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4433 69745707 7956360 アメリカ合衆国 Growth of planar reduced dislocation density M-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4434 37291406 7220324 アメリカ合衆国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4435 44408406 7361576 アメリカ合衆国 Defect reduction of non-polar and semi-polar III-Nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO) 2011/07/04 2016/11/15 科学技術振興機構(JST)
4436 04139808 07955983 アメリカ合衆国 Defect reduction of non-polar and semi-polar III-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO) 実績あり 2011/07/04 2011/07/04 科学技術振興機構(JST)
4437 44408306 7338828 アメリカ合衆国 Growth of planar non-polar {1 -1 0 0} m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4438 47218606 7518159 アメリカ合衆国 Packaging technique for the fabrication of polarized light emitting diodes 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4439 27258808 7723746 アメリカ合衆国 Packaging technique for the fabrication of polarized light emitting diodes 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4440 48622406 08148244 アメリカ合衆国 Lateral growth method for defect reduction of semipolar nitride films 実績あり 2011/07/04 2012/04/18 科学技術振興機構(JST)
4441 12380505 7186302 アメリカ合衆国 Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4442 37047909 8502246 アメリカ合衆国 Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4443 40328806 7795146 アメリカ合衆国 Etching technique for the fabrication of thin (Al, In, Ga)N layers 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4444 44494606 7846757 アメリカ合衆国 Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,A1,In,B)N thin films, heterostructures, and devices 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4445 95302910 8686466 アメリカ合衆国 Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4446 51779706 7575947 アメリカ合衆国 Method for enhancing growth of semi-polar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4447 65557307 7691658 アメリカ合衆国 Method for improved growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4448 76562907 7755172 アメリカ合衆国 Opto-electronic and electronic devices using N-face or M-plane GaN substrate prepared with ammonothermal growth 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4449 79261510 8263424 アメリカ合衆国 Opto-electronic and electronic devices using an N-face or M-plane gallium nitride substrate prepared via ammonothermal growth 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4450 00128607 7842527 アメリカ合衆国 Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices 実績あり 2011/07/04 2016/11/15 科学技術振興機構(JST)
4451 91490610 08178373 アメリカ合衆国 Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices 実績あり 2011/07/04 2012/05/23 科学技術振興機構(JST)
4452 00122707 9130119 アメリカ合衆国 Non-polar and semi-polar light emitting devices 実績あり 2011/07/04 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4453 03012408 7839903 アメリカ合衆国 Optimization of laser bar orientation for nonpolar and semipolar (Ga,Al,In,B)N diode lasers 実績あり 2011/07/05 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4454 23424408 8253221 アメリカ合衆国 Gallium nitride bulk crystals and their growth method 実績あり 2011/07/05 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4455 97766107 7803344 アメリカ合衆国 Method for growing group III-nitride crystals in a mixture of supercritical ammonia and nitrogen, and group III-nitride crystals grown thereby 実績あり 2011/07/05 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4456 08013572 1983009 欧州特許庁(EPO) Method for producing the fluorinated compounds and polymers 2011/07/06 2011/07/06 科学技術振興機構(JST)
4457 06737745 1869707 欧州特許庁(EPO) TECHNIQUE FOR THE GROWTH OF PLANAR SEMI-POLAR GALLIUM NITRIDE 実績あり 2011/07/07 2012/06/19 科学技術振興機構(JST)
4458 03819251 1697983 欧州特許庁(EPO) HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES HAVING SURFACE ROUGHENING 実績あり 2011/07/13 2012/06/19 科学技術振興機構(JST)
4459 200910142642 101604721 中華人民共和国 High-efficiency (B,Al,Ga,In)N group light-emitting diode by surface roughness treatment 2011/07/19 2011/07/19 科学技術振興機構(JST)
4460 200380110945 100521120 中華人民共和国 Highly efficient (B, Al, Ga, In) N based light emitting diodes via surface roughening 実績あり 2011/07/19 2011/07/19 科学技術振興機構(JST)
4461 200680007694 101138091 中華人民共和国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2011/07/19 2011/07/19 科学技術振興機構(JST)
4462 20087008003 101336840 大韓民国 Lewis acid catalyzed halogenation of activated carbon atoms UPDATE 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4463 20117004218 101154494 大韓民国 Highly efficient group-III nitride based light emitting diodes via fabrication of structures on an N-face surface UPDATE 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4464 20077023104 101145755 大韓民国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride UPDATE 実績あり 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4465 20077030909 101351396 大韓民国 Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices UPDATE 実績あり 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4466 20087008498 101347848 大韓民国 Method for enhancing growth of semi-polar (Al,In,Ga,B)N via metalorganic chemical vapor deposition UPDATE 実績あり 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4467 20087020383 101510461 大韓民国 Method for improved growth of semipolar (Al,In,Ga,B)N UPDATE 実績あり 2011/07/21 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4468 20057011014 101086155 大韓民国 Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy UPDATE 実績あり 2011/07/22 2021/04/28 科学技術振興機構(JST)
4469 20067013748 101156146 大韓民国 Highly efficient group-iii nitride based light emitting diodes via fabrication of structures on an n-face surface UPDATE 実績あり 2011/07/22 2021/05/06 科学技術振興機構(JST)
4470 20117007416 101145753 大韓民国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride UPDATE 実績あり 2011/08/02 2021/05/07 科学技術振興機構(JST)
4471 53738503 7427555 アメリカ合衆国 Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり 2011/08/31 2020/10/27 科学技術振興機構(JST)
4472 53764403 7220658 アメリカ合衆国 Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 実績あり 2011/08/31 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4473 62148207 7704331 アメリカ合衆国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2011/08/31 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4474 62147907 7504274 アメリカ合衆国 Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition 実績あり 2011/08/31 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4475 57883609 8252941 アメリカ合衆国 Process of making alpha-aminooxyketone/alpha-aminooxyaldehyde and alpha-hydroxyketone/alpha-hydroxyaldehyde compounds and a process making reaction products from cyclic alpha, beta-unsaturated ketone substrates and nitroso substrates 2011/09/05 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4476 57143406 7892653 アメリカ合衆国 Titanium alloy composite material, titanium clad material using the titanium alloy composite material, and method of producing the titanium clad material 実績あり 2011/10/25 2018/07/18 長野県工業技術総合センター
4477 96147275 I533351 台湾 Metalorganic chemical vapor deposition (mocvd) growth of high performance non-polar iii-nitride optical devices 実績あり 2011/11/02 2016/07/29 科学技術振興機構(JST)
4478 99105476 I402220 台湾 Activated metal salt flocculant and process for producing same 2011/11/09 2013/10/09 山口TLO
4479 2006SG000157 WO 2006/121414 世界知的所有権機関(WIPO) APPARATUS AND METHOD FOR DESALINATION 2011/11/28 2011/11/28 九州大学
4480 87011507 8097481 アメリカ合衆国 Growth of non-polar M-plane III-nitride film using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 実績あり 2012/01/26 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4481 71018110 8110482 アメリカ合衆国 Miscut semipolar optoelectronic device 2012/02/14 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4482 2697900 2697900 カナダ Inhibitor of ischemic disorders 2012/03/08 2015/09/03 福岡大学
4483 67512908 8242302 アメリカ合衆国 Inhibitor of ischemic disorders 2012/03/12 2018/07/19 福岡大学
4484 08828106 2199275 欧州特許庁(EPO) Inhibitor of ischemic disorders 2012/03/12 2016/01/21 福岡大学
4485 92139605 8709371 アメリカ合衆国 Method for growing group III-nitride crystals in supercritical ammonia using an autoclave 実績あり 2012/03/12 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4486 69796110 8128756 アメリカ合衆国 Technique for the growth of planar semi-polar gallium nitride 実績あり 2012/03/12 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4487 200913061705 9019360 アメリカ合衆国 Microscope and a fluorescent observation method using the same 2012/03/22 2018/07/20 科学技術振興機構(JST)
4488 55640004 8043854 アメリカ合衆国 Method of decellularizing tissues 2012/04/03 2018/07/19 早稲田大学
4489 04732472 1625832 欧州特許庁(EPO) METHOD OF REMOVING CELL 2012/04/03 2012/04/03 早稲田大学
4490 2004238128 2004238128 オーストラリア Method of removing cell 2012/04/03 2012/04/03 早稲田大学
4491 200480013198 100544685 中華人民共和国 Biopsy processing device 2012/04/03 2012/06/27 早稲田大学
4492 2012JP002129 WO 2013/144999 世界知的所有権機関(WIPO) NEURONAL CULTURE MEDIUM AND METHOD FOR PRODUCING IN VIVO-LIKE AND ENHANCED SYNAPTOGENESIS NEURON MODEL 2012/04/09 2013/10/16 沖縄科学技術大学院大学学園(OIST)
4493 11154566 2320482 欧州特許庁(EPO) Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening 2012/05/21 2016/11/25 科学技術振興機構(JST)
4494 2012JP064237 WO 2012/165602 世界知的所有権機関(WIPO) COGNITIVE DYSFUNCTION-DETERMINING EQUIPMENT, COGNITIVE DYSFUNCTION-DETERMINING SYSTEM, AND PROGRAM 2012/08/22 2012/12/12 名古屋工業大学
4495 53010208 8294538 アメリカ合衆国 Transmission line microwave apparatus including at least one non-reciprocal transmission line part between two parts 2012/11/19 2018/07/19 科学技術振興機構(JST)
4496 45195808 8216506 アメリカ合衆国 Method of processing plant 2012/11/19 2018/07/19 京都工芸繊維大学
4497 201013138408 8654343 アメリカ合衆国 Interference measurement apparatus and method for measuring interference 2012/11/19 2018/07/19 京都工芸繊維大学
4498 201013201318 8725431 アメリカ合衆国 Tactile sensor unit, robot including the tactile sensor unit, and load calculation method 2012/11/19 2018/07/19 京都工芸繊維大学
4499 201013375945 8669833 アメリカ合衆国 Three-dimensional metamaterial having function of allowing and inhibiting propagation of electromagnetic waves 2012/11/19 2018/07/19 京都工芸繊維大学
4500 09710589 2246695 欧州特許庁(EPO) METHOD AND DEVICE OF DIAGNOSING DAMAGE OF STRUCTURAL OBJECT 2012/11/19 2012/11/19 京都工芸繊維大学

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