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AlN分極反転構造の製造方法 UPDATE

Patent code P210017437
File No. H30053
Posted date 2021年3月2日
Application number 特願2019-101995
Publication number 特開2020-197562
Date of filing 令和元年5月31日(2019.5.31)
Date of publication of application 令和2年12月10日(2020.12.10)
Inventor
  • 岡田 成仁
  • 只友 一行
Applicant
  • 国立大学法人山口大学
Title AlN分極反転構造の製造方法 UPDATE
Abstract 【課題】歩留まりが高いAlN分極反転構造の製造方法を提供する。
【解決手段】AlN分極反転構造の製造方法では、厚さ方向に分極した第1AlN層11の表面を、Al源ガス及びN源ガスが流通する雰囲気に曝し、第1AlN層11上にAlNを結晶成長させて第1AlN層11とは分極が反転した第2AlN層12を形成する。
【選択図】図2
Outline of related art and contending technology

高出力レーザの開発において、既存のレーザに非線形光学結晶を組み合わせて第二次高調波発生(SHG)を利用することが検討されている。ここで、非線形光学材料としては、例えば分極反転構造を含むAlN結晶が挙げられる。そして、非特許文献1には、その製造方法として、c面サファイア基板上にスパッタリングによりAlNを成膜したものを2個作製し、それらをAlN同士が当接するように重ねてアニーリングすることにより接合するFFA法(Face-to-Face Annealing)が開示されている。

Field of industrial application

本発明は、AlN分極反転構造の製造方法に関する。

Scope of claims 【請求項1】
厚さ方向に分極した第1AlN層の表面を、Al源ガス及びN源ガスが流通する雰囲気に曝し、前記第1AlN層上にAlNを結晶成長させて前記第1AlN層とは分極が反転した第2AlN層を形成するAlN分極反転構造の製造方法。

【請求項2】
請求項1に記載されたAlN分極反転構造の製造方法において、
前記Al源ガスによるAl原子の供給モル数に対する前記N源ガスによるN原子の供給モル数の比であるV/III比を1以上20以下とするAlN分極反転構造の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2019101995thum.jpg
State of application right 公開
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