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カルシウムシリサイド薄膜の成長方法

Patent code P04A005606
File No. ShIP‐Z102
Posted date 2005年1月18日
Application number 特願2001-086119
Publication number 特開2002-289627
Patent number 特許第3584284号
Date of filing 平成13年3月23日(2001.3.23)
Date of publication of application 平成14年10月4日(2002.10.4)
Date of registration 平成16年8月13日(2004.8.13)
Inventor
  • 松井 宏樹
  • 倉本 護
  • 小野 努
  • 野瀬 康男
  • 百瀬 与志美
  • 立岡 浩一
  • 桑原 弘
Applicant
  • 国立大学法人静岡大学
Title カルシウムシリサイド薄膜の成長方法
Abstract 【課題】 シリコン基板にマグネシウムシリサイド薄膜を介してCa:Siのモル比が2:1のカルシウムシリサイド(Ca2Si)単相の薄膜を成長する方法を提供する。
【解決手段】 マグネシウムシリサイド薄膜が形成されたシリコン基板を密閉空間内でカルシウム蒸気雰囲気に曝して前記マグネシウムシリサイド薄膜のマグネシウム原子とカルシウム原子とを置換反応させることにより前記マグネシウムシリサイド薄膜表面にカルシウムシリサイド薄膜を成長させることを特徴とする。
Outline of related art and contending technology


半導体シリサイド材料には、生体に無害で豊富な資源の元素からなる材料が多く、環境にやさしい光電変換デバイスへの応用が期待されている。中でも、CaSiは可視領域に対応する大きなギャンドギャップを有し、可視領域光電変換デバイス、特に太陽電池への応用が期待されている。

Field of industrial application


本発明は、カルシウムシリサイド(CaSi)薄膜の成長方法に関し、詳しくは光電変換素子への応用が可能なカルシウムシリサイド薄膜の成長方法に係る。

Scope of claims 【請求項1】マグネシウムシリサイド薄膜が形成されたシリコン基板を密閉空間内でカルシウム蒸気雰囲気に曝して前記マグネシウムシリサイド薄膜のマグネシウム原子と前記蒸気化されたカルシウム原子とを置換反応させることにより前記マグネシウムシリサイド薄膜表面にカルシウムシリサイド薄膜を成長させることを特徴とするカルシウムシリサイド薄膜の成長方法。
【請求項2】前記マグネシウムシリサイド薄膜は、シリコン基板を密閉空間内でマグネシウム蒸気雰囲気に曝して前記シリコン基板とマグネシウム蒸気とを固気反応させることにより成長されることを特徴とする請求項1記載のカルシウムシリサイド薄膜の成長方法。
【請求項3】前記シリコン基板を密閉空間内でマグネシウム蒸気雰囲気に曝す工程は、耐熱容器内にシリコン基板とマグネシウムを共存させ、蓋で前記容器を密閉し、この蓋付容器を真空容器内に設置し、前記蓋付容器を前記固気反応が生じる温度に加熱することによりなされることを特徴とする請求項2記載のカルシウムシリサイド薄膜の成長方法。
【請求項4】前記マグネシウムシリサイド薄膜が形成されたシリコン基板を密閉空間内でカルシウム蒸気雰囲気に曝す工程は、耐熱容器内に前記シリコン基板とカルシウム片を共存させ、蓋で前記容器を密閉し、この蓋付容器を真空容器内に設置し、前記蓋付容器を前記マグネシウムシリサイド薄膜のマグネシウム原子とカルシウム原子とが置換反応を生じる温度に加熱することによりなされることを特徴とする請求項1記載のカルシウムシリサイド薄膜の成長方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2001086119thum.jpg
State of application right 登録
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