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導電性高分子材料及び導電性高分子材料の製造方法

Patent code P120006827
File No. S2010-0986-N0
Posted date 2012年3月12日
Application number 特願2010-189097
Publication number 特開2012-046605
Patent number 特許第5509501号
Date of filing 平成22年8月26日(2010.8.26)
Date of publication of application 平成24年3月8日(2012.3.8)
Date of registration 平成26年4月4日(2014.4.4)
Inventor
  • 奥崎 秀典
Applicant
  • 国立大学法人山梨大学
Title 導電性高分子材料及び導電性高分子材料の製造方法
Abstract 【課題】高い電導性を有し、簡便に製造することができる導電性高分子材料及び導電性高分子材料の製造方法を提供する。
【解決手段】PEDOT/PSSのコロイド溶液にアラビトールを添加するアラビトール添加ステップと、前記アラビトール添加ステップで得られた溶液を乾燥させ、加熱する熱処理ステップと、を備えた製造方法により製造される導電性高分子材料。
【選択図】図1
Outline of related art and contending technology

高分子材料の体積変化を電気刺激でコントロールすることができれば、しなやかに動くロボットやソフトなアクチュエータ、人工筋肉などへの応用が期待できる。現在、導電性高分子アクチュエータ、イオン伝導性高分子アクチュエータ、そしてエラストマー高分子アクチュエータ等が小型、軽量、柔軟であって動作音がない次世代アクチュエータとして注目されている。そのため、アクチュエータのフレキシブルな動きに追従できる高電導度、高伸縮性を備える電極が必要とされている。

また、電子ペーパー、有機太陽電池、有機ELなどに代表される有機プリンタブル・エレクトロニクス素子の分野において、柔軟かつしなやかで、伸縮性を有する配線や電極材料の開発が望まれている。

導電性を有するポリマーとしては、PEDOT/PSS(ポリ(3, 4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4-スチレンスルホン酸))などが知られており、例えば、特許文献1には、PEDOT/PSSを透明電極として使用する静電容量式スイッチの電極構造について記載されている。

また、非特許文献1には、伸縮性を備えた導電性物質として、単層カーボン・ナノチューブ(SWNT)、イオン性液体、弾性のある樹脂などからなる物質について記載されている。

Field of industrial application

本発明は、電気伝導性を有する導電性高分子材料及び導電性高分子材料の製造方法に関し、特に伸縮性も備えた導電性高分子材料及び導電性高分子材料の製造方法に関する。

Scope of claims 【請求項1】
PEDOT/PSSのコロイド溶液にアラビトールを添加するアラビトール添加ステップと、
前記アラビトール添加ステップで得られた溶液を乾燥させ、加熱する熱処理ステップと、
を備えた製造方法により製造される導電性高分子材料。

【請求項2】
前記アラビトール添加ステップでは、アラビトールを前記PEDOT/PSSの固形成分に対して40wt%~90wt%添加する、
請求項1に記載の導電性高分子材料。

【請求項3】
前記熱処理ステップでの加熱温度は、100℃~200℃の範囲である、
請求項1または2に記載の導電性高分子材料。

【請求項4】
前記熱処理ステップでの加熱時間は、1時間~5時間の範囲である、
請求項1~3のいずれか一つに記載の導電性高分子材料。

【請求項5】
PEDOT/PSSのコロイド溶液にアラビトールを添加するアラビトール添加ステップと、
前記アラビトール添加ステップで得られた溶液を乾燥させ、加熱する熱処理ステップと、
を備えた導電性高分子材料の製造方法。

【請求項6】
前記アラビトール添加ステップでは、アラビトールを前記PEDOT/PSSの固形成分に対して40wt%~90wt%添加する、
請求項5に記載の導電性高分子材料の製造方法。

【請求項7】
前記熱処理ステップでの加熱温度は、100℃~200℃の範囲である、
請求項5または6に記載の導電性高分子材料の製造方法。

【請求項8】
前記熱処理ステップでの加熱時間は、1時間~5時間の範囲である、
請求項5~7のいずれか一つに記載の導電性高分子材料の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2010189097thum.jpg
State of application right 登録
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