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MANUFACTURING METHOD OF CARBON NANOTUBE AND MODIFIED CARBON NANOTUBE

Patent code P05P003301
File No. NI0400027
Posted date Feb 16, 2006
Application number P2004-164065
Publication number P2005-343726A
Patent number P4045343
Date of filing Jun 2, 2004
Date of publication of application Dec 15, 2005
Date of registration Nov 30, 2007
Inventor
  • (In Japanese)村松 寛之
  • (In Japanese)金 隆岩
  • (In Japanese)林 卓哉
  • (In Japanese)遠藤 守信
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人信州大学
Title MANUFACTURING METHOD OF CARBON NANOTUBE AND MODIFIED CARBON NANOTUBE
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a CNT whereby DWCNT can be selectively and industrially manufactured.
SOLUTION: In the manufacturing method of the CNT, an iron salt as a main catalyst 16 and a molybdate as an auxiliary catalyst 18 are placed inside a reaction tube 12, and a carbon source is passed through the reaction tube 12 together with an inert gas and reacted at a prescribed temperature to perform vapor deposition of the carbon nanotube (CNT). The use of molybdate as the auxiliary catalyst (conditioning catalyst) enables manufacturing of the CNT rich in DWCNT.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


カーボンナノチューブ(CNT)の合成では、SWCNT(単層:シングルウォールCNT)、DWCNT(二層:ダブルウォールCNT)、MWCNT(多層:マルチウォールCNT)が混在した形で得られるのが通例である。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明はカーボンナノチューブ(CNT)の製造方法および変形カーボンナノチューブ(CNT)に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
反応管内に、反応管の炭素源導入側に副触媒としてモリブデン酸アンモニウムを配置し、該副触媒よりも下流側に主触媒としてクエン酸鉄アンモニウムを配置し、炭素源を不活性ガスと共に反応管内に流して、所要温度で反応させて、カーボンナノチューブ(CNT)を気相成長させる工程と、
生成したCNTを酸化性雰囲気中で500℃の温度で酸化処理して単層CNTを分解し、二層CNTリッチのCNTに精製する工程とを具備することを特徴とするCNTの製造方法。

【請求項2】
 
酸化マグネシウムに担持したクエン酸鉄アンモニウムを用い、酸化アルミニウムに担持したモリブデン酸アンモニウムを用いることを特徴とする請求項1記載のCNTの製造方法。

【請求項3】
 
炭素源としてメタンガスを用い、875~1100℃の温度で反応させることを特徴とする請求項1または2記載のCNTの製造方法。

【請求項4】
 
500℃の温度で酸化処理したCNTをさらに不活性ガス中で1500~2800℃の温度で熱処理することを特徴とする請求項1~3いずれか1項記載のCNTの製造方法。

【請求項5】
 
500℃の温度で酸化処理したCNTをさらに不活性ガス中で2200~2800℃の温度で熱処理することを特徴とする請求項1~3いずれか1項記載のCNTの製造方法。

【請求項6】
 
500℃の温度で酸化処理したCNTをさらに不活性ガス中で2100℃の温度で熱処理し、隣接する2つの二層CNTのアウター層を断面長円状に融合させ、該長円状の1つのアウター層内に、アウター層の長軸方向に隣接して2つのインナー層が位置する変形CNTを形成することを特徴とする請求項1~3いずれか1項記載のCNTの製造方法。

【請求項7】
 
隣接する2つの二層CNTのアウター層が断面長円状に融合し、該長円状の1つのアウター層内に、アウター層の長軸方向に隣接して2つのインナー層が位置することを特徴とする変形CNT。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2004164065thum.jpg
State of application right Registered
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