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METHOD OF IDENTIFYING CHIRALITY OF CRYSTAL commons

Patent code P05A008318
File No. 188
Posted date Apr 7, 2006
Application number P2003-165776
Publication number P2004-333461A
Patent number P3637394
Date of filing May 6, 2003
Date of publication of application Nov 25, 2004
Date of registration Jan 21, 2005
Inventor
  • (In Japanese)乾 晴行
  • (In Japanese)田中 克志
  • (In Japanese)藤井 昭宏
  • (In Japanese)坂本 宙樹
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人京都大学
Title METHOD OF IDENTIFYING CHIRALITY OF CRYSTAL commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new method which easily identifies the chirality of a crystal.
SOLUTION: An electron beam is allowed to be incident on the crystal from a predetermined direction. Bijvoet pair reflection using the diffraction of the electron beam is then obtained. By comparing the intensity of the Bijvoet pair reflection, the chirality of the crystal is recognized.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


医薬品の研究開発及び製造過程においては、薬物の対掌性を識別することが重要となる。従来、このような対掌性識別は、ミリメータサイズの大型かつ良質の単結晶を準備し、これに対してX線を照射し、異常分散効果を利用したX線回折により得たバイフット対の強度比較を行うことにより実施していた。



しかしながら、上述したような大型かつ良質の単結晶を準備することは極めて困難であり、またX線回折データの解析には相当の時間と熟練とを要するため、医薬品になる可能性がありながら、研究対象から外れた数多くの薬物が存在する。サリドマイド惨禍などに代表されるように、薬物は鏡像異性体間で生理活性が異なる場合があり、この生理活性の違いによって副作用などの薬害を生ぜしめる場合がある。したがって、薬物などに使用する物質の対掌性を識別することは極めて重要である。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、医薬品などの研究開発及び製造などにおける、薬物の対掌性識別方法などとして好適に用いることのできる結晶の対掌性識別方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 結晶に対して所定方向から電子線を入射させる工程と、
前記電子線の回折を利用したバイフット対反射を得る工程と、
前記バイフット対反射の強度を比較することにより、前記結晶の対掌性を識別する工程と、
を具えることを特徴とする、結晶の対掌性識別方法。
【請求項2】
 前記バイフット対反射は、前記結晶の中心軸m-m’の右側における第1の反射と、前記結晶の中心軸m-m’の左側における第2の反射とから構成され、前記バイフット対反射の強度比較は、前記第1の反射の強度と前記第2の反射の強度とを比較することを特徴とする、請求項1に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項3】
 前記第1の反射及び前記第2の反射は、中心軸m-m’に対し、位相角分布において反転の関係にあることを特徴とする、請求項2に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項4】
 前記結晶はキラル結晶であることを特徴とする、請求項3に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項5】
 前記結晶は点群1に属し、前記電子線は任意の晶帯軸方向に入射させることを特徴とする、請求項4に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項6】
 前記結晶の、第1ラウエゾーンに属する{hkl}反射及び{-h-k-l}反射における強度を比較することを特徴とする、請求項5に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項7】
 前記結晶は点群2に属し、前記電子線は前記結晶の〈h0l〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項4に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項8】
 前記結晶の、{hkl}反射及び{-hk-l}反射の少なくとも一つにおける強度と、{-h-k-l}反射及び{h-kl}反射の少なくとも一つにおける強度とを比較することを特徴とする、請求項7に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項9】
 前記結晶は点群222に属し、前記電子線は〈hk0〉方向、〈0kl〉方向又は〈h0l〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項4に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項10】
 前記結晶の、{hkl}反射、{h-k-l}反射、{-hk-l}反射及び{-h-kl}反射の少なくとも一つにおける強度と、{-h-k-l}反射、{-hkl}反射、{h-kl}反射及び{hk-l}反射の少なくとも一つにおける強度とを比較することを特徴とする、請求項9記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項11】
 前記結晶は点群4に属し、前記電子線は〈hk0〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項4に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項12】
 前記結晶の、{hkl}反射、{-khl}反射、{-h-kl}反射及び{k-hl}反射の少なくとも一つにおける強度と、{-h-k-l}反射、{k-h-l}反射、{hk-l}反射及び{-hk-l}反射の少なくとも一つにおける強度とを比較することを特徴とする、請求項11に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項13】
 前記結晶は点群422に属し、前記電子線は、〈hk0〉方向、〈h0l〉方向又は〈hhl〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項4に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項14】
 前記結晶の、{hkl}反射、{-khl}反射、{-h-kl}反射、{k-hl}反射、{h-k-l}反射、{-k-h-l}反射、{-hk-l}反射、及び{kh-l}反射の少なくとも一つにおける強度と、{-h-k-l}反射、{k-h-l}反射、{hk-l}反射、{-kh-l}反射、{-hkl}反射、{khl}反射、{h-kl}反射及び{-k-hl}反射の少なくとも一つにおける強度とを比較することを特徴とする、請求項13に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項15】
 前記結晶は点群3に属し、前記電子線は前記結晶の任意の晶帯軸方向に入射させることを特徴とする、請求項4に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項16】
 前記結晶の、第1のラウエゾーンに属する{hkil}反射及び{-h-k-i-l}反射における強度を比較することを特徴とする、請求項13に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項17】
 前記結晶は点群321に属し、前記電子線は前記結晶の〈h-h0l〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項4に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項18】
 前記結晶の、{hkil}反射及び{hik-l}反射の少なくとも一方における強度と、{-h-k-i-l}反射及び{-h-i-kl}反射の少なくとも一方における強度とを比較することを特徴とする、請求項17に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項19】
 前記結晶は点群312に属し、前記電子線は前記結晶の〈hh-2hl〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項4に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項20】
 前記結晶の、{hkil}反射及び〈-h-i-k-l〉反射の少なくとも一方における強度と、{-h-k-i-l}反射及び{hikl}反射の少なくとも一方における強度とを比較することを特徴とする、請求項19に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項21】
 前記結晶は点群6に属し、前記電子線は前記結晶の〈hki0〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項4に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項22】
 前記結晶の、{hkil}反射及び{-h-k-il}反射の少なくとも一方における強度と、{-h-k-i-l}反射及び{hki-l}反射の少なくとも一方における強度とを比較することを特徴とする、請求項21に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項23】
 前記結晶は点群622に属し、前記電子線は前記結晶の〈h-h0l〉方向、〈hh-2hl〉方向又は〈hki0〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項4に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項24】
 前記結晶の、{hkil}反射、{-h-k-il}反射、{hik-l}反射及び{-h-i-k-l}反射の少なくとも一方における強度と、{-h-k-i-l}反射、{hki-l}反射、{-h-i-kl}反射及び〈hikl〉反射の少なくとも一方における強度とを比較することを特徴とする、請求項23に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項25】
 前記結晶は点群23に属し、前記電子線は前記結晶の〈hk0〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項4に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項26】
 前記結晶の、{hkl}反射、{h-k-l}反射、{-hk-l}反射及び{-h-kl}反射の少なくとも一方における強度と、{-h-k-l}反射、{-hkl}反射、{h-kl}反射及び{hk-l}反射の少なくとも一方における強度とを比較することを特徴とする、請求項23に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項27】
 前記結晶は点群432に属し、前記電子線は前記結晶の〈hk0〉方向又は〈hhl〉方向に沿って入射させることを特徴とする、請求項4に記載の結晶の対掌性識別方法。
【請求項28】
 前記結晶の、{hkl}反射、{h-k-l}反射、{-hk-l}反射、{-h-kl}反射、{-hlk}反射、{h-lk}反射、{hl-k}反射、及び{-h-l-k}反射の少なくとも一方における強度と、{-h-k-l}反射、{-hkl}反射、{h-kl}反射、{hk-l}反射、{h-l-k}反射、{-hl-k}反射、{-h-lk}反射、及び{hlk}反射の少なくとも一方における強度とを比較することを特徴とする、請求項27に記載の結晶の対掌性識別方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2003165776thum.jpg
State of application right Registered
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