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METHOD FOR MANUFACTURING MAGNESIUM DIBORIDE

Patent code P06A009412
File No. IP16-063
Posted date Nov 2, 2006
Application number P2005-087027
Publication number P2006-265049A
Patent number P4752049
Date of filing Mar 24, 2005
Date of publication of application Oct 5, 2006
Date of registration Jun 3, 2011
Inventor
  • (In Japanese)櫻井 浩
  • (In Japanese)尾池 弘美
  • (In Japanese)高野 勝昌
  • (In Japanese)細谷 拓己
  • (In Japanese)工藤 広史
  • (In Japanese)佐々木 淳之
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人群馬大学
Title METHOD FOR MANUFACTURING MAGNESIUM DIBORIDE
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing magnesium diboride which achieves stable microfabrication by forming magnesium diboride at a low temperature.
SOLUTION: A vapor deposition source of magnesium, a vapor deposition source of boron and a substrate 11 are arranged in a reaction chamber 2, and magnesium and boron are simultaneously evaporated in the reaction chamber 2 to form magnesium diboride on the substrate 11. When the magnesium diboride is formed, the substrate is kept at a temperature of ≤100°C and the ratio between evaporated amounts of magnesium and boron is set within the range of 1.0-9.0.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


二ホウ化マグネシウム(MgB2)は、2000年にAkimitsuらによって初めて超伝導となることが報告された物質であり(非特許文献1参照)、金属系の超伝導材料としては、最高の超伝導転移温度Tc=39Kを有する。



二ホウ化マグネシウムの合成方法としては、従来から、600℃以上の高温熱処理を行って結晶化させる方法が行われていた。



しかし、このような高温で合成を行うと、マグネシウムが酸素等と反応し易いため、マグネシウムが酸化してしまうことがある。また、酸化させることによって、二ホウ化マグネシウムの構造が変化してしまうという問題を生じる。



そこで、二ホウ化マグネシウムの薄膜を比較的低い温度で合成する方法として、高真空中でMgとBとを同時に蒸発させ、温度300℃以下の基板上で合成する方法が報告されている(例えば、非特許文献2参照。)。



【非特許文献1】
J.Nagamatsu et al.,Neture vol.410,2001,p.63
【非特許文献2】
固体物理Vol.40,No.1,2005,p.51~67

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、二ホウ化マグネシウム(MgB2)の製造方法に係わり、特に薄膜状態の二ホウ化マグネシウムを製造する際に好適なものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
マグネシウムの蒸着源と、ホウ素の蒸着源と、基板とを反応室内に配置し、
前記反応室内で、マグネシウムとホウ素とを同時に蒸着することにより、前記基板上に二ホウ化マグネシウムを形成する方法であって、
前記二ホウ化マグネシウムを形成する際の前記基板の温度を100℃以下とし、
マグネシウムの蒸着量を0.126~0.9Å/sの範囲内とし、ホウ素の蒸着量を0.0563~0.275Å/sの範囲内とし、マグネシウムの蒸着量とホウ素の蒸着量との比を、1.0~9.0の範囲内とする
ことを特徴とする二ホウ化マグネシウムの製造方法。

【請求項2】
 
前記二ホウ化マグネシウムを形成する際の前記基板の温度を100℃とし、マグネシウムの蒸着量を0.126~0.9Å/sの範囲内とし、ホウ素の蒸着量を0.1064~0.275Å/sの範囲内とし、マグネシウムの蒸着量とホウ素の蒸着量との比を、1.0~4.10の範囲内とすることを特徴とする請求項1に記載の二ホウ化マグネシウムの製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2005087027thum.jpg
State of application right Registered
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