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METHOD OF FORMING FINE WIRING AND ELECTRONIC COMPONENT HAVING THE FINE WIRING

Patent code P07A010107
Posted date Jul 27, 2007
Application number P2004-005665
Publication number P2005-203433A
Patent number P4324668
Date of filing Jan 13, 2004
Date of publication of application Jul 28, 2005
Date of registration Jun 19, 2009
Inventor
  • (In Japanese)木下 隆利
  • (In Japanese)丹羽 敏彦
  • (In Japanese)隅山 兼治
  • (In Japanese)山室 佐益
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人 名古屋工業大学
Title METHOD OF FORMING FINE WIRING AND ELECTRONIC COMPONENT HAVING THE FINE WIRING
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming the fine wiring of a nanometer size on a base.
SOLUTION: The fine wiring forming method comprises a step of preparing a hydrophilic-hydrophobic linear polypeptide 20 having at least one hydrophilic portion 22 and at least one hydrophobic portion 24A, 24B in the axial direction, a step of forming a polypeptide thin film 50A composed of the polypeptide portions regularly arranged on the surface of a specified base, a step of feeding the polypeptide thin film with conductive particulates 40 having hydrophobic groups to add the particulates to the hydrophobic portion of the polypeptide thin film through the hydrophobic group, and a step of eliminating the hydrophobic group of the conductive particulates and the polypeptide to form fine wiring composed of the conductive particulates corresponding to a regularly arranged pattern of the polypeptide.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


近年、電子情報機器の小型化及び高性能化に伴い、そのような機器に使用され得る電子部品(デバイス)として、従来より更に小型で高集積なものが要求されている。
かかる要求を実現化するための一手段として、半導体パッケージ用配線基板やDRAM等の半導体デバイスに形成される配線(具体的には配線幅や配線厚さ)の微細化が挙げられる。そこで、より微細な配線を形成するため、レジスト材料を電子線等で露光する所謂リソグラフィー技術の改良の他、インクジェットプリンティング技術の応用が考えられている。例えば、特許文献1及び2には、平均粒子径1~100nmの金属微粒子を含むペーストをインクジェット印刷することにより、基材上に微細配線を形成する方法が記載されている。



【特許文献1】
特開2002-324966号公報
【特許文献2】
特開2003-311944号公報
【特許文献3】
特開2002-284900号公報
【特許文献4】
特開2002-285000号公報

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、ナノメーターサイズの微細な配線を基材上に作製する方法に関し、そのような微細配線を備えた電子部品の製造に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
基材上に微細配線を作製する方法であって、以下の工程:
親水性部分と疎水性部分とが軸方向に少なくとも一つずつ形成されている両親媒性の線状ポリペプチドを用意する工程;
所定の基材の表面に、前記ポリペプチドが規則的に配列して成るポリペプチド薄膜を形成する工程;
前記ポリペプチド薄膜に疎水基を備えた導電性微粒子を供給し、該疎水基を介して該ポリペプチド薄膜の疎水性部分に導電性微粒子を付加する工程;および
前記ポリペプチド及び導電性微粒子の疎水基を消失させ、前記ポリペプチドの規則的配列パターンに対応した導電性微粒子から成る微細配線を形成する工程;
を包含する方法。

【請求項2】
 
基材上に微細配線を作製する方法であって、以下の工程:
親水性部分と疎水性部分とが軸方向に少なくとも一つずつ形成されている両親媒性の線状ポリペプチドを用意する工程;
前記ポリペプチドに疎水基を備えた導電性微粒子を供給し、該疎水基を介して該ポリペプチドの疎水性部分に導電性微粒子を付加する工程;
所定の基材の表面に、前記導電性微粒子が付加されたポリペプチドが規則的に配列して成るポリペプチド薄膜を形成する工程;および
前記ポリペプチド及び導電性微粒子の疎水基を消失させ、前記ポリペプチドの規則的配列パターンに対応した導電性微粒子から成る微細配線を形成する工程;
を包含する方法。

【請求項3】
 
前記ポリペプチド薄膜の少なくとも一部は、前記基材の水平方向に前記ポリペプチドの疎水性部分が相互に隣接して並列するように軸方向を揃えて配列したポリペプチド集合体により構成される、請求項1又は2に記載の方法。

【請求項4】
 
前記ポリペプチド薄膜は、ラングミュア-ブロジェット法に基づいて形成された単分子膜又は累積膜である、請求項3に記載の方法。

【請求項5】
 
前記導電性微粒子は、平均粒子サイズ100nm以下の金属又は合金から成る微粒子である、請求項1~4のいずれかに記載の方法。

【請求項6】
 
前記疎水基を備えた導電性微粒子は、前記微粒子に長鎖炭化水素基を備えた両親媒性分子を結合させて得られたものである、請求項5に記載の方法。

【請求項7】
 
請求項1~6のいずれかの方法によって作製された所定パターンの微細配線を備えた電子部品。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2004005665thum.jpg
State of application right Registered
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