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METHOD FOR PREPARING THIN GOLD FILM FLAT AT ATOMIC LEVEL meetings

Patent code P07A010662
Posted date Oct 4, 2007
Application number P2002-313636
Publication number P2004-149818A
Patent number P4195928
Date of filing Oct 29, 2002
Date of publication of application May 27, 2004
Date of registration Oct 10, 2008
Inventor
  • (In Japanese)肥後 盛秀
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人 鹿児島大学
Title METHOD FOR PREPARING THIN GOLD FILM FLAT AT ATOMIC LEVEL meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for preparing a thin gold film flat at the atomic level on a mica substrate by a vacuum deposition method with a simple operation.
SOLUTION: The problem is solved by investigating the pretreatment method for a mica substrate and the conditions such as degree of vacuum, vapor deposition temperature, vapor deposition rate, and film thickness in the vacuum deposition method. The thin gold film is formed by the following operations: an 8 mm×12 mm mica substrate with its surface cleaved in the air is heat treated in a vacuum of 1-8×10-6 Torr at 550°C for 2 hr and then kept at 473°C in a vacuum of 1-3×10-6 Torr; and a thin gold film with a thickness of 150 nm is vapor deposited at a vapor deposition rate of 2.0 nm/s and then cooled in a vacuum of 1-3×10-6 Torr to lower than 100°C.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


特開平6-200376号(以下先行技術1という)に表面が平坦な金薄膜を気相成長する方法があり、「原料ガスとしてジメチルゴールドヘキサフロロアセチルアセトネートを用い、熱CVDを利用し特殊条件下で気相成長を行う。あるいは熱CVDの代わりにプラズマCVDを利用する。更に、プラズマCVD/熱CVDの組合せにより2層膜とし密着性等の向上を図る。また、原料ガスを予備加熱し、予め中間生成物を形成しこの中間生成物を高真空状態に載置された基板に噴出して基板上に金薄膜を形成するように構成する。」という記載がある。



学術論文Langmuir、13巻、23号、6176~6182ページ、1997年(以下先行技術2という)に、高温(250~350℃)の雲母基板上にアルミニウムを真空蒸着して原子レベルで平坦な薄膜を作製する方法が記載されている。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、平坦な表面を持つ金薄膜の作製方法に関する。より詳しくは、前処理した雲母基板上に金を真空蒸着し、原子レベルで平坦な金薄膜を作製する方法に関するものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
  高真空中で500~600℃の加熱による前処理を行った雲母基板上に、高真空中、蒸着温度470~476℃、蒸着速度1.8~2.2nm/s、膜厚130~170nmの条件で真空蒸着法により、原子レベルで平坦な表面を持つ金薄膜を作製することを特徴とする膜形成方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2002313636thum.jpg
State of application right Registered
(In Japanese)公開特許は弊社ホームページ内で開示資料とともに、特許公報も掲載しております。
アドレスは http://www.ktlo.co.jp/002_seeds_.html


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