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SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME foreign

Patent code P07A010698
Posted date Oct 4, 2007
Application number P2006-044370
Publication number P2006-270074A
Patent number P5167478
Date of filing Feb 21, 2006
Date of publication of application Oct 5, 2006
Date of registration Jan 11, 2013
Priority data
  • P2005-046087 (Feb 22, 2005) JP
Inventor
  • (In Japanese)立野 洋人
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人 鹿児島大学
Title SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME foreign
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device achieving high thermal resistance and a method of manufacturing it.
SOLUTION: An n-type emitter region 2e and a collector region 2c are formed on two points on a surface of a p-type Si substrate 1 doped with B ions. When forming the emitter region 2e and the collector region 2c, the acceleration voltage is set at 20 kV and the ion current is set at 10 μA by a secondary ion microanalyzer (IMA) and the two points on the Si substrate 1 are irradiated with Ar+ and He+, which are rare gas element ions, for about two hours. As a result, the lattice atoms of the Si substrate 1 are knocked out, lattice vacancies occur, and dangling bonds are generated from the surface of the Si substrate 1 to a relatively deep position. Regions where the dangling bonds are generated serve as the n-type emitter region 2e and collector region 2c.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


トランジスタを構成するP型半導体、N型半導体は、主に夫々IV族元素にIII価イオン、V価イオンをドープすることにより生成されている。そして、このようなトランジスタが集積回路(IC)等に使用されている。



しかしながら、ICではインプラントイオンの数が少なく、また、シリコンウェハ上に機能素子がローカルノードとして点在するため、インプラントイオンが容易に拡散しやすい。このため、十分な耐熱性及び高集積性を得ることが困難である。



【非特許文献1】
D. Long: Energy Bands in Semiconductors, Interscience, New York, 1968

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、ダイオード等に好適な半導体装置及びその製造方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
p型の第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域と隣接し、ダングリングボンドを電子の供給源とするn型の第2の半導体領域と、
を有し、
前記第1の半導体領域及び前記第2の半導体領域はシリコン又は炭化珪素からなることを特徴とする半導体装置。

【請求項2】
 
前記第1の半導体領域は、シリコン又は炭化珪素にp型の不純物を導入して構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。

【請求項3】
 
前記第2の半導体領域との間で前記第1の半導体領域を挟み込むn型の第3の半導体領域を有し、前記第3の半導体領域はシリコン又は炭化珪素からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。

【請求項4】
 
前記第2の半導体領域は、p型のシリコン又は炭化珪素への希ガス元素イオンの打ち込みにより形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。

【請求項5】
 
p型の第1の半導体領域内にダングリングボンドを発生させて、前記ダングリングボンドを電子の供給源とするn型の第2の半導体領域を形成する工程を有し、
前記第1の半導体領域及び前記第2の半導体領域はシリコン又は炭化珪素からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項6】
 
前記第2の半導体領域の形成と並行して、前記第2の半導体領域との間で前記第1の半導体領域を挟み込むn型の第3の半導体領域を形成し、前記第3の半導体領域はシリコン又は炭化珪素からなることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項7】
 
前記ダングリングボンドを発生させる際に、前記第1の半導体領域に対して希ガス元素イオンを打ち込むことを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2006044370thum.jpg
State of application right Registered
(In Japanese)公開特許は弊社ホームページ内で開示資料とともに、特許公報も掲載しております。
アドレスは http://www.ktlo.co.jp/002_seeds_.html


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