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METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE, SILICON CARBIDE, AND APPARATUS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE commons

Patent code P07A012457
File No. ID5056
Posted date Dec 28, 2007
Application number P2004-146779
Publication number P2005-325434A
Patent number P4411433
Date of filing May 17, 2004
Date of publication of application Nov 24, 2005
Date of registration Nov 27, 2009
Inventor
  • (In Japanese)白井 肇
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人埼玉大学
Title METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE, SILICON CARBIDE, AND APPARATUS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE commons
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To produce silicon carbide of high quality without heating a silicon substrate at a high temperature.
SOLUTION: This production method comprises forming an ambient-pressure micro-plasma jet P including at least methane, and irradiating the principal surface of the silicon substrate S with the micro-plasma jet to form silicon carbide on the surface layer part of the silicon substrate S.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


炭化シリコン結晶は、半導体シリコンの次世代半導体材料として注目されている代表的な基盤材料である。従来、前記炭化シリコン結晶は、所定のシリコン基材を準備するとともに、前記導電性基材上にメタン及び/又はプロパンなどの原料ガスを供給する熱CVD法により作製されていた。この場合、前記炭化シリコン結晶は、前記シリコン基材と前記原料ガスとの熱化学反応を通じて、前記シリコン基材の表層部分に形成されるものであるため、前記シリコン基材を1000℃以上に加熱する必要があった。



このため、特別な加熱手段が必要となるなど、前記炭化シリコン結晶を作製する際に使用する装置が複雑化し、前記シリコン基材に対する高温制御などの複雑な温度制御が必要となって、前記炭化シリコンの作製が繁雑化し、困難になるなどの諸問題が生じていた。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、炭化シリコンの作製方法に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
気圧マイクロプラズマジェットで、シリコン基材の表層部分に炭化シリコンを形成するに際し、針状電極を用い、前記針状電極内にメタンを含有する原料ガスを導入すると共に、前記シリコン基材の温度を400℃以下として、前記針状電極の先端部より前記原料ガスを放出しつつ、前記針状電極に高周波を印加し、さらに、前記針状電極と前記シリコン基材との距離を1~4mmの範囲とすることを特徴とする、炭化シリコンの作製方法。

【請求項2】
 
前記シリコン基材を非加熱状態としたことを特徴とする、請求項1に記載の炭化シリコンの作製方法。

【請求項3】
 
前記針状電極の内径が50μm~10cmであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の炭化シリコンの作製方法。

【請求項4】
 
前記原料ガスの流量が1sccm~1000sccmであることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一に記載の炭化シリコンの作製方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2004146779thum.jpg
State of application right Registered
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