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METHOD FOR PRODUCING THIN FILM meetings

Patent code P07P004841
File No. E-019
Posted date Dec 28, 2007
Application number P2006-133269
Publication number P2007-302958A
Patent number P4843768
Date of filing May 12, 2006
Date of publication of application Nov 22, 2007
Date of registration Oct 21, 2011
Inventor
  • (In Japanese)横谷 篤至
Applicant
  • (In Japanese)国立大学法人 宮崎大学
Title METHOD FOR PRODUCING THIN FILM meetings
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a thin film of SiNx at a low temperature.
SOLUTION: The method for producing the thin film by using a photo-assisted CVD technique comprises the steps of: introducing two source gases (silane/NH3) into a reaction vessel having a substrate of an object to be treated placed therein; mixing the gases; controlling the temperature of the substrate to room temperature to 300°C; irradiating the substrate with an vacuum-ultraviolet light having the wavelength of 126 nm to form the thin film of SiNx; and further irradiating the substrate having the thin film of SiNx formed thereon with the vacuum-ultraviolet light to anneal the film.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


SiNx薄膜に代表される窒化物は硬く、化学的に極めて安定であり、これを薄膜化したものは、半導体製造における拡散防止膜(バリア層)やプラスチック材料表面への保護膜としての応用が望まれている。しかし、一般に窒化物は融点が極めて高く、また窒化物を化学合成するためには高温高圧下での反応を必要とし、従来のSiNx薄膜の製造方法としては、プラズマCVD法が採用されている。



しかしながら、上記プラズマCVD法の場合、被対象物である基板を高温(300℃)の環境内に載置しておく必要があり加熱によって基板にダメージが発生する虞があった。また基板にプラズマ中の高速荷電粒子がダメージを与えるという問題点もあった。



そこで、レーザー照射手段を備え、膜形成の最終段階において、レーザーで励起可能でN源となる処理ガスを供給して、前段階の成膜工程よりもN成分の過剰な雰囲気ガスに前記レーザー照射手段からレーザー光を照射して成膜する窒素富化処理工程を備えたSiN膜の形成方法が提案されている(特許文献1参照。)。また、シランとアンモニアの混合気体に波長172nmの紫外光を照射してSiN膜を作る手法も開示されている(非特許文献1参照。)。



【特許文献1】
特開平5-186871号公報
【非特許文献1】
P.Bergonzo and l.W.Boyd:Appl.Phys.Lett63(1993)1757.

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、薄膜作製方法に関し、とくに真空紫外光CVDによるSiNx薄膜の作製方法に関するものである。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
光CVD法による薄膜作製方法において、被対象物である基板を載置した反応容器に2種類の原料ガス(シラン・NH3)を導入して混合し、前記基板の温度を50~80℃にすると共に、該基板に波長126nmの真空紫外光を照射して形成したSiNx薄膜に、前記波長126nmの真空紫外光をさらに照射し、光アニーリングを行なうことを特徴とする薄膜作製方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2006133269thum.jpg
State of application right Registered


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