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ION SOURCE

Patent code P07A012836
File No. PA16-045
Posted date Jan 18, 2008
Application number P2004-294599
Publication number P2006-107974A
Patent number P4534055
Date of filing Oct 7, 2004
Date of publication of application Apr 20, 2006
Date of registration Jun 25, 2010
Inventor
  • (In Japanese)作道 訓之
Applicant
  • (In Japanese)学校法人金沢工業大学
Title ION SOURCE
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion source capable of electrically selecting kinds of ions to be discharged and widely varying the depth of doping by switching a plasma generating means to one or both of dc arc discharge and a microwave.
SOLUTION: A plasma chamber 11, a waveguide 21 connected to the plasma chamber 11, and extraction electrodes 31, 32 and 33 are provided, and ions from plasma P generated by one or both of the dc arc discharge and the microwave MW from the waveguide are discharged from an ion extraction port 11b as an ion beam Ib.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)

超LSIなどの半導体デバイスを量産するとき、ドーパントのドーピング深さを変えるために、単原子イオンと分子イオンとを切り換えて基板に注入することができるイオン源が提案されている(特許文献1)。

このものは、マイクロ波電力を投入して原料ガスをプラズマ化し、ドーピング用のイオンを放出するマイクロ波イオン源において、プラズマを生成するプラズマ室の容積を機械的に可変することにより、たとえばBF3 の原料ガスを使用してBF2+またはB+ を選択して放出させることができる。なお、プラズマ室の容積は、プラズマ室の相対向する2壁面を逆方向に平行移動させ、または、プラズマ室に内蔵する可動部材を平行移動または回転移動させて変化させる。
【特許文献1】
特開2004-152702号公報

Field of industrial application (In Japanese)

この発明は、基板に対するドーパントのドーピング深さを広く可変することができるイオン源に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
フィラメントを組み込み、原料ガスを導入するプラズマ室と、長辺側を前記プラズマ室の軸方向にして前記プラズマ室の周側面に接続する断面長方形の導波管と、該導波管と相対向する前記プラズマ室のイオン引出口に付設する引出し電極とを備えてなり、前記プラズマ室は、直流アーク放電、前記導波管からのマイクロ波の一方または双方を選択して原料ガスをプラズマ化し、プラズマからのイオンを前記イオン引出口からイオンビームとして放出することを特徴とするイオン源。

【請求項2】
 
前記プラズマ室には、前記導波管からのマイクロ波に対する電子サイクロトロン共鳴磁界の数分の1の磁界を軸方向に加えることを特徴とする請求項1記載のイオン源。

【請求項3】
 
磁界を10~30mTに設定することを特徴とする請求項2記載のイオン源。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2004294599thum.jpg
State of application right Registered
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