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MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM

Patent code P07A012870
File No. PA17-073
Posted date Jan 18, 2008
Application number P2005-350575
Publication number P2007-154255A
Patent number P4599595
Date of filing Dec 5, 2005
Date of publication of application Jun 21, 2007
Date of registration Oct 8, 2010
Inventor
  • (In Japanese)南 内嗣
  • (In Japanese)宮田 俊弘
Applicant
  • (In Japanese)学校法人金沢工業大学
Title MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a transparent conductive film in which the improvement in the uniformity of a resistivity distribution is achieved.
SOLUTION: In the manufacturing method for the transparent conductive film, a zinc oxide doped with at least aluminum is used as a target 20 and the transparent conductive film is formed on a substrate 30 by a magnetron sputtering method using a sputter voltage with high frequency electric power superimposed on DC electric power. According to such embodiment, the suppression of the oxidation in a part opposing to erosion is made possible and the nonuniformity of the resistivity distribution of the transparent conductive film considered to be caused by the excessive oxidation can be ameliorated.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


近年、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ(以下、FPDという)の大型化、高性能化に伴い、それらに用いる透明導電膜に要求される性能の向上やコストの低減の要求が高まっている。



従来、透明導電膜を作製する薄膜形成技術として、マグネトロンスパッタリング装置が知られている(特許文献1参照)。マグネトロンスパッタリング装置は、放電などによりターゲット付近にプラズマを発生させ、このプラズマ中のイオンをターゲットに衝突させることにより粒子をスパッタし、その粒子を基体に付着させることにより成膜することが出来る。



また、FPDに用いられる透明導電膜としては、錫ドープ酸化インジウム(In2O3:Sn、以下、ITOという)が幅広く用いられているが、原料として含まれているインジウムが希少金属で高価なため、安定供給やコストの観点から懸念がある。



そこで、ITO透明導電膜の代替材料として、安価で豊富な供給が可能なアルミニウムドープ酸化亜鉛(ZnO:Al、以下、AZOという)等が注目されている。
【特許文献1】
特開平6-172995号公報

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、透明導電膜の製造方法に関し、特にマグネトロンスパッタリング装置を用いた透明導電膜の製造方法および製造装置に関する。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
酸化亜鉛をターゲットとして用い、不活性ガスに水素、メタン、アルコール及びケトンからなる群から選択された少なくとも一つのガスを導入した雰囲気中で、直流電力に高周波電力を重畳したスパッタ電圧を用いたマグネトロンスパッタリング法により基体上に透明導電膜を形成する透明導電膜の製造方法。

【請求項2】
 
前記酸化亜鉛は、Al,Ga,B,In,Y,Sc,F,V,Si,Ge,Ti,Zr,Hfからなる群から選択された少なくとも一つの元素がドープされている請求項1に記載の透明導電膜の製造方法。

【請求項3】
 
前記不活性ガスはArである請求項1または2に記載の透明導電膜の製造方法。

【請求項4】
 
前記雰囲気中に導入する水素導入量が0.1%~2.0%の範囲である請求項1乃至3のいずれかに記載の透明導電膜の製造方法。

【請求項5】
 
前記雰囲気中に導入する水素導入量が0.2%~1.0%の範囲である請求項1乃至3のいずれかに記載の透明導電膜の製造方法。

【請求項6】
 
前記不活性ガスに導入する水素導入量が0.3%~0.6%の範囲である請求項1乃至3のいずれかに記載の透明導電膜の製造方法。

【請求項7】
 
直流電力に重畳する高周波電力の周波数は2MHz~700MHzの範囲である請求項1乃至6のいずれかに記載の透明導電膜の製造方法。

【請求項8】
 
前記高周波電力は、前記直流電力の30%~300%の範囲であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の透明導電膜の製造方法。

【請求項9】
 
前記高周波電力は、前記直流電力の60%~200%の範囲であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の透明導電膜の製造方法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2005350575thum.jpg
State of application right Registered
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