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METHOD AND SYSTEM FOR DEPOSITING SiO2 FILM USING LASER ABLATION

Patent code P07A013050
Posted date Jan 25, 2008
Application number P2001-046866
Publication number P2002-249869A
Patent number P3820443
Date of filing Feb 22, 2001
Date of publication of application Sep 6, 2002
Date of registration Jun 30, 2006
Inventor
  • (In Japanese)大越 昌幸
  • (In Japanese)井上 成美
  • (In Japanese)倉松 雅章
Applicant
  • (In Japanese)防衛装備庁長官
Title METHOD AND SYSTEM FOR DEPOSITING SiO2 FILM USING LASER ABLATION
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To deposit a high-quality SiO2 film having high transparency by using a laser ablation method at a room temperature.
SOLUTION: A target 2 of a compound containing Si-O-Si bond and a substrate 3 facing the target are disposed in an evacuated film deposition vessel 1 of gaseous-oxygen atmosphere. A laser beam is applied to the above target 2 through an entrance window 4 provided to the above film deposition vessel 1, and the SiO2 film is deposited using laser ablation at room temperature. The stage of cleavage of the target can be controlled by means of the wavelength and irradiation energy density of the above laser beam, and the SiO2 film having excellent ultraviolet visible transmission property and electrical insulation property can be deposited at a room temperature.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


SiO2膜を形成する方法は枚挙にいとまがないが、主に高温の電気炉内にケイ素基板を設置し酸素ガスや水蒸気等の雰囲気で熱酸化させる方法と、加熱した基板上に反応ガスの分解によって膜形成する方法とに大別される。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、レーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成に係り、とくにシリコーン等のシロキサンを含む化合物から良質のSiO2膜を室温で形成可能なレーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法及び装置に関するものであり、従来困難とされてきた熱影響を受けやすい基板(高分子材料や生体材料、低融点材料、熱拡散しやすい材料等)への膜形成も可能となり、その用途は電気、電子のみならずあらゆる分野で有用である。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
Si-O-Si結合を含む化合物に紫外線乃至真空紫外線のレーザー光を照射し、アブレーションにより対向した基体上にSiO2膜を形成することを特徴とするレーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法。

【請求項2】
 
前記レーザー光の振動数をν、プランク定数をhとしたとき、hνが前記化合物における側鎖の結合エネルギーよりも大きい請求項1記載のレーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法。

【請求項3】
 
前記レーザ光の照射エネルギー密度が1J/cm2以上である請求項1又は2記載のレーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法。

【請求項4】
 
前記化合物及び基板が、減圧された酸素ガス雰囲気でかつ常温の成膜容器内に配置されている請求項1,2又は3記載のレーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法。

【請求項5】
 
酸素ガス圧が10-4Torr以上で10-1Torr以下である請求項4記載のレーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成法。

【請求項6】
 
減圧された酸素ガス雰囲気の成膜容器内にSi-O-Si結合を含む化合物のターゲット及び該ターゲットに対向した基体を配し、前記成膜容器に設けられた入射窓を通して紫外線乃至真空紫外線のレーザー光を前記ターゲットに照射することを特徴とするレーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成装置。

【請求項7】
 
前記レーザー光の振動数をν、プランク定数をhとしたとき、hνが前記化合物における側鎖の結合エネルギーよりも大きいことを特徴とする請求項6記載のレーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成装置。

【請求項8】
 
前記ターゲットを回転させる回転駆動手段が設けられている請求項6又は7記載のレーザーアブレーションを利用したSiO2膜の形成装置。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2001046866thum.jpg
State of application right Registered
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