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METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION OF COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND

Patent code P07A013057
Posted date Jan 25, 2008
Application number P2003-064304
Publication number P2004-273869A
Patent number P3826194
Date of filing Mar 11, 2003
Date of publication of application Sep 30, 2004
Date of registration Jul 14, 2006
Inventor
  • (In Japanese)大越 昌幸
  • (In Japanese)井上 成美
  • (In Japanese)高尾 寛弘
Applicant
  • (In Japanese)防衛装備庁長官
Title METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM BY LIGHT IRRADIATION OF COMPOUND CONTAINING Si-O-Si BOND
Abstract PROBLEM TO BE SOLVED: To form a silicon oxide film of fine quality free from carbon mixture on an optional base in order to manufacture an optical integrated circuit or the like based on an SiO2 optical waveguide.
SOLUTION: Organic polysiloxane 10 is arranged in a vacuum container 1 as a compound containing the Si-O-Si bond, a silicon substrate 20 is arranged as a base, the organic polysiloxane 10 is irradiated with light from a light source 30 including light of 200nm wavelength or less, and the silicon substrate 20 is also irradiated with light. Consequently, gas (a gas-like silicon compound and oxygen) is radiated from an exposure part of the organic polysiloxane 10, and a silicon oxide film is chemically deposited on the silicon substrate 20 which is irradiated with light by using the gas.
Outline of related art and contending technology (In Japanese)


酸化ケイ素膜を形成する方法は枚挙にいとまがないが、主に高温の電気炉内にケイ素基板を設置し、酸素ガスや水蒸気等の雰囲気で熱酸化させる方法と、減圧容器内に導入された反応ガスを加熱した基板上で熱分解し膜形成する方法とに大別される。

Field of industrial application (In Japanese)


本発明は、フォトニクスを目的とした、Si-O-Si結合を含む化合物への光照射による酸化ケイ素膜の形成法に係り、特にSi-O-Si結合を含む化合物(例、ポリシロキサン)を、波長200nm以下の光を含む光源により露光し、同化合物から放出される気体を利用して、酸化ケイ素膜を化学蒸着する膜形成法に関するものであり、従来困難とされてきた熱影響を受けやすい基板(高分子材料や生体材料、低融点材料、熱拡散しやすい材料等)への膜形成も可能となり、その用途は電気、電子のみならずあらゆる分野で有用である。

Scope of claims (In Japanese)
【請求項1】
 
減圧した容器内に設置したSi-O-Si結合を含む化合物を、波長200nm以下の光を含む光源によりレーザーアブレーションしきい値以下で露光し、前記化合物から放出される気体を利用して、前記光源の光路中に置かれた基体上に酸化ケイ素膜を化学蒸着することを特徴とする酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項2】
 
前記酸化ケイ素膜を、常温の前記基体上に形成する請求項1記載の酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項3】
 
前記光源の光をマスクを透過させて前記基体に照射して、前記酸化ケイ素膜を、前記基体上に所定のパターンに形成する請求項1又は2記載の酸化ケイ素膜の形成法。

【請求項4】
 
前記基体が平板状基板であり、前記光源の光軸に対して傾斜乃至平行に設置されている請求項1,2又は3記載の酸化ケイ素膜の形成法。
IPC(International Patent Classification)
F-term
Drawing

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JP2003064304thum.jpg
State of application right Registered
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